存储技术
追求存储性能，富士通把它做到了极致！
在新材料创新存储技术的研发和生产上，富士通电子作为领导厂商一直在努力追求最极致的存储性能，从FRAM到ReRAM以及NRAM。请随小编一起回顾，我们在追求极致存储技术的道路上的那些最新极致成就吧！
惊爆，第一块大容量黑科技optane固态硬盘强势来袭
去年 12 月份的时候，英特尔的第一款 Optane 存储正式出现在成品 PC 上，也就是为 2017 年准备的 ThinkPad T 系列，不过遗憾的是最高只有 16GB 或 32GB 可选。今年 2 月初，
三星韩国NAND存储器新厂进度顺利 2017上半年投产
三星电子周二宣布，位在首尔南方的新芯片厂施工进度顺利，将如期于 2017 上半年投产。
英特尔发布首款3D XPoint闪存 点燃SSD市场新战火
英特尔（Intel）终于发表了第一款采用3D XPoint内存的固态硬盘（SSD），这款Optane固态硬盘预期能为此试图在闪存与DRAM之间开创新市场的新一代内存技术，建立虽然小巧但意义重大的滩头堡。
为了延长DRAM存储器寿命 必须短时间内采用3D DRAM
为了要延长DRAM这种内存的寿命，在短时间内必须要采用3D DRAM解决方案。什么是3D超级DRAM （Super-DRAM）？为何我们需要这种技术？以下请见笔者的解释。
2017-03-17 标签：DRAM存储器3D DRAMSuper-DRAM 3918
2017年整体TLC-SSD出货比重将超过75%
TrendForce 存储器储存研究（DR AMeXchange）调查显示，2017 年第一季主流容量 PC -Client OEM SSD 合约均价，MLC-SSD 季涨 12~16%，TLC-SS D 部分则上涨 10~16%。展望第二季，由于终端产品的实际销售情况将约略持平，加上 SSD 价格已上涨到 PC OEM 厂可接受的高点，预估主流容量SSD合约价涨幅将出现收敛 。
2017-03-14 标签：SSD固态硬盘NAND Flash 1661
希捷明年将推出采用HAMR新技术的18TB硬盘
希捷公司日前表态大容量HDD需求继续增长，今年Q4季度将推出12TB硬盘，明年还会有18TB硬盘，而且2018年早些时候希捷将会推出16TB的HAMR新技术硬盘。
惠普以每股12.50美元收购闪存公司Nimble Stora...
惠普企业计划以每股12.50美元或10亿美元的总价收购闪存公司Nimble Storage，惠普企业还将为Nimble偿付价值大约2亿美元的非既得股权。
市场供不应求，存储价格将延续上涨趋势
以各原厂的技术进展来看，三星去年进度最快已成功量产3D NAND，去年底出货占比已达35％，最先进的64层芯片将在今年第1季放量投片，3D NAND的出货比重将在本季达到45％。另外，三星不仅西安厂全面量产3D NAND，韩国Fab 17/18也将投入3D NAND量产。
希捷新睿利1TB评测体验分享:至轻至薄
希捷新睿利Ultra Slim 1TB的正面采用了金属材质，表面的图案即起到了装饰作用又增加了防滑效果。背面则是黑色ABS工程塑料，采用USB3.0数据接口并无需外接电源。整体而言，仅为9.6mm的厚度和仅为135g的重量，足以让这款产品在轻薄型移动硬盘中占有一席之地。
怎样选购合适的固态硬盘？涨价潮中切莫走眼
想要购买到真材实料，物超所值的固态硬盘产品，我们必须从产品自身出发，同时参考产品厂商的实力背景，综合选购。
金士顿u盘价格,最大容量U盘2TB打折之后还要1.1万
金士顿曾在今年1月份的CES展会上公布了一款容量达到2TB的世界最大U盘--Traveler GT 2TB，官方终于宣布了这款产品的售价，2273美元！不过现在购买的话可以享受28%的价格优惠，最终售价1625美元（约合1.1万人民币）。
U盘崛起10余年后 等待Type-C这下一个爆发节点
U盘崛起至今已有10余年，但就现在的形势来看，U盘市场已然完全成熟，价格战相当激烈。记者注意到，目前部分电商网站上8G的U盘仅售10几元，而16G的也只需不到30元。
规模300亿美元的闪存市场，一个巨头即将倒下
东芝芯片事业的潜在买主得克服许多障碍，像是得拥有多达140亿美元的并购资金，还可能面临反托辣斯的障碍，日本政府也可能不愿意把关键技术让给外国。
SSD涨价步伐不停 涨幅超50% 还将继续
自2016年5月SSD开始涨价以来，120GB的TLC SSD已经从25美元上涨到37.5美元，涨幅50%;而240GB的TLC SSD已经从44美元上涨到68美元，涨幅达55%，非常可怕。
中国在3D NAND存储器领域取得标志性进展
2月16日据中科院网站消息，近日，由国家存储器基地主要承担单位长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”）与中国科学院微电子研究所联合承担的3D NAND存储器研发项目取得新进展。
改变国内缺芯格局，从存储芯片开始
紫光南京半导体产业基地项目由紫光集团投资建设，主要产品为3D-NAND FLASH、DRAM存储芯片等，占地面积约1500亩。项目一期投资约100亿美元，月产芯片10万片。
比NAND闪存速度快千倍的ReRAM由中芯国际量产
非挥发性电阻式内存（ReRAM）开发商Crossbar Inc.利用非导电的银离子-非晶硅（a-Si）为基板材料，并透过电场转换机制，开发出号称比NAND闪存更快千倍速度的ReRAM组件，同时就像先前在2016年所承诺地如期实现量产。
三星、海力士加码，争抢未来存储市场
因为DRAM价格因供给短缺而以高角度上扬之赐，韩国两大存储器厂三星与SK海力士，今年半导体营业利润年增五成，来到史无前例的25兆韩圜。
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