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TLC27L1运算放大器结合了多种输入失调电压等级,具有低失调电压漂移和高输入阻抗。此外,TLC27L1是TLC271可编程放大器的低偏置版本。这些器件使用德州仪器公司的硅栅LinCMOS ??该技术提供的偏移电压稳定性远远超过传统金属栅极工艺的稳定性。
有三种偏置电压等级可供选择(C后缀和I后缀类型),范围从低 - 成本为TLC27L1(10 mV)至TLC27L1B(2 mV)低偏移版本。极高的输入阻抗和低偏置电流,以及良好的共模抑制和电源电压抑制,使这些器件成为新的最先进设计以及升级现有设计的理想选择。
一般来说,LinCMOS中有许多与双极技术相关的功能?运算放大器,没有双极技术的功率损失。 TLC27L1可以轻松设计一般应用,如换能器接口,模拟计算,放大器模块,有源滤波器和信号缓冲。这些器件还具有低电压单电源供电,非常适合远程和难以接近的电池供电应用。共模输入电压范围包括负电压轨。
器件输入和输出设计用于承受-100 mA浪涌电流而不会出现闩锁现象。
TLC27L1内置静电放电(ESD)保护电路,可防止电压高达2000 V时的功能故障,如MIL-STD-883C,方法3015.2所测试;但是,在处理这些器件时应小心,因为暴露于ESD可能会导致器件参数性能下降。
C-suffix器件的特点是工作温度范围为0°C至70°C。 I后缀器件的特点是在-40°C至85°C的温度范围内工作。 M-suffix器件的特点是在-55°C至125°C的整个军用温度范围内工作。
Hz通常在f = 1 kHz
Typ LinCMOS是德州仪器。
| Number of Channels (#) |
| Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) |
| Total Supply Voltage (Max) (+5V=5, +/-5V=10) |
| GBW (Typ) (MHz) |
| Slew Rate (Typ) (V/us) |
| Rail-to-Rail |
| Vos (Offset Voltage @ 25C) (Max) (mV) |
| Iq per channel (Typ) (mA) |
| Vn at 1kHz (Typ) (nV/rtHz) |
| Rating |
| Operating Temperature Range (C) |
| Package Group |
| Package Size: mm2:W x L (PKG) |
| Offset Drift (Typ) (uV/C) |
| Features |
| Input Bias Current (Max) (pA) |
| CMRR (Typ) (dB) |
| Output Current (Typ) (mA) |
| Architecture |
| TLC27L1A |
|---|
| 1 |
| 3 |
| 16 |
| 0.085 |
| 0.03 |
| In to V- |
| 5 |
| 0.01 |
| 68 |
| Catalog |
| -40 to 85 0 to 70 |
| PDIP SOIC |
| See datasheet (PDIP) 8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC) |
| 1.1 |
| N/A |
| 60 |
| 94 |
| 1 |
| CMOS |