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标签 > 功率器件
功率器件，就是输出功率比较大的电子元器件，像大音响系统中的输出级功放中的电子元件都属于功率器件，还有电磁炉中的IGBT也是。本章详细介绍了：功率器件定义，功率器件龙头企业，最新功率器件，分立器件与功率器件，功率器件测试，功率半导体器件基础。
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通过上述的分析对比，英飞凌隔离型驱动在芯片技术、工作电压、输出电流、副边电源电压、工作结温、传输延时、共模瞬变抗扰度、可靠性、功能性等方面，相对光耦都有...
控制外延层的掺杂类型和浓度对 SiC 功率器件的性能至关重要，它直接决定了后续器件的比导通电阻，阻断电压等重要的电学参数。
铁路、汽车、基础设施、家电等电力电子一直在与我们息息相关的生活中支持着我们。为节省能源和降低含碳量（实现脱碳），需要高度高效的电力电子技术。IGBT、S...
开关电源内部主要损耗要提高开关电源的效率，就必须分辨和粗略估算各种损耗。开关电源内部的损耗大致可分为四个方面：开关损耗、导通损耗、附加损耗和电阻损耗。这...
如今，以GaN和SiC为代表的第三代半导体技术风头正劲。与传统的半导体材料相比，GaN和SiC禁带宽度大、击穿电场强度高、电子迁移率高、热导电率大、介电...
通过采用电子马达驱动器或“电压源逆变器”可实现对电机的增强型控制，此类驱动器通常会产生可变频率和幅值的三相交流电来控制马达的速度、扭矩和方向。驱动器采用...
SiC如何实现比硅更好的热管理？SiC在电子领域有哪些应用？
碳化硅（SiC）是由硅（Si）和碳（C）组成的半导体化合物，属于宽带隙（WBG）系列材料。它的物理键非常牢固，使半导体具有很高的机械，化学和热稳定性。宽...
寻找硅替代物的研究始于上个世纪的最后二十年，当时研究人员和大学已经对几种宽带隙材料进行了试验，这些材料显示出替代射频，发光，传感器和功率半导体的现有硅材...
基于GaN的功率晶体管和集成电路的早期成功最初源于GaN与硅相比的速度优势。GaN-on-Si晶体管的开关速度比MOSFET快10倍，比IGBT快100倍。
功率器件在工业和汽车系统的设计中起着决定性的作用。为了满足这些应用的特定要求并缩短上市时间，ROHM使用专有的微制造工艺来开发无核片上变压器，以实现稳健...
由于TOPSwitch-GX的高度集成，芯片中解决了许多电源设计问题。剩下很少的问题需要外部解决，从而为所有应用提供了一种通用的电路配置。
功率转换器中越来越多地使用碳化硅（SiC）晶体管，这对尺寸，重量和/或效率提出了很高的要求。与双极IGBT器件相反，SiC出色的材料性能使它可以设计快速...
作者：Alex Lidow，Michael de Rooij，Andreas Reiter 氮化镓（GaN）功率器件已投入生产10多年，除了性能和成本方...
RX62T 组中的 32 位微型计算机具有增强的电机控制功能，可简化无传感器矢量控制应用。
随着技术不断进步，所有电子系统中包含的功能内容数量不断增多，可用空间却在不断减少。手机有触摸屏、手电筒、省电模式和精巧的摄像头。以前汽车仪表盘上只有基本...
I D I_DID 为漏极电流的有效值，由于输出波形是正弦波，所以漏极电流的峰值为漏极电流有效值的 2 sqrt{2}2 倍。
【泰克电源设计与测试】致工程师系列之五：优化宽禁带材料器件的半桥和门驱动器设计
半桥电路（图1）广泛用于功率电子领域的多种应用，是现代设计中有效转换电能使用的基本电路。但是，只有在半桥、门驱动器和布线正确且优化设计时，这种电路的优势...
多年来，工程师和研究人员一直致力于寻找提高功率密度的方法。这是一项艰巨的任务。大多数公司将研究重点集中在减小用于能量转换的无源组件的尺寸上。
给大家分享一个超实用的电子元器件选型教程，主要介绍之电子元器件选型参数与电子元器件选型原则。
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