C3M0060065J碳化硅MOSFET业界最低的通态电阻和开关损耗，可实现最高效率和功率密度，通过推出第三代 650 V MOSFET 扩展了其碳化硅 (SiC) 技术的领先地位；启用更小；打火机; 在更广泛的电力系统中实现高效的电源转换。650 V MOSFET 产品系列非常适合包括高性能工业电源在内的应用；服务器/电信电源；电动汽车充电系统；储能系统；不间断电源；和电池管理系统。
好处
• 更高的系统效率
• 降低冷却要求
• 提高功率密度
• 提高系统开关频率
• 易于并联且易于驱动
• 启用新的硬开关 PFC 拓扑（图腾柱）
特征
• 第三代 SiC MOSFET 技术
• 带驱动源引脚的低电感封装
• 漏极和源极之间的爬电距离为 7mm
• 高阻断电压和低导通电阻
• 低电容的高速开关
• 具有低反向恢复 (Qrr) 的快速本征二极管
• 无卤素，符合 RoHS 标准
应用
• 电动汽车充电
• 服务器电源
• 太阳能光伏逆变器
• UPS
• DC/DC 转换器
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