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UCD7232高电流驱动器专为数字控制,负载点,同步降压型开关电源而特别设计。两个驱动器电路可在同步降压电路中国高侧NMOS开关和低侧NMOS同步整流器提供高充电及放电电流.MOSFET栅极由一个内部稳压V GG 电源驱动。禁用内部V GG 稳压器可允许用户提供其特有的栅极驱动电压。这种高灵活性支持2.2 V至15 V的宽泛功率转换输入电压。内部欠压闭锁(UVLO)逻辑可在允许芯片工作之前确保V < sub> GG 为良好。
驱动器逻辑模块可支持两种操作模式(由SRE模式引脚负责选择)中的一个。在同步模式下,该逻辑模块可使用PWM信号来控制高侧与低侧栅极驱动器信号。死区时间可自动调节以防止发生交叉传导。同步整流器使能(SRE)引脚用于控制在PWM信号为低电平时时是否接通低侧FET 。在独立模式中,PWM和SRE引脚可直接控制高侧及低侧栅极。在该模式中未使用抗交叉传导逻辑电路。
板载比较器负责监视高侧开关两端的电压及一个外部电流感测元件两端的电压,以避免突发的高电流负载损坏功率级。由单个电阻器设定了高侧比较器的消隐延迟,以避免与开关边缘噪声同时发生的误报告。在发生高侧故障或过流故障的情况下,高侧FET关断且故障标记(FLT)被置为有效,以向数字控制器发出提示信号。故障门限由HS感测和ILIM引脚独立设定。
输出电流由一个高精度,高增益的开关电容差分放大器进行测量与监视,该放大器负责处理一个外部电流感测元件两端的电压。经过放大的信号可供I MON < /sub>引脚上的数字控制器使用。电流感测放大器具有0.5V的输出失调,因而可检测正(供应)和负(吸收)电流。
一个片上温度感测监视用于监视芯片温度。如果芯片温度超过大约165°C,则温度传感器将启动热关断,从而暂停输出开关操作并设定FLT标记。当芯片温度下降约20℃时,温度故障将自动清除。
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| Number of Outputs |
| VCC (Min) (V) |
| VCC (Max) (V) |
| Peak Output Current (A) |
| Input Threshold |
| Prop Delay (ns) |
| Driver Configuration |
| Operating Temperature Range (C) |
| Pin/Package |
| UCD7232 |
|---|
| 1 |
| 4.7 |
| 15 |
| 6 |
| CMOS TTL |
| 50 |
| Dual |
| -40 to 125 |
| 20QFN |