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电子发烧友网>业界新闻>厂商新闻>Intel:22nm普及速度史上第一

Intel:22nm普及速度史上第一

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1064nm TO8、TO31系列,四象限硅光电二极管

、345nm、355nm、365nm、370nm、375nm、385nm、395nm) 金属外壳常采用钢、铜、铝、柯伐合金等材料,表面电镇定厚度的镍层或镍-金层,其良好的封装气密性可以保护芯片不妥外界环境因素的影响。
2023-05-09 17:10:53

505nm、785nm、808nm、940nm激光二极管TO56 封装、 500mW 100mw

1300NM 金属封装工艺是指采用金属外壳作为封装壳体或底座,在其内部安装芯片或基板并进行键合连接,外引线通过金属-玻璃(或陶瓷)组装工艺穿过金属外壳,将内部元件的功能引出、外部电源信号等输人的种电子
2023-05-09 11:23:07

什么是光刻技术

光刻技术简单来讲,就是将掩膜版图形曝光至硅片的过程,是大规模集成电路的基础。目前市场上主流技术是193nm沉浸式光刻技术,CPU所谓30nm工艺或者22nm工艺指的就是采用该技术获得的电路尺寸。
2023-04-25 11:02:322261

瑞萨电子发布首颗22纳米微控制器样片

此次采用全新22nm工艺生产的首颗MCU,扩展了瑞萨广受欢迎的基于32位Arm Cortex-M内核的RA产品家族。该新型无线MCU支持低功耗蓝牙5.3 (BLE),并集成了软件定义无线电(SDR)。
2023-04-14 11:08:23628

金比莱发布支持华为NM卡的新款手机卡槽

NM卡是华为公司开发的一种新型存储卡,采用了比传统Micro-SD卡更小的尺寸,并支持更快的数据传输速度NM卡座通常被集成在华为公司的手机和其他设备中,以提供额外的存储空间。需要注意的是,由于NM卡是一种专有的存储卡,因此只有支持NM卡的设备才能够使用它。
2023-04-14 09:49:25646

瑞萨电子发布首颗22nm微控制器(MCU)样片

瑞萨电子今日宣布推出基于 22nm 制程的首颗微控制器(MCU)。通过采用先进工艺技术,提供卓越性能,并通过降低内核电压来有效降低功耗。先进的工艺技术还提供更丰富的集成度(比如 RF 等),能够在更小的裸片面积上实现相同的功能,从而实现了外设和存储的更高集成度。
2023-04-12 10:07:19454

多晶硅蚀刻工艺讲解

下图显示了Intel的第6代晶体管(6T)SRAM尺寸缩小时间表,以及多晶硅栅刻蚀技术后从90nm22nm技术节点6TSRAM单元的SEM图像俯视视图。可以看出,SRAM的布局从65nm节点已发生
2023-04-03 09:39:402451

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