凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高压理想二极管控制器 LTC4359,该器件为肖特基二极管提供了一种简单的低损耗替代方案,同时拥有适合汽车、航空电子及太阳能应用的重要特
2012-06-04 08:48:52
6742 
凌力尔特公司推出 0V 至 18V 双通道理想二极管控制器 LTC4353,该器件可取代两个大功率肖特基二极管,以低损耗实现多个电源 “或”,且对电源电压的干扰最小
2012-06-15 11:10:28
2249 
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出具备输入最大功率点控制 (MPPC) 的高压控制器和电源管理器 LTC4000-1
2012-08-03 11:58:02
5051 
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出一款用于 9V 至 72V系统的理想二极管桥控制器 LT4320。其采用低损耗 N 沟道 MOSFET 替代了全波桥式整流器中的全部 4 个二极管,以显著地降低功率耗散并增加可用电压。
2013-06-13 14:37:09
3786 4225、LTC4227 和 LTC4228。当输入电源电压降至低于输出共模电源电压时,关断适当的 MOSFET,从而使功能和性能上与理想二极管匹配。
2013-07-17 11:12:22
5767 
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出单片双通道 4A 电源通路 (PowerPath™) 理想二极管 LTC4415,该器件为减少热量、压降和占用的电路板空间而设计,同时可在电源切换电路中延长电
2011-11-12 01:38:00
2142 
导读:日前,凌力尔特公司(简称“Linear”)宣布推出一款全新的双通道相位同步降压型从属控制器--LTC3870.该LTC3870器件具备准确的相位间均流,可并联多达12相工作,非常适合与数字
2018-09-27 15:33:15
跳变点。LTC3874还包括可选的连续或断续轻负载操作、可编程相移控制和过压保护等功能。 另外,LTC3874还补充了凌力尔特的低DCR峰值电流模式控制器,并可提供多相从属设计所需的所有
2018-11-30 16:36:29
、保护等作用。如下图,VD是变阻二极管,调节电位器RP可改变VD内阻大小。二、变阻二极管与普通二极管区别1、颜色区别:变阻二极管负极标记颜色为浅色,而一般普通的二极管色标颜色一般是黑色,例如对于高频变阻
2023-02-23 16:03:01
DN1003- 理想二极管控制器可消除功率或应用中的能量浪费二极管
2019-05-27 10:43:21
电源的典型 µTCA 应用中 (图 4 和 9),在背板上对输出进行二极管“或”,以不用断开系统电源,就可以取出或插入板卡。LTC4225 和 LTC4228 都包括理想二极管和热插拔控制器,非常
2018-09-29 16:41:57
一、瞬变抑制二极管瞬态电压抑制二极管(Transient Voltage Suppressor)简称TVS,是一种二极 管形式的高效能保护器件。当TVS 二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时,它
2021-11-16 07:00:08
瞬变二极管的特性参数
①最大反向漏电流ID和额定反向关断电压VWM。
VWM是瞬变二极管最大连续工作的直流或脉冲电压,当这个反向电压加入瞬变二极管的两极间时,它处于反向关断状态,流过它的电流应小于
2023-04-25 16:58:23
DC2027A-A,采用LTC4364HDE-1浪涌抑制器的演示板,带有理想的二极管控制器,可保护负载免受高压瞬变的影响。高达80V的直流输入和250V的瞬态输出仅限于28.7V。高达-24V的下垂
2019-02-18 09:51:03
二极管中观察到的电容恢复特性为独立于温度,正向电流水平以及关断dI/dt。在Si技术中,不切实际外延规范将肖特基二极管降级为< 600 V的应用。GeneSiC的1200 V SiC肖特基二极管是专门设计的,以尽量减少电容电荷,从而实现更快的开关瞬变。
2023-06-16 11:42:39
LT4320IN8-1理想二极管桥控制器的典型应用电路。 LT4320-1是理想的二极管桥控制器,可驱动四个N沟道MOSFET,支持典型的DC至600Hz的电压整流。通过最大化可用电压并降低功耗,理想的二极管桥简化了电源设计并降低了电源成本,特别是在低压应用中
2019-03-29 07:58:55
导读:据报道,Linear(凌力尔特公司)日前宣布推出一款全新的理想二极管桥控制器--LT4321.该器件用低功耗 N 沟道MOSFET桥取代了两个二极管桥式整流器。 日前,Linear(凌力
2018-09-28 16:07:28
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出可为肖特基二极管提供了一种简单的低损耗替代方案的高压理想二极管控制器LTC4359,拥有适合汽车、航空电子及太阳能
2012-06-05 11:51:18
分立式解决方案方面,其中之一就是考虑到远高于6 V的电压情形,如静电放电(ESD),其瞬间的应力电压可能高达几千伏甚至十几千伏,这种情形下,可以施加瞬态电压抑制器(TVS)二极管,以此处理瞬变极快的过压
2021-11-02 14:51:31
` 本帖最后由 dodo1999 于 2020-4-15 13:18 编辑
SD36C静电保护装置 双向TVS瞬变二极管ESD Protection Device, 60 V, SOD-323
2020-04-14 11:07:10
`SOD323系列普容TVS单向/双向瞬变二极管 18V DCSD18-HESD 保护和 TVS 浪涌二极管保护您的系统免受 ESD 和浪涌冲击。我们的保护二极管的特性包括超低电容、低泄漏电流、低钳
2021-07-12 09:20:36
` 本帖最后由 dodo1999 于 2019-9-25 10:07 编辑
SOD323系列单向/双向瞬变二极管ESD 保护和 TVS 浪涌二极管保护您的系统免受 ESD 和浪涌冲击。我们的保护
2019-09-24 09:19:22
TVS二极管,也叫瞬变二极管、瞬态电压抑制二极管、瞬变抑制二极管、瞬态抑制二极管、TVS、TVS二极管、TVS管、二极管TVS等等,叫法很多,不同的客户叫法略有差异,但是东西都是一个东西,是防浪涌
2022-05-25 14:16:57
在multisim中怎么仿真LTC理想二极管
2014-07-14 09:54:42
单个高压理想二极管控制器LTC4358资料下载内容主要介绍了:LTC4358功能和特点LTC4358引脚功能LTC4358内部方框图LTC4358典型应用电路
2021-03-26 07:16:08
LTC4353控制外部MOSFET来实现一个理想的二极管功能。它取代了两个高功率肖特基二极管和其相关的散热器,节省功耗和电路板面积。LTC4353调节横跨正向压降MOSFET在二极管或应用程序,以
2012-11-16 17:11:56
将告诉您电视二极管如何工作以防止电路故障和保护设备。I. 瞬态电压抑制器1.1 瞬态是什么意思?瞬变是电压或电流持续时间短的尖峰,会以多种方式损坏电路。有些瞬变只发生一次,有些可能是重复的。这些瞬变从几
2023-02-08 15:33:05
产品描述:(替代LTC4357)PC2557是一款正向高压理想二极管控制器,通过控制驱动外部N沟道MOSFET来替代肖特基二极管。在ORING电路和大电流应用中,PC2557可以降低其功耗、散热
2025-06-17 16:21:13
产品描述:(替代LTC4359)PC2559是一款正高压的理想二极管控制器,使用外部N沟道MOSFET取代了肖特基二极管,以控制MOSFET两端的正向电压降,确保即使在轻负载下电流传输也不会出现振荡
2025-06-17 16:25:03
两端正向电压降,最大限度的抑制电源故障、掉电或输入短路时的反向电流瞬变。 产品特点:#宽工作电压范围4V~80V#利用VCC箝位可承受超过80V的浪涌#可调输出箝位电压#理想二极管控制器可在输入掉电期间
2025-07-09 14:42:30
保留在内向引脚上(标志为开关输出端或漏极端)。这些二极管能带来额外的好处,因为它们起到辅助保护器件的作用。在持续时间较短、上升时间快的高压瞬变(如ESD或EFT)过程中,由于瞬变电压会被箝位,所以电压不会
2021-11-23 13:30:06
DC1203A,演示板用于LTC4357正高压理想二极管控制器。演示电路1203在48V,5A应用中展示了两个LTC4357。这些电路可在9V至75V的范围内工作,并且完全独立,但共用接地除外
2019-07-01 14:26:59
500W瞬变抑制二极管
2009-11-11 11:20:03
13 LTC®4371 是一款双输入负电压理想二极管 “或” 控制器,其用于驱动外部 N 沟道MOSFET,可在高功率 -48V 系统中作为肖特基二极管的一种低耗散替代方案。低的功率耗散和电压损失免除
2023-03-28 10:23:18
凌力尔特公司推出0V至18V理想二极管控制器LTC4352加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS, CA) – 2008 年 7 月 31 日 – 凌力尔特公司(Linear Technology Corporation) 推出 0V 至
2008-08-04 16:50:04
895 凌力尔特公司Linear推出单个高压理想二极管控制器LTC4358
加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS, CA) – 2008 年 7 月 30 日 – 凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)
2008-08-04 17:03:37
849 LTC2978 凌力尔特推出电源监视器和控制器
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 LTC2978 电源监视器
2009-08-04 08:21:45
722 LTC3868 凌力尔特公司推出同步降压型DC/DC控制器
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出低静态电流、两相双路输出同步降压型 DC/DC 控制器 LT
2009-08-18 11:59:25
1260 凌力尔特推出双输出高效率同步降压型DC/DC控制器LTC3855
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出双输出高效率 (高达 95%) 同步降压型 DC/DC 控制器 LTC3855,该器件具多
2009-11-11 08:50:09
1227 凌力尔特推出单通道以太网供电(PoE)控制器
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出单通道以太网供电 (PoE) 控制器 LTC4274,该器件用于需要
2009-11-12 09:37:20
1214 凌力尔特推出1.2A、38V降压型开关稳压器LT3971
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 1.2A、38V 降压型开关稳压器 LT3971,该器件具集成的升压二极管。其突发模式 (Bur
2009-11-18 09:02:15
1125 凌力尔特推出1.2A、55V 降压型开关稳压器LT3991
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 1.2A、55V 降压型开关稳压器 LT3991,该器件具有一个集成的升压二极管。其突发
2009-11-26 08:31:32
943
硅瞬变吸收二极管
硅瞬变吸收二极管的工作有点象普通的稳压管,是箝位型的干扰吸收器件;其应用是与被保护设备并联使用。 硅瞬变电压吸收
2009-12-09 12:26:02
1743 凌力尔特推出超高效双输出同步降压型DC/DC控制器LTC3865/-1
凌力尔特公司(Linear)推出效率为 95% 的双输出同步降压型 DC/DC 控制器 LTC3865/-1,该器件具有两引脚可选 VOUT 设定
2010-02-26 08:43:06
695 
Diodes公司发布能够容忍电话线瞬变的高压二极管阵列
Diode公司推出击穿电压为400V的四开关二极管阵列MMBD5004BRM,旨在承受DAA调制解调器正极和负极电话线接口和一般离
2010-02-26 10:36:03
1159 凌力尔特推出高压双输出同步降压型DC/DC控制器LTC3890/-1
凌力尔特公司(Linear)推出高压双输出同步降压型 DC/DC 控制器 LTC3890/-1,当一路输出工作时,该器件仅吸取 50μA 电
2010-03-10 10:09:14
831 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高频控制接通时间的同步 DC/DC 控制器 LTC3833,该器件具有差分输出
2010-11-08 08:49:36
820 LTC4358描述LTC®4358是一款5A理想二极管,当在二极管“或”和高电流二极管应
2010-12-08 14:18:11
5658 
凌力尔特公司(Linear)推出2.9V至15V热插拔(Hot Swap)控制器LTC 4280,该器件具内置8位ADC和I2C兼容接口。集成的数字电源监视可在高可用性系统中实现复杂的平台管理,
2011-01-30 16:40:25
1441 
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出紧凑型、双理想二极管和热插拔 (Hot Swap TM) 控制器 LTC4227,可提供电源通路 (PowerPathTM) 及浪涌电流控制以用于在 2.9V 至 18V 电压范围内工作的冗余电源
2011-03-15 11:45:27
1783 
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出具备非线性控制、差分输出电压检测和时钟同步功能的固定频率同步降压型 DC/DC 控制器 LTC3867
2011-08-13 14:33:37
3137 
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出双输出同步降压型 DC/DC 控制器 LTC3861,LTC3861 的均流环路可在 DC 及负载瞬变期间在多个 IC 上实现相位之间的准确均流
2012-02-09 09:08:04
2545 
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出按钮接通/关断控制器LTC2955,该器件可通过一个按钮接口管理1.5V至36V系统电源或一个电源的接入。
2012-03-13 09:28:16
1667 
凌力尔特公司推出大功率、I2C 控制和高效率的电源通路 (PowerPath™) 管理器、理想二极管控制器及磷酸铁锂 (LiFePO4) 电池充电器 LTC4156
2012-03-16 10:49:41
4007 
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出具反向电流隔离的均流控制器系列之首款产品 LTC4370
2012-06-05 15:14:28
3671 
LTC4353 可控制外部 N 沟道 MOSFET 以实现理想二极管功能。该器件可替代两个高功率肖特基二极管及相关联的散热器,从而节省了功率和占板面积
2012-06-12 14:10:33
2721 
LTC4370 是一款内置 MOSFET 理想二极管的双电源均流控制器。这些二极管负责隔离在启动和故障情况下的反向电流和贯通电流。
2012-06-12 14:14:00
1936 
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 0V 至 18V 双通道理想二极管控制器 LTC4353,该器件可取代两个大功率肖特基二极管,以低损耗实现多个电源 “或”,且对电源电压的干扰最
2012-06-18 09:06:50
1184 
凌力尔特(Linear Technology )日前发表高压降压DC/DC 控制器LTC3864,其可透过Burst Mode操作模式致能输出,待机模式下只耗40uA。 3.5V 至60V的输入电源电压範围旨在提供对于高压瞬变之保护,
2012-11-12 10:43:07
1327 10 月 22 日 – 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出理想二极管桥控制器 LT4321,该器件用低功耗 N 沟道 MOSFET 桥取代了两个二极管
2013-10-23 15:56:39
1381 
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出双理想二极管“或”和单通道热插拔控制器 LTC4236,该器件具有一个负载电流监视输出。高可用性系统 (服务器、网络路由器和固态硬盘) 利用多种馈电电源来给电路板供电。
2016-01-07 15:46:19
1096 加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS, CA) 2013 年 6 月 10 日 凌力尔特公司 推出一款用于 9V 至 72V系统的理想二极管桥控制器 LT4320。其采用低损耗 N 沟道 MOSFET 替代了全波桥式整流器中的全部 4 个二极管,以显著地降低功率耗散并增加可用电压。
2018-02-14 03:42:00
2521 电子发烧友网为你提供ADI(ti)LTC4371相关产品参数、数据手册,更有LTC4371的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料,LTC4371真值表,LTC4371管脚等资料,希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2019-02-22 14:42:34

LTC4358 - 理想二极管控制器集成 5A MOSFET 以取代损耗的肖特基二极管
2021-03-18 21:56:43
14 LTC4352 - MOSFET 理想二极管控制器在低压应用中为坚固的电源“或”提供快速接通和关断
2021-03-19 01:23:13
9 LTC4085: 具有理想二极管控制器和锂离子电池充电器的 USB 电源管理器 数据手册
2021-03-19 08:24:12
2 DN386 - 理想二极管控制器在电源 “或” 应用中免除了耗能的二极管
2021-03-21 14:33:42
4 LTC4225-1/LTC4225-2:双理想二极管和热插拔控制器产品手册
2021-04-14 09:30:10
4 LTC4354:负电压二极管-或控制器和监视器数据表
2021-04-18 17:25:49
1 LTC4227:双理想二极管和单热插拔控制器数据表
2021-04-18 21:13:20
1 LTC4352:带监控数据表的低压理想二极管控制器
2021-04-24 13:43:26
1 LTC4357:正高压理想二极管控制器数据表
2021-04-24 17:24:44
15 LTC4370:双电源二极管-或电流平衡控制器数据表
2021-04-27 14:50:05
1 LTC4359:具有反向输入保护功能的理想二极管控制器数据表
2021-04-28 10:20:55
16 LTC4353:双低压理想二极管控制器数据表
2021-04-28 10:27:18
0 LTC4229:理想二极管和热插拔控制器数据表
2021-04-28 11:39:37
9 LTC4371:双负压理想二极管-或控制器和监视器数据表
2021-05-16 20:24:04
0 LT4321-PoE理想二极管桥接控制器
2021-05-18 08:21:18
7 LTC4235:双12V理想二极管或单热插拔控制器,带电流监视器数据表
2021-05-18 12:27:02
0 LTC4359HMS8#3KDPBF-带反向输入保护的理想二极管控制器
2021-05-18 17:06:40
3 LTC4236:带电流监视器数据表的双理想二极管或单热插拔控制器
2021-05-20 08:36:06
11 LTC4228-1/LTC4228-2:双理想二极管和热插拔控制器产品手册
2021-05-23 14:38:40
4 LTC4225-2演示电路-双12V7.6A理想二极管和TCA热插拔控制器
2021-06-04 14:17:08
3 P沟道PowerPath控制器和理想二极管常见问题
2021-06-05 12:06:24
6 LTC4226演示电路-适用于FireWire应用的双12V、7.6A理想二极管和热插拔控制器
2021-06-05 16:51:13
0 LTC4225-1LTC4225-2双理想二极管和热插拔控制器数据表
2021-06-18 09:28:52
14 近段时间以来,发现,咨询高压瞬态抑制TVS二极管的客户越来越多,工作电压300V、200V、280V、400V等TVS型号的尤其多了起来。那么,高压瞬态抑制TVS二极管型号具体有哪些呢?工作电压300V的双向TVS管有哪些具体型号?
2021-08-04 17:26:19
2183 理想的二极管(也称为二极管或控制器,更一般地称为 PowerPath 控制器)是分立式功率二极管的强健、扩展的功能替代品。它由一个MOSFET代替二极管组成,以提供将电源连接到负载的低压降、低功耗开关。MOSFET 可以是 P 沟道或 N 沟道器件。
2023-01-06 11:50:05
4591 
瞬态抑制TVS二极管工作电压范围从3.3V-600V,之前科普过200V、300V、400V等高压TVS二极管有关型号、参数、应用等方面的知识,今天要讲解的是6V瞬态抑制二极管,被咨询最多问题之一
2022-05-07 15:32:15
2299 
TVS二极管工作电压范围3.3V~600V,甚至更高,业内把工作电压大于等于200V的TVS归类为高压TVS二极管。目前,很多客户很想知道工作电压300V的瞬态抑制TVS二极管有哪些型号?根据东沃电子DOWOSEMI瞬态抑制TVS二极管产品手册可知,根据单双向分,300V的TVS管型号有:
2021-11-12 15:03:23
1992 
TVS(Transient Voltage Suppressors)二极管,即瞬态电压抑制器,又称雪崩击穿二极管,是采用半导体工艺制成的单个PN结或多个PN结集成的器件。TVS二极管有单向与双向之分
2022-03-22 17:21:13
4280 
SCT53600是一个理想二极管控制器,与外部n通道MOSFET作为一个理想的二极管整流器,低损耗反向极性保护,以取代肖特基二极管。SCT53600在4V到65V的宽电源电压范围内工作。该设备能够
2023-07-21 09:40:35
3025 
变阻二极管与普通二极管的区别在哪? 在日常生活和电子产品中,我们经常会遇到二极管。二极管是一种常见的电子器件,旨在控制电流的流动方向。值得注意的是,二极管分为多种类型,其中最常见的是普通二极管和变阻
2024-01-12 14:44:01
2242 遵循一定的命名规则,以便于识别和区分不同的产品。型号通常由以下几部分组成: 前缀:表示生产厂家或产品系列的缩写,如“1N”表示美国标准二极管,“SM”表示瞬变二极管等。 主体:表示二极管的主要参数,如最大反向电压、
2024-08-01 09:55:57
1831 LM74721-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背靠背 N 沟道 MOSFET,以模拟具有电源路径开/关控制和过压保护功能的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源可保护和控制 12V
2025-05-08 11:01:44
787 
PC2559是一款正高压的理想二极管控制器,使用外部N沟道MOSFET取代了肖特基二极管,以控制MOSFET两端的正向电压降确保即使在轻负载下电流传输也不会出现振荡。如果电源出现故障或短路,快速
2025-06-24 16:46:37
13 PC2464浪涌抑制器具有理想二极管控制器,可保护负载避免高压瞬变的损坏。通过控制一个外部N沟道MOSFET传输器件两端的电压降,该器件可在过压过程中限制和调节输出。PC2464还包括一个定时的电流
2025-07-09 14:48:09
445 
过流和过压保护功能的电源路径开/关控制。LM74930-Q1二极管控制器可承受并保护负载免受低至-65V负电源电压的影响。集成式高侧栅极(HGATE)控制驱动电源路径中的第一个MOSFET,并有
2025-08-11 13:42:48
1054 
保护负载免受低至 –33V DC负电源电压的影响。集成式理想二极管控制器 (GATE) 驱动首个替代SCHOTTKY二极管的MOSFET,以实现反向输入保护和输出电压保持。集成的VDS钳位功能可实现输入
2025-09-11 15:50:39
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损耗,影响系统效率。理想二极管控制器正是解决这一问题的创新方案,而MOS管则是实现这一技术的核心器件。 理想二极管控制器的工作原理 理想二极管控制器的基本原理是利用MOS管的低导通电阻特性来模拟二极管的单向导电功能,同时最大限度
2025-09-29 10:05:25
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