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TLE2027包含创新的电路设计专业知识和高质量的过程控制技术,可产生以前单个运算放大器无法提供的交流性能和直流精度。这些器件采用TI最先进的Excalibur工艺制造,可以升级使用低精度器件的系统。
在直流精度领域,TLE2027提供100μV的最大偏移电压,共模抑制比为131 dB(典型值),电源电压抑制比为144 dB(典型值),直流增益为45 V /μV(典型值)。
TLE2027的交流性能突出显示典型的单位增益带宽规格为15 MHz,相位裕度为55°,噪声电压规格为3.3 nV / Hz 分别为10 Hz和1 kHz。
TLE2027提供多种封装,包括符合行业标准的8引脚小外形版本,适用于高密度系统应用。该器件的特点是可在55°C至125°C的整个军用温度范围内工作。
Hz at f = 1 kHz Typ
,
(1)符合JEDEC和行业标准的元件认证,确保在扩展温度范围内可靠运行。这包括但不限于高加速应力测试(HAST)或偏压85/85,温度循环,高压釜或无偏HAST,电迁移,键合金属间寿命和模塑化合物寿命。此类鉴定测试不应被视为超出规定的性能和环境限制使用该组件的合理性。
所有其他商标均为其各自所有者的财产。
| Number of Channels (#) |
| Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) |
| Total Supply Voltage (Max) (+5V=5, +/-5V=10) |
| GBW (Typ) (MHz) |
| Slew Rate (Typ) (V/us) |
| Rail-to-Rail |
| Vos (Offset Voltage @ 25C) (Max) (mV) |
| Iq per channel (Typ) (mA) |
| Rating |
| Operating Temperature Range (C) |
| Package Group |
| Output Current (Typ) (mA) |
| Offset Drift (Typ) (uV/C) |
| Vn at 1kHz (Typ) (nV/rtHz) |
| Architecture |
| IIB (Max) (pA) |
| CMRR (Typ) (dB) |
| Package Size: mm2:W x L (PKG) |
| TLE2027-EP |
|---|
| 1 |
| 8 |
| 38 |
| 13 |
| 2.8 |
| Out |
| 0.1 |
| 3.8 |
| HiRel Enhanced Product |
| -55 to 125 |
| SOIC |
| 35 |
| 0.4 |
| 2.5 |
| Bipolar |
| 90000 |
| 131 |
| 8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC) |