2N7002 N沟道增强模型场效应晶体管

该N沟道增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度DMOS技术生产。这款产品旨在最大限度地降低导通阻抗，同时提供稳固，可靠，快速的开关性能。在大部分需要高达400mA直流电流的应用，并且能够提供高达2A的脉冲电流。这款产品特别适合低压，低电流应用（如小型伺服电机控制，功率MOSFET栅极驱动器）以及其他开关应用中。 / div>

特性
高密度单元设计可实现极低的R _DS（ON）。
电压控制的小型信号开关。
坚固而可靠。
高饱和电流能力。

应用
本产品是一般用途，适用于许多不同的产品租用应用。小型伺服电机控制功率MOSFET栅极驱动器

电路图、引脚图和封装图

技术文档

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Datasheet：N沟道增强模式场效应晶体管

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MOSFETs

型号：2N7002 封装：SOT-23

品牌：LGE 描述：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.5Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA

金额：￥0.06311
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型号：2N7002 封装：SOT-23

品牌：JXND 描述：MOSFETs N-沟道 60V 115mA SOT-23

金额：￥0.04160
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型号：2N7002 封装：SOT-23

品牌：ElecSuper 描述：带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

金额：￥0.04160
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型号：2N7002 封装：SOT-23

品牌：TWGMC 描述：MOSFETs N-沟道 60V 115mA SOT-23

金额：￥0.04693
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