晶体管半导体直流参数测试系统

LADCT2000 高精度半导体直流参数测试系统 是由西安莱安科技-技术团队结合半导体功率器件测试的多 年经验，以及众多国内外测试系统产品的熟悉了解后，完全自主开发设计的全新一代“ 晶体管高精度直流参数测试系统”。软件及硬件均由团队自主完成。这就决定了这款产品的功能性和可靠性能够得到持续完善和不断的提升，核心技术可控，设备可靠性值得广泛客户信赖。

脉冲信号源输出方面，高压源配置2000V，2500V,高流源标配100A, 200A，300A,500A,1200A,栅极电压 40V， 栅极电流
100mA，分辨率最高至 1.5uV / 1.5pA，精度最高可至 0.1%。 程控软件基于 Lab VIEW 平台编写，填充式菜单界面。采用带有开尔文感应结构的测试插座， 自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降，保证测试结果准确可靠。产品可测试 Si, SiC, GaN 材料的 IGBTs, DIODEs, MOSFETs, BJTs, SCRs 等 7 大类 26 分类的电子元器件。涵盖电子产品中几乎所有的常见器件。无论电压电流源还是功能配置都有着极强的扩展性。能够解决以下这些器件测试的难点和问题，使得半导体测试系统实现了真正的国产替代。

测试种类范围

具备IV曲线扫描功能（选配）

型号:LADCT2000 主机尺寸: 深 660*宽 430*高 210(mm)

主机重量: ＜35kg

主机功耗: ＜300W
海拔高度: 海拔不超过 4000m；
环境要求: -20℃~60℃（储存） 、5℃~50℃（工作）；
相对湿度: 20%RH～75%RH (无凝露，湿球温度计温度 45℃以下)；大气压力: 86Kpa～106Kpa；
防护条件: 无较大灰尘，腐蚀或爆炸性气体，导电粉尘等；电网要求: AC220V、 ±10%、50Hz±1Hz；

扫描曲线参数如下，完美解决了国产测试机IV曲线测试功能的短板，使测试更加便捷准确。

二极管：
IF vs.VF
IR vs.VR
三极管：
IC_VS_VCE
HFE_VS_IC
BVCE_VS_IC
BVEBO_VS_IE

ICBO_VS_VCBO

ICEO_VS_VCE

IEBO_VS_VEB

VCE_(SAT)_VS_IB

VBE_(SAT)_VS_IC

VBE_(ON)_VS_IC

MOS管：
ID_VS_VDS
ID_VS_VGS
IS_VS_VSD
RDS_VS_VGS
RDS_VS_ID
IDSS_VS_VDS
BVDS_VS_IDS
IGBT：
IC_VS_VCE
IC_VS_VGE
ICES_VS_VCE
IF_VS_VF
VSAT_VS_VGE
BVCE_VS_IC

(5) 参数指标

1. 电流/电压源 VIS 自带 VI测量单元

1). 加压(FV)

量程 分辨率 精度
±40V 625uV ±0.1% 设定值±3mV
±20V 320uV ±0.1% 设定值±3mV
±10V 160uV ±0.1% 设定值±3mV
±5V 80uV ±0.1% 设定值±2mV
±2V 32uV ±0.1% 设定值±2mV
2).加流(FI):

量程 分辨率 精度
±200A 31.25mA ±0.5% 设定值±250mA
±100A 15.625mA±0.5% 设定值±125mA
±40A 625uA ±0.5% 设定值±30mA
±4A 62.5uA ±0.2% 设定值±2mA
±400mA 6.25uA ±0.1% 设定值±500uA
±40mA 625nA ±0.1% 设定值±50uA
±4mA 62.5nA ±0.1% 设定值±5uA
±400uA 6.25nA ±0.1% 设定值±500nA
±40uA 625pA ±0.1% 设定值±50nA
说明：电流大于 1.5A 自动转为脉冲方式输出，脉宽范围 300us-1000us 可调
3). 电流测量(MI)

量程 分辨率 精度
±200A 7.8mA ± 1% 读数值±250mA
±100A 3.9mA ±0.5% 读数值±125mA
±40A 1.22mA ±1% 读数值±20mA
±4A 122uA ±0.5% 读数值±2mA
±400mA 12.2uA ±0.5% 读数值±200uA
±40mA 1.22uA ±0.5% 读数值±20uA
±4mA 122nA ±0.5% 读数值±2uA
±400uA 12.2nA ±0.5% 读数值±200nA
±40uA 1.22nA ±1% 读数值±20nA

4). 电压测量

量程 分辨率 精度
±2000V 30.5mV ±0.5% 读数值±200mV
±1000V 15.3mV ±0.2% 读数值±20mV
±40V 1.22mV ±1% 读数值±20mV
±20V 122uV ±0.5% 读数值±2mV
±10V 12.2uV ±0.5% 读数值±200uV
±5V 1.22uV ±0.5% 读数值±20uV

2. 数据采集部分 VM

16 位 ADC，1M/S 采样速率
1). 电压测量w

量程 分辨率 精度
±2000V 30.5mV ±0.5% 读数值±200mV
±1000V 15.3mV ±0.2% 读数值±20mV
±100V 1.53mV ±0.1% 读数值±10mV
±10V 153uV ±0.1% 读数值±5mV
±1V 15.3uV ±0.1% 读数值±2mV
±0.1V 1.53uV ±0.2% 读数值±2mV
2). 漏电流测量MI)

量程 分辨率 精度
±100mA 1.53uA ±0.2% 读数值±100uA
±10mA 153nA ±0.1% 读数值±3uA
±1mA 15.3nA ±0.1% 读数值±300nA
±100uA 1.53nA ±0.1% 读数值±100nA
±10uA 153pA ±0.1% 读数值±20nA
±1uA 15.3pA ±0.5% 读数值±5nA
±100nA 1.53pA ±0.5% 读数值±0.5nA
3). 电容容量测量(MC)

量程 分辨率 精度
6nF 10PF ±5% 读数值±50PF
60nF 100PF ±5% 读数值±100PF

3. 高压源 HVS(基本)16位 DAC

1).加压(FV)

量程 分辨率 精度
2000V/10mA 30.5mV ±0.5% 设定值±500mV
200V/10mA 30.5mV ±0.2% 设定值±50mV
40V/50mA 30.5mV ±0.1% 设定值±5mV

2).加流(FI):

量程 分辨率 精度
10mA 3.81uA ±0.5% 设定值±10uA
2mA 381nA ±0.5% 设定值±2uA
200uA 38.1nA ±0.5% 设定值±200nA
20uA 3.81nA ±0.5% 设定值±20nA
2uA 381pA ±0.5% 设定值±2nA

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审核编辑 黄宇