资料介绍
随着集成电路的发展,尤其是智能功率集成电路的发展,对功率器件提出了越来越高的要求。LDMOS由于它的电极均可以在器件的表面引出,因而可以与主流的VLSI集成电路丁艺技术相兼容,成为了功率集成电路的首选,并广泛应用于LED驱动、电源管理及汽车电子等领域。对于LDMOS来说,比导通电阻和击穿电压是两个重要的参数,同时相互影响,降低比导通电阻和提高击穿电压是器件的设计与研究的热点与难点。目前采用的技术主要有以下几种:场板技术,横向变掺杂技术,埋层技术,超结技术,降低表面电场(RESURF)技术等技术,它们对器件击穿电压和比导通电阻的改善起到了很大的作用。
RESURF技术是在LDMOS器件设计中广泛应用的一种技术,它是利用横向与纵向两个PN结的耗尽层相互作用,就是器件在表面电场达到临界电场之前,使漂移区在纵向上完全耗尽,从而使击穿点由表面转移到体内,进而提高击穿电压。目前研究最多的是双RESURF LDMOS器件,它是在单RESURF的基础上,在漂移区顶部注入与漂移区掺杂相反的杂质,利用其辅助耗尽来改善器件的性能。

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