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标签 > 功率器件
功率器件,就是输出功率比较大的电子元器件,像大音响系统中的输出级功放中的电子元件都属于功率器件,还有电磁炉中的IGBT也是。本章详细介绍了:功率器件定义,功率器件龙头企业,最新功率器件,分立器件与功率器件,功率器件测试,功率半导体器件基础。
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1. 器件结构和特征 SiC能够以高频器件结构的SBD(肖特基势垒二极管)结构得到600V以上的高耐压二极管(Si的SBD最高耐压为200V左右)。 因...
SiC(碳化硅)是一种由Si(硅)和C(碳)构成的化合物半导体材料。 不仅绝缘击穿场强是Si的10倍,带隙是Si的3倍,而且在器件制作时可以在较宽范围内...
在氮化镓快充市场不断拓展的过程中,电源技术水平也在不断提升,起初的氮化镓快充电源一般需要采用控制器+驱动+氮化镓功率器件组合设计,不仅电路布局较为复杂,...
功率器件是电子装置中电能转换与电路控制的核心,主要包含二极管、晶闸管、MOSFET和IGBT等; 其中低频的二极管、晶闸管主要用于整流,比如晶闸管主要用...
随着小信号器件概念的出现,半导体分立器件按照功率、电流指标又划分出了小信号器件及功率器件两大类:世界半导体贸易统计协会(WSTS)也将小信号器件定义为耗...
碳化硅,是一种无机物,化学式为SiC,碳化硅(SiC)由碳(C)原子和硅(Si)原子组成,密度是3.2g/cm3,天然碳化硅非常罕见,主要通过人工合...
硅基氮化镓作为第三代化合物半导体材料,主要应用于功率器件,凭借更小体积、更高效率对传统硅材料进行替代。预计中短期内硅基氮 化镓将在手机快充充电器...
氮化镓(GaN)是一种宽带隙半导体材料,上世纪90年代就已经有了氮化镓的应用,这些年来氮化镓已经成为了全球半导体研究的热点,被誉为第三代半导体,其具有更...
碳化硅作为宽禁带化合物半导体材料,具有比传统硅材料更加优异的性能,尤其是用于功率转换和控制的功率器件。与传统硅器件相比,碳化硅具有禁带宽度宽、耐高温、耐...
碳化硅二极管的优势 1.宽禁带提高了工作温度和可靠性 宽禁带材料可提高器件的工作温度,6H-SiC和4H-SiC禁带宽度分别高...
硅早已是大多数电子应用中的关键半导体材料,但与SiC相比,则显得效率低下。SiC现在已开始被多种应用采纳,特别是电动汽车,以应对开发高效率和高功率器件所...
由于衬底和外延和芯片的技术发展相关性不是特别大,所以我单独把这两个流程拿出来和大家分享,接下来的芯片技术发展比如MOSFET的平面结构或者沟槽结构都是直...
碳化硅作为一种宽禁带材料,具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高热导率等优点,可以实现高压、大功率、高频、高温应用的新型功率半导体器件。该文对碳化硅功率...
二十多年来,碳化硅(Silicon Carbide,SiC)作为一种宽禁带功率器件,受到人们越来越多的关注。
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