ADG719 CMOS 1.8 V至5.5 V、2.5Ω 2:1多路复用/单刀双掷开关，采用SOT-23封装

优势和特点

• 单电源：1.8 V 至5.5 V
• 导通电阻：4 Ω （最大值）
• 导通电阻平坦度：0.75 Ω（典型值）
• -3 dB带宽大于200 MHz
• 轨到轨工作
• 6引脚SOT-23 封装和8引脚 MSOP 封装
• 快速开关时间
  接通时间t_ON：12 ns
  断开时间t_OFF：6 ns
• 典型功耗：<0.01 µW
• TTL/CMOS兼容型

• 下载ADG719-EP数据手册 (pdf)
• 军用温度范围：-55°C至+125°C
• 受控制造基线
• 增强型产品变更通知
• 认证数据可应要求提供
• V62/12650 DSCC图纸号

产品详情

ADG719是一款单芯片CMOS单刀双掷（SPDT）开关。采用亚微米工艺设计，具有低功耗、高开关速度、低导通电阻和低泄漏电流特性。

该开关可以采用1.8 V至5.5 V单电源供电，非常适合用在电池供电仪表中，以及配合ADI的新一代DAC和ADC使用。

接通时，ADG719的各开关在两个方向的导电性能相同。ADG719为先开后合式开关。

由于采用了先进的亚微米工艺，−3 dB带宽可以达到200 MHz以上。

ADG719提供6引脚SOT-23和8引脚MSOP两种封装。

ADG719-EP支持防务和航空航天应用。

1. 1.8 V至5.5 V单电源供电。ADG719具有高性能、低导通电阻和快速开关时间，在3 V和5 V供电时保证额定性能。
2. 极低导通电阻R_ON(5 V时最大值为4 Ω，3 V时最大值为10 Ω）。电源电压为1.8 V时，整个温度范围内 R_ON典型值为40 Ω。
3. 汽车应用温度范围：−40°C至+125°C。
4. 导通电阻平坦度(R_FLAT(ON))：0.75 Ω（典型值）。
5. −3 dB 带宽:大于 200 MHz.
6. 低功耗，CMOS结构可确保功耗较低。
7. 快速接通时间t_ON/断开时间t_OFF。
8. 小型、6引脚SOT-23和8引脚MSOP封装。

应用

• 电池供电系统
• 通信系统
• 采样保持系统
• 音频信号路由
• 视频开关
• 机械式舌簧继电器的替代产品

方框图