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这款54mΩ,60V N通道FemtoFET™MOSFET技术经过了设计和优化,能够最大限度减小许多空间受限类工业负载开关应用的封装尺寸。这项技术能够在替代标准小信号MOSFET的同时大幅减小封装尺寸。
所有商标均为其各自所有者的财产。
| VDS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms) |
| IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| Package (mm) |
| VGS (V) |
| VGSTH Typ (V) |
| Logic Level |
| CSD18541F5 |
|---|
| 60 |
| Single |
| 75 |
| 65 |
| 21 |
| 11 |
| 1.6 |
| LGA 1.5 x 0.8mm |
| 20 |
| 1.75 |
| Yes |