C3M0015065D碳化硅MOSFET

Wolfspeed 碳化硅MOSFET

型号： C3M0015065D

--- 产品参数 ---

漏源电压 650V
栅极 - 源极电压 -8/+19V
脉冲漏极电流，脉冲宽 418A
功耗，TC=25˚C 416W
工作结温和存储温度 40 to +175˚C
焊接温度，距离外壳 260˚C

--- 产品详情 ---

C3M0015065D碳化硅MOSFET业界最低的通态电阻和开关损耗，可实现最高效率和功率密度，通过推出第三代 650 V MOSFET 扩展了其碳化硅 (SiC) 技术的领先地位；启用更小；打火机; 在更广泛的电力系统中实现高效的电源转换。650 V MOSFET 产品系列非常适合包括高性能工业电源在内的应用；服务器/电信电源；电动汽车充电系统；储能系统；不间断电源；和电池管理系统。

好处

更高的系统效率

降低冷却要求

提高功率密度

提高系统开关频率

易于并联且易于驱动

启用新的硬开关 PFC 拓扑（图腾柱）

特征

第三代 SiC MOSFET 技术

高阻断电压和低导通电阻

低电容的高速开关

具有低反向的快速本征二极管

应用

电动汽车充电

太阳能光伏逆变器

UPS

开关电源

DC/DC 转换器

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