--- 产品参数 ---
- 漏源电压 650V
- 栅极 - 源极电压 -8/+19V
- 脉冲漏极电流 51A
- 功耗 86W
- 工作结温和存储温度 -40 to +175˚C
- 焊接温度 260˚C
--- 产品详情 ---
C3M0120065K碳化硅MOSFET业界最低的通态电阻和开关损耗,可实现最高效率和功率密度
Wolfspeed 通过推出第三代 650 V MOSFET 扩展了其碳化硅 (SiC) 技术的领先地位;启用更小;打火机; 在更广泛的电力系统中实现高效的电源转换。650 V MOSFET 产品系列非常适合包括高性能工业电源在内的应用;服务器/电信电源;电动汽车充电系统;储能系统;不间断电源;和电池管理系统。
好处
• 降低开关损耗并最大限度地减少栅极振铃
• 更高的系统效率
• 降低冷却要求
• 提高功率密度
• 提高系统开关频率
特征
• C3MTM SiC MOSFET 技术
• 具有独立驱动源引脚的优化封装
• 漏极和源极之间的爬电距离为 8mm
• 高阻断电压和低导通电阻
• 低电容的高速开关
• 具有低反向恢复 (Qrr) 的快速本征二极管
• 无卤素,符合 RoHS 标准
应用
• 太阳能逆变器
• DC/DC 转换器
• 开关模式电源
• 电动汽车电池充电器
• UPS
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