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LPC662 CMOS双运算放大器非常适合单电源供电。它具有+ 5V至+ 15V的宽范围工作电压，轨到轨输出摆幅以及包括接地的输入共模范围。过去困扰CMOS放大器的性能限制不是这种设计的问题。输入V OS ，漂移和宽带噪声以及电压增益（进入100 k 和5 k
）都等于或优于广泛接受的双极等效物，而功率供电要求通常小于0.5 mW。
该芯片采用美国国家半导体先进的双多晶硅栅极CMOS工艺制造。
请参阅LPC660数据表，了解四路CMOS运算放大器和LPC661用于具有相同功能的单个CMOS运算放大器。
| 轨到轨输出摆幅< /p> | |
| 微功率运行（<0.5 mW） < /td> | |
| 指定为100 k | |
| 高压增益 | 120 dB |
| 低输入失调电压 | 3 mV |
| 低偏移电压漂移 | 1.3μV/°C |
| 超低输入偏置电流 < /td> | 2 fA |
| 输入共模包括GND | |
| 工作范围从+ 5V到+ 15V | |
| < p>低失真 | 0.01％，1 kHz |
| 压摆率 | 0.11 V /μs |
| 可用的全军用温度范围 |
| Number of Channels (#) |
| Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) |
| Total Supply Voltage (Max) (+5V=5, +/-5V=10) |
| GBW (Typ) (MHz) |
| Slew Rate (Typ) (V/us) |
| Rail-to-Rail |
| Vos (Offset Voltage @ 25C) (Max) (mV) |
| Iq per channel (Typ) (mA) |
| Vn at 1kHz (Typ) (nV/rtHz) |
| Rating |
| Operating Temperature Range (C) |
| Package Group |
| Package Size: mm2:W x L (PKG) |
| Offset Drift (Typ) (uV/C) |
| Features |
| Input Bias Current (Max) (pA) |
| CMRR (Typ) (dB) |
| Output Current (Typ) (mA) |
| Architecture |
| LPC662 |
|---|
| 2 |
| 5 |
| 15 |
| 0.35 |
| 0.11 |
| In to V- Out |
| 3 |
| 0.043 |
| 42 |
| Catalog |
| -40 to 85 |
| SOIC |
| 8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC) |
| 1.3 |
| N/A |
| 4 |
| 83 |
| 21 |
| CMOS |
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