C4D40120H是1200V 分立碳化硅肖特基二极管。具有碳化硅 (SiC) 的性能优势肖特基势垒二极管，电力电子系统可以期待满足比硅基解决方案更高的效率标准，同时还达到更高的频率和功率密度。SiC二极管可轻松并联以满足各种应用要求，而不用担心热失控。 结合降低冷却要求并改善热SiC产品的性能，SiC二极管能够提供
在各种不同的应用中降低整体系统成本。
特征
• 低正向电压（VF) 以正面下降
温度系数
• 零反向恢复电流/正向恢复
电压
• 与温度无关的开关行为
• 增加爬电距离/间隙 + HV-H3TRB 坚固
应用
• 电池充电器
• 太阳能和可再生能源电力转换
• 工业电源
• PFC 和 DC-DC 中的升压二极管
阻断电压:1200V
最大持续电流：40A
总电容电荷：167nC
功耗：667W
正向电压：1.5V
电容储能：36 µJ
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