TLV2341 LinCMOS 可编程低电压运算放大器

描述

TLV2341运算放大器专为低压，单电源应用而开发，完全可在2 V至8的电压范围内工作V.该器件采用德州仪器（TI）硅栅极LinCMOS ^TM技术，可实现低功耗，低电压工作和出色的失调电压稳定性。 LinCMOS ^TM技术还可实现极高的输入阻抗和低偏置电流，从而实现与高阻抗源的直接接口。

TLV2341提供偏置选择功能，允许器件通过各种不同的电源电流进行编程，从而实现不同的交流电平。电源电流可设置为17 uA，250 uA或1.5 mA，从而使压摆率规格介于0.02和2.1 V /us（3 V）之间。

TLV2341运算放大器特别适用于单电源应用，具有3 V和5 V电源的完全规格和特性。这种低电压单电源操作与低功耗相结合，使该器件成为远程，难以接近或便携式电池供电应用的理想选择。共模输入范围包括负轨。

器件输入和输出设计用于承受-100 mA电流而不会出现闩锁现象。 TLV2341采用内部ESD保护电路，可在高达2000 V的电压下防止功能故障，符合MIL-STD 883 C，方法3015.2;但是，在处理这些器件时应小心，因为暴露于ESD可能会导致器件参数性能下降。

D包可用胶带和卷轴。将R后缀添加到器件类型（例如，TLV2341IDR）。

PW封装仅可用于左端录音和卷绕（例如，TLV2341IPWLE）。 < /p>


Number of Channels (#)
Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10)
Total Supply Voltage (Max) (+5V=5, +/-5V=10)
GBW (Typ) (MHz)
Slew Rate (Typ) (V/us)
Rail-to-Rail
Vos (Offset Voltage @ 25C) (Max) (mV)
Iq per channel (Typ) (mA)
Vn at 1kHz (Typ) (nV/rtHz)
Rating
Operating Temperature Range (C)
Package Group
Package Size: mm2:W x L (PKG)
Offset Drift (Typ) (uV/C)
Features
Input Bias Current (Max) (pA)
CMRR (Typ) (dB)
Output Current (Typ) (mA)
Architecture

TLV2341	TLV2342	TLV2344
1	2	4
2	2	2
8	8	8
0.32	0.32	0.32
3.6	3.6	3.6
In to V- Out	In to V- Out	In to V- Out
8	9	10
0.675	0.7	0.675
25	25	25
Catalog	Catalog	Catalog
-40 to 85	-40 to 85	-40 to 85
SOIC	PDIP SOIC TSSOP	PDIP
8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC)	See datasheet (PDIP) 8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC) 8TSSOP: 19 mm2: 6.4 x 3(TSSOP)	See datasheet (PDIP)
2.7	2.7	2.7
N/A	N/A	N/A
200	200	200
80	80	80
9	9	9
CMOS	CMOS	CMOS

数据手册（1）

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