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SN74ALVCH162260 具有三态输出的 12 位至 24 位多路复用 D 类锁存器

这个12位至24位多路复用D型锁存器设计用于1.65 V至3.6 V CC 操作。 SN74ALVCH162260用于必须将两个独立数据路径复用到单个数据路径或从单个数据路径解复用的应用中。典型应用包括在微处理器或总线接口应用中复用和/或解复用地址和数据信息。该器件在存储器交错应用中也很有用。三个12位I /O端口（A1-A12,1B1-1B12和2B1-2B12）可用于地址和/或数据传输。输出使能（OE1B \，OE2B \和OEA \）输入控制总线收发器功能。 OE1B \和OE2B \控制信号还允许在A到B方向上进行存储体控制。可以使用内部存储锁存器存储地址和/或数据信息。锁存使能（LE1B，LE2B，LEA1B和LEA2B）输入用于控制数据存储。当锁存使能输入为高电平时，锁存器是透明的。当锁存使能输入变为低电平时，输入端的数据被锁存并保持锁存状态，直到锁存使能输入返回高电平为止。 B输出，设计用于吸收高达12 mA的电流，包括等效的26- 电阻，以减少过冲和下冲。确保上电或掉电期间的高阻态，OE \应通过上拉电阻连接到V CC ;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。提供...

SN74LVTH2245 具有三态输出的 3.3V ABT 八路总线收发器

这些八路总线收发器专为低压（3.3 V）VCC操作而设计，但具有以下功能：为5 V系统环境提供TTL接口。这些设备专为数据总线之间的异步通信而设计。它们将数据从A总线传输到B总线或从B总线传输到A总线，具体取决于方向控制（DIR）输入的逻辑电平。输出使能（OE）\输入可用于禁用器件，以便有效隔离总线。提供有源总线保持电路，以保持有效逻辑电平的未使用或浮动数据输入。建议不要将上拉或下拉电阻与总线保持电路配合使用。 B端口输出，设计用于提供或吸收高达12 mA的电流，包括等效的22- 用于减少过冲和下冲的串联电阻。当VCC介于两者之间时在0和1.5 V时，器件在上电或断电期间处于高阻态。但是，为了确保1.5 V以上的高阻态，OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。这些器件完全适用于使用Ioff和上电3的热插拔应用-州。 Ioff电路禁用输出，防止在断电时损坏通过器件的电流回流。上电和断电期间，上电三态电路将输出置于高阻态，从而防止驱动器冲突。特性支持混合模式信号操作（具有3.3VV...

74ACT16827 具有三态输出的 20 位缓冲器/驱动器

'ACT16827是同相20位缓冲器，由两个10位部分组成，具有独立的输出使能信号。对于10位缓冲区，两个输出使能（1 和1 或2 2 ）输入必须都低于相应的Y输出有效。如果任一输出使能输入为高电平，则该10位缓冲器部分的输出处于高阻态。 74ACT16827采用TI的收缩小外形封装，提供两倍的I /O引脚数量和标准小外形封装在同一印刷电路板区域的功能。 54ACT16827的特点是可在-55°C至125°C的整个军用温度范围内工作。 74ACT16827的工作温度范围为-40°C至85°C。特性德州仪器（TI）WidebusTM系列的成员输入兼容TTL电压< /li> 三态输出直接驱动总线流通式架构优化PCB布局分布式VCC和GND引脚配置最小化高速开关噪声 EPICTM（增强型高性能注入CMOS）1- m Process 500-mA典型锁存器 - 125°C时的抗扰度封装选项包括塑料300密耳热收缩小外形（DL）封装，采用25密耳中心到中心引脚间距和380密耳细间距陶瓷扁平（WD））使用25密耳中心...

SN74ABT16374A 具有三态输出的 16 位边沿 D 类触发器

'ABT16374A是16位边沿触发D型触发器，具有3态输出，专为驱动高电容或相对低阻抗而设计负载。它们特别适用于实现缓冲寄存器，I /O端口，双向总线驱动器和工作寄存器。这些器件可用作两个8位触发器或一个16位触发器。在时钟（CLK）输入的正跳变时，触发器的Q输出采用在数据（D）输入处设置的逻辑电平。缓冲输出使能（OE \）输入可用于将8个输出置于正常逻辑状态（高或低逻辑电平）或高阻态。在高阻抗状态下，输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力，而无需接口或上拉组件。 OE \不会影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时，可以保留旧数据或输入新数据。当VCC介于0和2.1 V之间时，器件在上电或断电期间处于高阻态。但是，为了确保2.1 V以上的高阻态，OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 SN54ABT16374A的特点是可在-55°C至125°C的整个军用温度范围内工作。 SN74ABT16374A的特点是在-40°C至85°C的温度范围内工作。特性 ...

SN74AHCT16374 具有三态输出的 16 位边沿 D 类触发器

'AHCT16374器件是16位边沿触发D型触发器，具有3态输出，专为驱动高电容或相对较低的电容而设计阻抗负载。它们特别适用于实现缓冲寄存器，I /O端口，双向总线驱动器和工作寄存器。这些器件可用作两个8位触发器或一个16位触发器。在时钟（CLK）输入的正跳变时，触发器的Q输出取数据（D）输入的逻辑电平。缓冲输出使能（OE \）输入可用于将8个输出置于正常逻辑状态（高或低逻辑电平）或高阻态。在高阻抗状态下，输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力，而无需接口或上拉组件。为了确保上电或断电期间的高阻态，OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 OE \不会影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时，可以保留旧数据或输入新数据。 SN54AHCT16374的特点是可在-55°C至125°C的整个军用温度范围内工作。 SN74AHCT16374的工作温度范围为-40°C至85°C。特性德州仪器WidebusTM家庭成员 EPICTM（...

SN74ALVCH16373 具有三态输出的 16 位透明 D 类锁存器

这个16位透明D型锁存器设计用于1.65 V至3.6 VVCC操作。 SN74ALVCH16373特别适用于实现缓冲寄存器，I /O端口，双向总线驱动器和工作寄存器。该器件可用作两个8位锁存器或一个16位锁存器。当锁存使能（LE）输入为高电平时，Q输出跟随数据（D）输入。当LE变为低电平时，Q输出锁存在D输入设置的电平。缓冲输出使能（OE）输入可用于将8个输出置于正常状态逻辑状态（高或低逻辑电平）或高阻态。在高阻抗状态下，输出既不会加载也不会显着驱动总线。高阻抗状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力，而无需接口或上拉组件。 OE \不会影响锁存器的内部操作。当输出处于高阻态时，可以保留旧数据或输入新数据。为确保上电或断电期间的高阻态，OE \应连接到VCC通过上拉电阻;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。有源总线保持电路将未使用或未驱动的输入保持在有效的逻辑状态。不建议在上拉电路中使用上拉或下拉电阻。特性德州仪器广播公司的成员？系列工作电压范围为1.65 V至3.6 V 最大tpd3.6 ns，3.3 V ...

CD74ACT14 六路施密特触发反向器

CD74ACT14包含六个独立的逆变器。该器件执行布尔函数Y = A \。每个电路都作为独立的反相器工作，但由于施密特的作用，反相器的正向输入阈值电平不同（VT +）和负向（VT ??）信号。特性输入兼容TTL电压双极F，AS和S的速度，显着降低功耗< /li> 比标准逆变器具有更高的抗噪能力比标准输入上升和下降摆率低得多的操作 ±24-mA输出驱动电流扇出至15 F器件 SCR防闩锁CMOS工艺和电路设计超过MIL-STD-883的2 kV ESD保护，方法3015 参数与其它产品相比反向缓冲器/驱动器 Technology Family VCC (Min) (V) VCC (Max) (V) Bits (#) Voltage (Nom) (V) F @ Nom Voltage (Max) (Mhz)...

SN74ABTH162260 具有串联阻尼电阻和三态输出的 12 位到 24 位多路复用 D 类锁存器

'ABTH162260是12位至24位多路复用D型锁存器，用于两个独立数据路径必须复用或复用的应用中。，单一数据路径。典型应用包括在微处理器或总线接口应用中复用和/或解复用地址和数据信息。这些器件在存储器交错应用中也很有用。三个12位I /O端口（A1-A12,1B1-1B12和2B1-2B12）可用于地址和/或数据传输。输出使能（OE1B \，OE2B \和OEA \）输入控制总线收发器功能。 OE1B \和OE2B \控制信号还允许A-to-B方向的存储体控制。可以使用内部存储锁存器存储地址和/或数据信息。锁存使能（LE1B，LE2B，LEA1B和LEA2B）输入用于控制数据存储。当锁存使能输入为高电平时，锁存器是透明的。当锁存使能输入变为低电平时，输入端的数据被锁存并保持锁存状态，直到锁存使能输入返回高电平为止。 B端口输出设计为吸收高达12 mA的电流，包括等效的25系列电阻，以减少过冲和下冲。提供有源总线保持电路，用于保持有效逻辑电平的未使用或浮动数据输入。当VCC介于0和2.1 V之间时，器件在上电或断电期间处于高阻态。但是，为了确保2.1 V以上的高阻态，OE \应通过...

SN74ABT162841 具有三态输出的 20 位总线接口 D 类锁存器

这些20位透明D型锁存器具有同相三态输出，专为驱动高电容或相对低阻抗负载而设计。它们特别适用于实现缓冲寄存器，I /O端口，双向总线驱动器和工作寄存器。 ?? ABT162841器件可用作两个10位锁存器或一个20位锁存器。锁存使能（1LE或2LE）输入为高电平时，相应的10位锁存器的Q输出跟随数据（D）输入。当LE变为低电平时，Q输出锁存在D输入设置的电平。缓冲输出使能（10E或2OE）输入可用于放置输出。相应的10位锁存器处于正常逻辑状态（高或低逻辑电平）或高阻态。在高阻抗状态下，输出既不会加载也不会显着驱动总线。输出设计为吸收高达12 mA的电流，包括等效的25- 用于减少过冲和下冲的串联电阻。这些器件完全适用于使用I的热插入应用关闭并启动3状态。 Ioff电路禁用输出，防止在断电时损坏通过器件的电流回流。上电和断电期间，上电三态电路将输出置于高阻态，从而防止驱动器冲突。为确保上电或断电期间的高阻态， OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 OE \不影响锁存器的内部操作。当输出处于高阻态时，可以保留旧数据...

CD74FCT244 具有三态输出的 BiCMOS FCT 接口逻辑八路同向缓冲器/线路驱动器

CD74FCT244和CD74FCT244AT是具有三态输出的八进制缓冲器/线路驱动器，采用小型几何BiCMOS技术。输出级是双极和CMOS晶体管的组合，将输出高电平限制为低于VCC的两个二极管压降。这导致输出摆幅降低（0 V至3.7 V），降低了电源总线振铃[电磁干扰（EMI）的来源]，并最大限度地降低了VCC反弹和接地反弹及其在同步输出期间的影响交换。输出配置还可提高开关速度，并能够吸收64 mA电流。这些器件组织为两个4位缓冲器/线路驱动器，具有独立的低电平有效输出使能（OE \）输入。当OE \为低电平时，器件将数据从A输入传递到Y输出。当OE \为高电平时，输出处于高阻态。为了确保上电或断电期间的高阻态，OE \应连接到VCC通过上拉电阻;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。特性具有低静态功耗的BiCMOS技术缓冲输入非反相输出 < li>输入/输出隔离从V CC 受控输出边沿速率 64-mA输出灌电流输出电压摆幅限于3.7 V SCR抗闩锁BiCMOS工艺和电路设计...

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