完善资料让更多小伙伴认识你，还能领取20积分哦，立即完善>
数据： CSD18504Q5A 40V N 通道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表 (Rev. E)
这款5.3mΩ，SON 5×6mm，40V NexFET功率MOSFET被设计成功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
| VDS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms) |
| IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| Package (mm) |
| VGS (V) |
| VGSTH Typ (V) |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC (A) |
| ID, package limited (A) |
| Logic Level |
| CSD18504Q5A |
|---|
| 40 |
| Single |
| 9.8 |
| 6.6 |
| 275 |
| 16 |
| 2.4 |
| SON5x6 |
| 20 |
| 1.8 |
| 75 |
| 50 |
| Yes |
型号：CSD18504Q5A 封装：VSONP8_4.9X5.75MM
品牌：TI 描述：MOSFETs N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=75A RDS(ON)=6.6mΩ@10V VSONP8
金额：￥6.00001
去购买关注我们的微信
下载发烧友APP
电子发烧友观察
版权所有 © 湖南华秋数字科技有限公司
长沙市望城经济技术开发区航空路6号手机智能终端产业园2号厂房3层（0731-88081133）
电子发烧友 （电路图） 湘公网安备43011202000918
工商网监
湘ICP备2023018690号-1
