瑞萨DDR SDRAM SiP已接收订货，集成微处理器和逻辑

    瑞萨科技(Renesas Technology)宣布，从2005年11月开始接受封装在SiP(系统级封装)内、集成了DDR SDRAM(双数据速率同步DRAM)高速存储器芯片的产品订货。该产品是在一个单封装中整合了瑞萨科技的高性能微处理器和逻辑LSI芯片的多存储器器件。
    
    
     随着包括图形设备、车载信息系统和数字消费产品等各个领域的快速发展和功能日益强大，减小芯片尺寸成为了一个迫切的要求。对这种需求的一种反应就是迅速增加SiP产品的应用，因为它可以将若干微处理器、ASIC和存储器集成在单个的封装中。
    
     虽然到目前为止，SDRAM已经成为封装在一个SiP中最普通类型的工作存储器，但是现在更高速度和性能的需求推动着人们使用更快的DDR SDRAM的需求。不过，使用DDR SDRAM的问题在于芯片对芯片的高速信号部分的互连设计比较复杂。
    
     瑞萨科技一直在推动使用集成了微处理器和逻辑LSI的SiP作为“解决方案集成产品，Solution Integrated Product”，到目前为止已向用户提供了超过1亿颗这样的芯片解决方案。现在，为了满足上述迫切的市场需求，瑞萨科技将DDR SDRAM封装在一个SiP中，这将有助于为使用DDR SDRAM的更快和更强大的小型设备提供开发解决方案。
    
     由于DDR SDRAM比SDRAM更快，包括高速信号在内的总线连接设计通常更加复杂和困难。在DDR SDRAM集成到SiP时遇到同样问题。瑞萨科技已声称利用其在SiP基层方面的专有技术和技巧解决了这个问题。
    
     新的DDR SDRAM SiP具有以下特性：
    
    1.避免了用户进行复杂的总线连接设计，节省产品开发成本和时间
    
     CPU和DDR SDRAM之间的总线连接在SiP内执行，避免了用户进行复杂的总线连接设计，从而减少产品的开发成本，并可缩短开发时间，以节省设计资源。
    
    2.利用SiP减少无源器件数量，实现更低的产品功耗
    
     DDR SDRAM的连接通常需要使用提供抑制噪声功能的电容器等外部无源器件。采用SiP实现的总线连接完全是在SiP的内部，避免了对大多数外部无源元件的需要，因而可以降低产品成本。此外，无源元件消耗电流方面的减少可以实现更低的产品功耗。
    
    3.稳定的高速运行实现了EMI(电磁干扰)噪声的全面降低
    
     将多个芯片容纳在单个封装中，可以显著缩短芯片对芯片的连线，这将降低EMI噪声的影响，并可实现稳定的高速运行。