通过对不同器件结构LDMOS的静电放电防护性能的分析对比，指出带埋层的深漏极注入双RESURF结构LDMOS器件在静电防护方面的优势。
2011-12-01 11:00:55
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，需要用到低电容ESD静电保护器件为便携式电子产品保驾护航。那么，针对便携式电子产品的静电防护，该选用什么样的ESD静电保护二极管呢？1）结电容要低：在通讯端口静电防护方案设计中，尤其要关注ESD
2021-07-16 15:53:51
涵盖：在DRAM、SRAM、CMOS图像处理芯片、微处理器、模拟产品、射频模块中如何集成核心电路、电源总线以及信号引脚，以及这些整合将如何影响ESD的设计与集成。混合电压、混合信号的架构设计，以便于RF
2013-09-04 09:17:26
静电保护二极管、瞬态抑制TVS二极管、压敏电阻等。其中过压保护器件ESD保护管和TVS管同样值得关注，要知道，在汽车电子中，所有的电子设备都面临静电释放和汽车抛负载的威胁，故，在汽车电子中，过压保护不可
2018-10-23 17:15:03
封装尺寸，以达到在PCB设计上兼具高聚集度及高度弹性的优势。第二、ESD保护组件接脚本身的寄生电容必须要小，避免讯号受到干扰。例如使用在天线(antenna)的ESD保护组件，必须考虑到天线所使用的频段
2017-09-08 16:00:20
损害，因此电子产品中的 ESD 保护越来越重要。为帮助读者清晰了解电子系统的 ESD 保护设计思路和解决方案，针对触摸屏和指纹识别人机界面、HDMI等高速接口电路等热点应用的 ESD 保护策略，深圳旭
2013-06-14 16:42:50
静电放电(ESD， electrostatic discharge )是在电子装配中电路板与元件损害的一个熟悉而低估的根源。它影响每一个制造商，无任其大小。虽然许多人认为他们是在ESD安全的环境中生
2018-10-11 16:10:23
LDMOS L DMOS (横向扩散金属氧化物半导体) 结构见图。 在高压功率集成电路中常采用高压LDMOS满足耐高压、实现功率控制等方面的要求，常用于射频功率电路。 与晶体管相比，在关键
2020-05-24 01:19:16
GaN为5G sub-6GHz大规模MIMO基站应用提供的优势LDMOS的优势是什么如何选择正确的晶体管技术
2021-03-09 07:52:21
与双极型晶体管相比，LDMOS管的增益更高，LDMOS管的增益可达14dB以上，而双极型晶体管在5~6dB,采用LDMOS管的PA模块的增益可达60dB左右。这表明对于相同的输出功率需要更少的器件，从而增大功放的可靠性。
2020-04-07 09:00:33
LDMOS晶体管的应用，也使得LDMOS的技术不断成熟，成本不断降低，因此今后在多数情况下它将取代双极型晶体管技术。与双极型晶体管相比,LDMOS管的增益更高，LDMOS管的增益可达14dB以上，而双极型
2019-06-26 07:33:30
我在 AWR 中模拟 LDMOS MRFE6VS25N 时遇到问题。我使用 12 和 13 版本 64 位，但模型只有 32 位。我如何使用我的 AWR 软件模拟这个晶体管？
2023-04-23 09:07:17
。由于数据传送速度这么高，要求电路板的电容小，确保信号的素质很好，这给电路板的设计带来了新的挑战。在解决这个问题，实现可靠的静电放电(ESD)保护时，这点尤其重要。在HDMI系统设计中增加ESD保护
2019-06-19 05:00:08
ESD(静电放电)是CMOS电路中最为严重的失效机理之一，严重的会造成电路自我烧毁。论述了CMOS集成电路ESD保护的必要性，研究了在CMOS电路中ESD保护结构的设计原理，分析了该结构对版图的相关要求，重点讨论了在I/O电路中ESD保护结构的设计要求。
2021-04-02 06:35:57
的抗ESD设计。在设计过程中,通过预测可以将绝大多数设计修改仅限于增减元器件。通过调整PCB布局布线,能够很好地防范ESD。以下是一些常见的防范措施。 *尽可能使用多层PCB,相对于双面PCB而言
2018-09-11 16:05:37
在PCB板的设计当中，有哪些方法可以实现PCB的抗ESD设计？
2021-04-26 06:19:19
我们已经把芯片级的ESD 性能写入数据手册多年， 但这些参数仅适用于在芯片焊接到电路板前。那么在电路板上的ESD性能如何呢？
2021-04-09 06:00:54
Infineon的LDMOS功放管凭优良的产品质量性能已广泛应用在移动通信设备中，在国内外不少知名通信设备生产商的设备中Infineon的功放管都占有一定的份额。 其中，Infineon专门
2019-07-08 08:10:02
用于无线基础设施的半导体技术正在经历一场重大的变革，特别是功率放大器(PA)市场。横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管在功率放大器领域几十年来的主导地位正在被氮化镓(GaN)撼动，这将对无线
2017-08-30 10:51:37
PCB 设计可以减少故障检查及返工所带来的不必要成本。在PCB 设计中，由于采用了瞬态电压抑止器(TVS)二极管来抑止因ESD 放电产生的直接电荷注入，因此PCB 设计中更重要的是克服放电电流
2012-02-03 14:09:10
TVS在ESD防护中的作用ESD的危害我们都知道，轻则破坏电子产品，重的话会直接损坏甚至毁灭性的。美国的电子工业在ESD方面的损失一年可以达到数十亿美元之多。很多电子产品特别是自动化程度高，单键
2014-03-31 10:09:02
时还能不受干扰地运作，至于要多低的箝制电压才够，则要看系统的噪声免疫能力而定。ESD保护二极管，是一种有效的防静电保护器件，在电子行业中，ESD静电防护的最终目的是：在电子元器件、组件和设备的制造
2020-09-24 16:47:28
USB3.0中ESD应用的五大要素 1、ESD保护组件本身的寄生电容必须小于0.3pF，才不会影响USB3.0高达4.8Gbps的传输速率。2、保护组件的ESD耐受能力必须够高，至少要能承受IEC
2014-01-06 13:33:59
PCB 设计可以减少故障检查及返工所带来的不必要成本。在PCB 设计中，由于采用了瞬态电压抑止器(TVS)二极管来抑止因ESD 放电产生的直接电荷注入，因此PCB 设计中更重要的是克服放电电流
2015-02-03 14:27:03
一块PCB上有一个功能模块，需要上拉至VCC连接至第二块PCB上，但是两个模块之间需要焊接一导线。在PCB LAYOUT设计中，为了防止焊接或者其他因素引起的静电破坏设计，将上拉和ESD管都放在第二
2021-08-11 10:23:54
`ESD静电二极管简称ESD，也叫ESD静电保护器，是一种过压、防静电保护元件，是为高速数据传输应用的I/O端口保护设计的器件。ESD保护器件是用来避免电子设备中的敏感电路受到ESD(静电放电
2018-05-09 09:32:25
应尽量使其平滑。3.3 产品的电路设计 在壳体和PCB的设计中，对ESD问题加以注意之后，ESD还会不可避免地进入到产品的内部电路中，尤其是以下一些端口：USB接口、HDMI接口、IEEE1394
2015-08-06 02:49:47
静电放电(ESD， electrostatic discharge )是在电子装配中电路板与元件损害的一个熟悉而低估的根源。它影响每一个制造商，无任其大小。虽然许多人认为他们是在ESD安全的环境中生
2016-07-22 11:26:49
什么是LDMOS？LDMOS有哪些有优良性能？什么是VDMOS？VDMOS具有哪些特征？
2021-06-18 06:56:36
`压敏电阻相比ESD电容在ESD保护中的优点？可以泄放ESD电压么？`
2015-12-28 17:41:43
静电的持续放电会干扰电子设备中的敏感电路，工程师为了确保敏感电路不受静电放电干扰，设计了多种静电防护方案。ESD保护在实现上基本有两种方式：IC内部的保护和IC外部的保护。前者虽然可以增加靠性，而且
2018-01-30 10:18:23
用于现代通信系统中的功率放大器(PA)一般是通过级联和并联多个RF晶体管来获得期望的固态增益和功率。与RF集成电路(RFIC)相比，虽然采用单级分离RF晶体管占用的PCB空间更多，但因具有宽广
2019-06-25 06:55:46
，结果表明，在保证LDMOS器件参数不变的条件下，采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。LDMOS (Lateral Diffused MetalOxide Semiconductor
2019-07-31 07:30:42
，提高了芯片的运算速度。 但是，随着工艺的进步和尺寸的减小，静电释放(ESD)，Elecyro Static Discharge)问题变得日益严峻。据统计，在集成电路设计中大约40%的失效电路是ESD问题造成的。如何设计ESD保护电路？这个问题急需解决。
2019-08-07 06:24:17
)不同层的GND之间应有尽可能多的通孔（VIa）相连；(8)在最后的铺地时应尽量避免尖角，有尖角应尽量使其平滑。3.3 产品的电路设计在壳体和PCB的设计中，对ESD问题加以注意之后，ESD还会不可避免
2018-03-01 12:00:14
不适用。随着科技电子的发展，特别是消费电子产品，向着多功能、轻薄化发展，使得内部IC尺寸不断减小，相应ESD防护能力不断减弱。这时，电子工程师在设计过程中，通常会加入ESD静电保护器，当下使用率极高的ESD二极管，以此来防护静电对产品的伤害。ESD静电二极管规格书下载：
2022-04-27 16:12:10
相信你就知道ESD是什么了。 一般而言，ESD可能会高达上千伏特，这会对比较敏感的半导体和集成电路造成损害。ESD在集成电路系统中对裸露在外的接口有非常重要的作用，当带有电荷的物体比如人类靠近或者
2020-10-22 13:31:35
LDMOS RF功率放大器因其极高的性价比在GSM和CDMA基站市场占据了主导地位。使用LDMOS放大器时，保证高性能的一个关键因素是补偿栅极偏置电压，以在温度变化时保持恒定的静态电流。Maxim的DS1870偏置控制器是目前众多的LDMOS RF功放偏置方案中的一款。
2019-08-23 06:38:37
LDMOS 射频功率技术许可协议。远创达是一家总部位于中国苏州的无晶圆厂的半导体公司，专业设计制造射频功率半导体产品、模块和子系统集成。导电通道短且击穿电压高使LDMOS器件适用于无线通信系统基站射频
2018-02-28 11:44:56
已有电磁干扰。静电放电会破坏手机里的电子部件。手机容易替换，但对用户的伤害很大。手机电路设计者必须确保采取必要的措施，以消除ESD的破坏。 在音频电路中如有电磁干扰（EMI），会出现嘶嘶、噼啪、嗡嗡
2014-01-27 14:10:58
、低电量、小电流和作用时间短的特点。 人体自身的动作或与其他物体的接触，分离，摩擦或感应等因素，可以产生几千伏甚至上万伏的静电。静电在多个领域造成严重危害。摩擦起电和人体静电是电子工业中的两大危害，常常
2019-03-11 11:22:28
嗨， 我尝试在Vivado 2013.4中构建我们的设计并构建Xilinx JESD204B设计示例，我收到以下错误：错误：[Common 17-69]命令失败：此设计包含不支持比特流生成的内核
2018-12-10 10:39:23
求大佬分享一款适用于激光及MRI的宽带LDMOS晶体管
2021-06-08 06:29:42
一个问题是电池状况不足。汽车中的电池短路事件发生在车辆中这些装置的组装，服务或消费者使用期间。在组装和维修期间，电池线路断开或暴露可能会连接到其中一个接口，从而可能对ESD保护装置造成损坏。在消费者
2018-10-12 11:53:47
作者：Jeremy Correale，安森美半导体目前市场上的多数硅ESD保护解决方案都是面向消费级电子器件设计的，但是ESD威胁也会使汽车电子器件设计师夜不成寐。令汽车电子设计师深感忧虑的不仅是“正常”的ESD状况，其他汽车特定事件也是让人寝食难安的一个重要原因，例如电池短路(STB)情况。
2019-07-25 07:32:28
在一天的工作正式开始前，粗略地浏览电子邮件，看到一连串报价、样品、项目和其他要求。对我来说，总是突颖而出的一个要求通常包含“帮助”和“ESD”两个词。这特殊的请求是在艰难的时刻产生，然而我忍不住笑了
2018-10-25 09:02:26
技术，可以得到比MOV 更小的元件封装尺寸•硅基ESD有更低的箝制电压、更低的漏电以及更快的响应速度•硅基ESD比MOV和PESD 的寿命长，在整个产品有效期内性能也保持的更好日常生活中，ESD
2017-07-31 14:59:33
ESD保护器件。消费者使用过程中发生的电池短路事件的典型例子是，USB电缆掉进车载点烟器插座，把电池线电压带进接口线。汽车环境中存在12V电池网络，这本身就会对车载ESD保护器件造成额外的负担，因为这些
2018-10-25 08:49:49
状态机思路在单片机程序设计中的应用
2012-08-17 16:18:45
在测试平板电脑ESD的过程中，我们时常会遇到这样的现象：平板电脑的放置方式对测试结果会有绝然不同的影响。将平板电脑Panel朝上时，ESD几枪就会死机；将Panel朝下时，正负电压各放电几十次都没
2014-02-20 11:23:55
ESD、EMI、EMC。。。楼主表示，这一堆的英文缩写让楼主曾经头疼！不过经过认真学习，总算也是都明白了。 ESD、EMI、EMC 设计是电子工程师在设计中遇到常见难题，电磁兼容性（EMC）是指
2016-01-19 09:32:14
射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。数十年来，横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今，这种平衡发生了转变，硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。
2019-09-02 07:16:34
时，IC 内部更容易受到损害，因此电子产品中的 ESD 保护越来越重要。为帮助读者清晰了解电子系统的 ESD 保护设计思路和解决方案，针对触摸屏和指纹识别人机界面、HDMI等高速接口电路等热点
2013-12-11 15:58:03
大家都知道esd可以起保护作用，但是会加大通讯负担，影响通讯质量，那么USB设计中ESD到底要还是不要？
2019-03-22 09:51:56
■ 恩智浦半导体 K. Werner，S. Theeuwen，J. de Boet，V. Bloem，W. Sneijers高压LDMOS是高达3.8GHz的国防和航空电子设备RF功率应用的最佳技术
2019-07-05 07:01:04
ESD设计提出了更高的防护要求。LDMOS是功率IC的常用器件，它与低压MOSFET一样存在静电泄放电流非均匀分布的问题，因而而器件在不做任何改进的情况下，不能充分发挥其静电防护的潜能，是LDMOS
2016-03-03 17:54:51
微电子技术有限公司开发的BSDOT器件，在相同面积下将LDMOS的静电防护潜能提高一倍。高压功率集成电路是半导体产业的一个重要分支，在汽车电子、电源管理、高压驱动、航天航空、武器装备里有着广泛
2016-03-12 14:12:31
微电子技术有限公司开发的BSDOT器件，在相同面积下将LDMOS的静电防护潜能提高一倍。高压功率集成电路是半导体产业的一个重要分支，在汽车电子、电源管理、高压驱动、航天航空、武器装备里有着广泛
2016-04-06 09:24:23
本文针对LDMOS 器件在ESD 保护应用中的原理进行了分析，重点讨论了设计以及应用过程中如何降低高触发电压和有效提高二次击穿电流，结合实际工艺对器件进行参数优化，得到了
2009-12-14 09:48:51
35 飞思卡尔为L波段雷达应用推出LDMOS
一直致力于突破高功率射频（RF）技术的飞思卡尔半导体近日揭开了全球首款适用于L波段雷达应用的
2008-06-07 23:56:39807 本内容详细介绍了 LDMOS 功放温度特性及温补电路设计
2011-08-18 17:29:2762 LDMOS( Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)横向扩散金属氧化物半导体)是为900MHz蜂窝电话技术开发的
2011-12-01 10:50:569026 
与双极型晶体管相比，LDMOS管的增益更高，LDMOS管的增益可达14dB以上，而双极型晶体管在5~6dB
2011-12-01 11:21:093662 场板是高压LDMOS中普遍使用的一种结终端技术，对单阶梯LDMOS场板的长度、其下方氧化 厚度以及场氧侵蚀厚度等参数进行了模拟和分析， 在此基础上设计了一种新型体硅双阶梯场板LDM
2011-12-01 14:08:1039 提出了具有n 埋层PSOI(部分SOI) 结构的射频功率LDMOS 器件. 射频功率LDMOS 的寄生电容直接影响器件的输出特性. 具有n 埋层结构的PSOI 射频LDMOS ,其Ⅰ层下的耗尽层宽度增大,输出电容减小,漏
2011-12-01 14:13:4336 分析了LDMOS(lateral DMOS) 在一次雪崩击穿后的局部电热效应. 提出并证明了等温分析和电热分析分别得到的LDMOS 的触发点是不同的;分析了局部晶格温度在空间上的分布特点;并提出晶格温度
2011-12-01 14:15:0222 恩智浦半导体（NXP Semiconductors N.V.）（纳斯达克：NXPI）近日宣布推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶体管，作为特别关注TD-LTE的无线基站第八代LDMOS产品线的扩展产品。
2013-06-21 11:09:261535 一种超低比导通电阻的L型栅漏极LDMOS_石琴
2017-01-07 22:14:034 LDMOS （Lateral Diffused MetalOxide Semiconductor Transistor，横向扩散金属氧化物半导体）以其高功率增益、高效率及低成本等优点，被广泛应用
2017-10-13 10:59:179 LDMOS( Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)横向扩散金属氧化物半导体)是为900MHz蜂窝电话技术开发的，蜂窝通信市场的不断增长保证
2017-12-08 20:01:0963322 
如果把静电当做突如其来的洪水，那ESD整改的基本思路可以概括为三字“堵”“防”“疏”。 “堵”顾名思义就是把ESD堵在产品的外面，使之不能进入到产品的PCB上，例如：将金属外壳的地与PCB的地完全
2019-01-26 16:18:36884 提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS，该结构改善了表面电场分布，从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证，并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化，结果表明
2020-09-25 10:44:000 采用吉时利直流参数测试系统并配合高压测试探针对制备的LDMOS器件进行在片测试。利用光学显微镜观察器件的具体结构，并用探针给相应的电极加电，只使用探针向器件栅、漏极加电，而源极直接通过衬底与金属吸盘接地。
2021-06-07 11:15:42174 目前主流的ESD-NMOS有两大设计思路：GGNMOS（Gate Ground NMOS），GCNMOS（Gate Couple NMOS）。
2023-05-16 16:44:468941 
好像任何一个行业的EMC都离不开ESD测试， ESD问题排查中，最重要最难的无疑是静电路径问题了。 本次就和大伙稍微探讨下ESD电流路径的分析，哪怕在为大家排查静电问题的时候提供一丝丝有益的思路，我就觉得没有白写。
2023-10-17 15:55:47669 
ESD静电整改有什么基本思路？|深圳比创达电子EMC
2023-11-02 10:08:46323
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