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功率晶体管

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功率晶体管是随着近几年移动通信系统对基站功率放大器和手机功率放大器的性能要求提高逐渐发展起来的新型射频功率器件。具有工作性能高、寄生电容小、易于集成等特点。特别适合在集成电路中作功率器件。

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功率晶体管技术

氧化镓异质集成和异质结功率晶体管研究

超宽禁带氧化镓(Ga2O3)半导体具有临界击穿场强高和可实现大尺寸单晶衬底等优势，在功率电子和微波射频器件方面具有重要的研究价值和广阔的应用前景。

2023-07-27 标签：场效应晶体管肖特基二极管热管理 1064 0

基于BLW96的射频放大器电路解析

BLW96是一款HF/VHF功率晶体管，适用于H.f.和v.h.f.频段的A类、AB类和B类操作的高功率工业和军用传输设备。

2023-07-23 标签：放大器电路射频放大器功率晶体管 739 0

电机控制算法电机控制算法有哪些 BLDC电机控制算法很难?

无刷电机属于自换流型(自我方向转换)，因此控制起来更加复杂。

2023-07-21 标签：电机控制霍尔传感器无刷电机 469 0

在射频电路中匹配与增益到底有什么关系？

匹配和增益是射频电路中重要的设计考虑因素。首先我们要理解它们的定义。

2023-07-20 标签：电阻器低噪声放大器射频电路 551 0

达林顿晶体管输出特性仿真过程

硅双极型晶体管、晶闸管及其衍生器件具有电导调制效应，可改善大电流情况下的饱和压降，降低其通态损耗。

2023-07-13 标签：晶闸管晶体管达林顿晶体管 242 0

详解矢量负载牵引技术

负载牵引系统是改变射频微波器件输入源阻抗和输出负载阻抗的阻抗牵引系统，它可以测量出射频微波器件及功率芯片在不同源阻抗及负载阻抗下的各种工作参数，典型的被...

2023-07-09 标签：放大器阻抗功率晶体管 417 0

高频小功率晶体管设计

产品发射区结构设计为梳状结构。晶体管版图中发射区半宽度选择为30μm。

2023-07-05 标签：串联电阻晶体管击穿电压 423 0

功率元件有哪些功率元件和信号元件区别

功率元件具有较大的承载能力和较低的内阻，以应对较高的功率需求，并保证能量传输的效率。例如，功率晶体管（如MOSFET、BJT）和功率放大器模块属于典型的...

2023-06-30 标签：二极管功率放大器功率晶体管 1242 0

常见的电机控制算法汇总整理

基于矢量的电机控制的一个固有优势是，可以采用同一原理，选择适合的数学模型去分别控制各种类型的AC, PM-AC 或者 BLDC电机。

2023-06-26 标签：电机控制 emi 步进电机 889 0

TIP32C的特性/引脚排列/应用

TIP32C是一款采用JedecTO-220塑料封装的硅外延基PNP功率晶体管。它适用于中等功率线性和开关应用。互补的NPN类型是TIP31C。本文将系...

2023-06-14 标签：pnp 功率晶体管 3099 0

RX65T125HS1B功率晶体管的原理与应用

引言: 在当今科技迅猛发展的时代，高效能的功率电子器件对于各个领域的应用至关重要。润新微电子的RX65T125HS1B功率晶体管作为一款先进的产品，凭借...

2023-06-12 标签：功率晶体管 1080 0

未来智能城市的动力引擎：润新微电子的650V GaN功率晶体管（FET）

润新微电子（Runxin Microelectronics）荣幸推出了最新一代的650V GaN功率晶体管（FET），该产品具备卓越的性能和广泛的应用领...

2023-06-12 标签：FET 功率晶体管智能城市 803 0

大功率晶体管温度过高如何解决，芯片导热硅脂可助其快速散热

总之，芯片导热硅脂是一种非常有效的散热材料，它可以大大提高大功率晶体管的散热效率，保证机器设备的正常运行和可靠性

2023-06-08 标签：芯片功率晶体管 566 0

说说IGBT的开通过程

一开始我们简单介绍过IGBT的基本结构和工作原理，不同的行业对使用IGBT时，对于其深入的程度可能不一样，但是作为一个开关器件，开通和关断的过程

2023-05-25 标签：MOSFET IGBT NPN管 1536 0

基于两个TDA2030的音频放大器电路

通过连接两个TDA2030廉价功率晶体管，我们可以创建一个可以提供更高功率的放大器。使用原理图中的元件值，总放大器增益为32dB。如果我们使用TIP晶体...

2023-05-23 标签：TDA2030 音频电路功率晶体管 1583 0

低压差、微功率负稳压器——LT1175

LT1175 是一款微功率、低压差负稳压器。它具有 45μA 静态电流，并在停机模式中减小至 10μA。

2023-04-14 标签：稳压器功率晶体管欠压保护 617 0

氧化镓功率器件的研究新发展总结

相比于目前常见的宽禁带半导体SiC和GaN，Ga2O3的Baliga品质因数更大、预期生长成本更低，在高压、大功率、高效率、小体积电子器件方面更具潜力。

2023-03-13 标签：功率二极管功率器件功率晶体管 286 0

DC/DC评估篇损耗探讨-损耗的简单计算方法

上一篇文章介绍了电源IC整体损耗的计算方法，即求出各部分的损耗并将这些损耗相加的方法。本文将在“简单”的前提下，介绍一种利用现有数据求出电源IC损耗的方法。

2023-02-23 标签：损耗电源IC 功率晶体管 1562 0

增强型场效应管和耗尽型场效应管有什么区别？

场效应管中，随着Ugs的增加，在靠近二氧化硅绝缘体的P型衬底表面缺少多子，形成了耗尽层。

2023-02-21 标签：场效应管晶体管 FET 2899 0

达林顿晶体管工作原理/特点功能/电路图

达林顿晶体管，这是一种高增益的双极型功率晶体管，其实质是由两只或更多晶体管复合组成的达林顿或超a对（darlington pair或Pmultip丨丨e...

2023-02-19 标签：晶体管达林顿晶体管高增益 4795 0

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