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这款25 V,8 mm,3.3 mm×3.3 mm SON NexFET™功率MOSFET旨在最大限度地降低功率转换应用中的损耗。
所有其他商标均为其各自所有者的财产
| VDS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms) |
| IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| Package (mm) |
| VGS (V) |
| VGSTH Typ (V) |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC (A) |
| ID, package limited (A) |
| Logic Level |
| CSD16411Q3 |
|---|
| 25 |
| Single |
| 15 |
| 10 |
| 138 |
| 2.9 |
| 0.7 |
| SON3x3 |
| 16 |
| 2 |
| 56 |
| 60 |
| Yes |