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功率器件

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功率器件，就是输出功率比较大的电子元器件，像大音响系统中的输出级功放中的电子元件都属于功率器件，还有电磁炉中的IGBT也是。本章详细介绍了：功率器件定义，功率器件龙头企业，最新功率器件，分立器件与功率器件，功率器件测试，功率半导体器件基础。

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功率器件晶圆测试及封装成品测试介绍

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功率器件热设计基础（十二）——功率半导体器件的PCB设计

/前言/功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低...

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SiC功率器件如何在极端高温条件下保持稳定性能？

随着DC/DC电源转换器、电动汽车车载充电器(OBC)、工业电机驱动器、太阳能逆变器以及牵引逆变器等应用对功率密度的需求日益提高，系统的工作温度也随之增...

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双面散热IGBT功率器件 | DOH 封装工艺

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电动汽车动力系统中IGBT全面解析

IGBT(绝缘栅双极型晶体管)，作为MOSFET和双极晶体管的复合器件，是电动汽车动力系统的核心部件，以其高工作频率、高电流性能和低开关损耗等特点，确保...

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功率器件热设计基础（十一）——功率半导体器件的功率端子

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功率器件嵌入PCB技术文章分享

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屏蔽栅MOSFET技术简介

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单极性正弦波脉宽调制方式

随着功率器件的发展，正弦波脉宽调制(SPWM)技术得到了广泛的应用，SPWM 控制是在逆变器输出交流电能的一个周期内，将直流电能斩成幅值相等而宽度根据正...

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采用TOLL封装的MOS管有什么作用

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DOH新材料工艺封装技术解决功率器件散热问题

DOH：DirectonHeatsink,热沉。助力提升TEC、MOSFET、IPM、IGBT等功率器件性能提升，解决孔洞和裂纹问题提升产品良率及使用寿...

2024-12-24 标签：功率器件 SiC 新材料 1.3k 0

功率器件热设计基础（十）——功率半导体器件的结构函数

样品活动进行中，扫码了解详情/前言/功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计...

2024-12-23 标签：功率器件函数热设计 1.6k 0

微型逆变器小华MCU与上海贝岭功率器件方案

适用微型逆变器500-1000W控制板应用方案，包含MCU设计参考例程，上海贝岭功率mos,igbt,ldo,运放，比较器，存储器等在逆变器产品应用的方案。

2024-12-22 标签：mcu 功率器件微型逆变器 1.4k 0

为什么碳化硅MOSFET特别需要米勒钳位

各位小伙伴，不久前我们推送了“SiC科普小课堂”视频课——《什么是米勒钳位？为什么碳化硅MOSFET特别需要米勒钳位？》后反响热烈，很多朋友留言询问课件...

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大为锡膏 | 倒装固晶锡膏的区别

固晶锡膏是以导热率为40W/M.K左右锡银铜等金属合金做基体的键合材料，完全满足RoHS及无卤等环保要求，用于LED芯片封装及二极管等功率器件封装，以实...

2024-12-18 标签：led 功率器件锡膏 897 0

功率器件热设计基础（九）——功率半导体模块的热扩散

2024-12-16 标签：功率器件测量功率半导体 1.5k 0

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2024-12-11 标签：二极管功率器件浪涌电流 1.1k 0

功率器件封装新突破：纳米铜烧结连接技术

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SiC功率器件的特点和优势

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功率器件热设计基础（七）——热等效模型

/前言/功率半导体热设计是实现IGBT、SiCMOSFET高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率...

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