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功率器件

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功率器件，就是输出功率比较大的电子元器件，像大音响系统中的输出级功放中的电子元件都属于功率器件，还有电磁炉中的IGBT也是。本章详细介绍了：功率器件定义，功率器件龙头企业，最新功率器件，分立器件与功率器件，功率器件测试，功率半导体器件基础。

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功率器件技术

SiC功率器件中的沟槽结构测量

汽车和清洁能源领域的制造商需要更高效的功率器件，能够适应更高的电压，拥有更快的开关速度，并且比传统硅基功率器件提供更低的损耗，而沟槽结构的 SiC 功率...

2024-10-16 标签：MOSFET 功率器件 SiC 1.2k 0

Microchip的SiC解决方案解析

在电子交通、可再生能源和数据中心等具有重大创新的行业的推动下，对功率器件的需求不断增加。当今的功率应用具有持续更严格的要求，最重要的是与实现更高的效率（...

2024-10-15 标签：半导体 microchip IGBT 1.2k 0

RC-IGBT的结构、工作原理及优势

因为IGBT大部分应用场景都是感性负载，在IGBT关断的时候，感性负载会产生很大的反向电流，IGBT不能反向导通，需要在IGBT的两端并联一个快速恢复二...

2024-10-15 标签：二极管 IGBT 晶体管 4.9k 0

原子层镀膜在功率器件行业的应用

本文小编分享一篇文章，本文介绍的是原子层镀膜在功率器件行业的应用，本文介绍了原子层镀膜技术在碳化硅功率器件和氮化镓功率器件中的应用，并介绍了原子层镀膜技...

2024-10-15 标签：功率器件氮化镓镀膜 1.3k 0

SJMOS微逆变是什么？有哪些优点？

“光伏”是当下新能源行业的热门话题。随着全球能源危机不断加剧，太阳能作为一种绿色、可再生的能源逐渐受到人们的关注。在太阳能发电系统中，光伏逆变器的作用不...

2024-10-15 标签：太阳能功率器件光伏逆变器 930 0

IGBT短路耐受时间的重要性

IGBT等功率器件具有称为“短路耐受时间（SCWT：Short Circuit Withstand Time）”的电气特性（参数）。通常，在IGBT等功...

2024-10-08 标签：IGBT 功率器件功率元器件 1.4k 0

功率器件模块：一种满足EMI规范的捷径

由于功率模块的设计和几何形状可以实现 EMI 建模，从而使设计人员能够在设计流程的早期预测和了解其系统中的 EMI 反应。

2024-09-26 标签：半导体 emi 电磁干扰 941 0

碳化硅功率器件的工作原理和应用

碳化硅（SiC）功率器件近年来在电力电子领域取得了显著的关注和发展。相比传统的硅（Si）基功率器件，碳化硅具有许多独特的优点，使其在高效能、高频率和高温...

2024-09-13 标签：半导体功率器件 SiC 1.7k 0

碳化硅功率器件的优越性能

碳化硅（SiC）功率器件是近年来半导体行业中的重要发展方向。相比传统的硅（Si）功率器件，SiC功率器件具有更高的耐高温、高压和高频性能，广泛应用于电力...

2024-09-13 标签：半导体功率器件碳化硅 1k 0

碳化硅功率器件的优势和应用领域

在电力电子领域，碳化硅（SiC）功率器件正以其独特的性能和优势，逐步成为行业的新宠。碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高热导率、低介电常数...

2024-09-13 标签：半导体功率器件 SiC 1.9k 0

功率半导体器件测试解决方案

功率半导体器件是各类电子产品线路中不可或缺的重要组件。近年来，我国功率半导体器件制造企业通过持续的引进消化吸收再创新以及自主创新，产品技术含量及性能水平...

2024-09-12 标签：功率器件功率半导体碳化硅 1.5k 0

IGBT热管理解决方案

自20世纪80年代开发以来，IGBT已成为风能、太阳能等高压可再生能源应用以及消费和工业用途的电动汽车和电动机的关键。功率半导体、功率器件、IGBT三者...

2024-09-12 标签：IGBT 功率器件热管理 1.5k 0

碳化硅功率器件的原理简述

随着科技的飞速发展，电力电子领域也迎来了前所未有的变革。在这场变革中，碳化硅（SiC）功率器件凭借其独特的性能优势，逐渐成为业界关注的焦点。本文将深入探...

2024-09-11 标签：半导体功率器件碳化硅 1.8k 0

碳化硅功率器件的优点和应用

碳化硅（SiliconCarbide，简称SiC）功率器件是近年来电力电子领域的一项革命性技术。与传统的硅基功率器件相比，碳化硅功率器件在性能和效率方面...

2024-09-11 标签：半导体功率器件碳化硅 1.6k 0

碳化硅功率器件的技术优势

随着电力电子技术的飞速发展，传统的硅基功率器件因其物理特性的限制，已经逐渐难以满足日益增长的高性能、高效率、高可靠性的应用需求。在这一背景下，碳化硅（S...

2024-09-11 标签：半导体功率器件碳化硅 1.1k 0

碳化硅功率器件的发展趋势

随着全球能源结构的转型和电力电子技术的飞速发展，碳化硅（SiC）功率器件作为新一代半导体材料，正逐渐成为电力电子领域的璀璨明星。其独特的物理和化学属性，...

2024-09-11 标签：半导体功率器件碳化硅 1.2k 0

碳化硅功率器件有哪些优势

碳化硅（SiC）功率器件是一种基于碳化硅半导体材料的电力电子器件，近年来在功率电子领域迅速崭露头角。与传统的硅（Si）功率器件相比，碳化硅器件具有更高的...

2024-09-11 标签：半导体功率器件碳化硅 1.6k 0

SiC MOSFET和SiC SBD的区别

SiC MOSFET（碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管）和SiC SBD（碳化硅肖特基势垒二极管）是两种基于碳化硅（SiC）材料的功率半导体器件，它们...

2024-09-10 标签：MOSFET 功率器件 SiC 4.5k 0

什么是SiC功率器件？它有哪些应用？

SiC（碳化硅）功率器件是一种基于碳化硅材料制造的功率半导体器件，它是继硅（Si）和氮化镓（GaN）之后的第三代半导体材料的重要应用之一。SiC以其优异...

2024-09-10 标签：功率器件 SiC 碳化硅 5.8k 0

mosfet的三种工作状态及工作条件是什么

MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）是电子工...

2024-10-06 标签：MOSFET 电压场效应晶体管 9.2k 0

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