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CSD16411Q3 N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据:

描述

这款25 V,8 mm,3.3 mm×3.3 mm SON NexFET™功率MOSFET旨在最大限度地降低功率转换应用中的损耗。

特性

  • 超低Q g 和Q gd
  • 低热阻
  • 雪崩额定
  • 无铅端子电镀
  • 符合RoHS标准
  • 无卤素
  • SON 3.3毫米×3.3毫米塑料封装
  • 应用
    • 适用于网络,电信和计算系统的负载点同步降压转换器
    • 优化适用于控制FET应用

所有其他商标均为其各自所有者的财产

参数 与其它产品相比 N 通道 MOSFET 晶体管

 
VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
ID, package limited (A)
Logic Level
CSD16411Q3
25    
Single    
15    
10    
138    
2.9    
0.7    
SON3x3    
16    
2    
56    
60    
Yes    

方框图 (1)

技术文档

数据手册(1)
元器件购买 CSD16411Q3 相关库存