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电子发烧友网>电源/新能源>功率器件>凌力尔特推出坚固的理想二极管“或”控制器LTC4371,可承受 ±300V 瞬变

凌力尔特推出坚固的理想二极管“或”控制器LTC4371,可承受 ±300V 瞬变

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LTC4225-1LTC4225-2双理想二极管和热插拔控制器数据表

LTC4225-1LTC4225-2双理想二极管和热插拔控制器数据表
2021-06-18 09:28:5214

300V双向TVS二极管型号有哪些

近段时间以来,发现,咨询高压瞬态抑制TVS二极管的客户越来越多,工作电压300V、200V、280V、400V等TVS型号的尤其多了起来。那么,高压瞬态抑制TVS二极管型号具体有哪些呢?工作电压300V的双向TVS管有哪些具体型号?
2021-08-04 17:26:192183

负电压理想二极管的应用

理想二极管(也称为二极管控制器,更一般地称为 PowerPath 控制器)是分立式功率二极管的强健、扩展的功能替代品。它由一个MOSFET代替二极管组成,以提供将电源连接到负载的低压降、低功耗开关。MOSFET 可以是 P 沟道 N 沟道器件。
2023-01-06 11:50:054591

抑制二极管 SMDJ6.0A 单向 6V

瞬态抑制TVS二极管工作电压范围从3.3V-600V,之前科普过200V300V、400V等高压TVS二极管有关型号、参数、应用等方面的知识,今天要讲解的是6V瞬态抑制二极管,被咨询最多问题之一
2022-05-07 15:32:152299

300V 瞬态()电压抑制二极管 型号有哪些?

TVS二极管工作电压范围3.3V~600V,甚至更高,业内把工作电压大于等于200V的TVS归类为高压TVS二极管。目前,很多客户很想知道工作电压300V的瞬态抑制TVS二极管有哪些型号?根据东沃电子DOWOSEMI瞬态抑制TVS二极管产品手册可知,根据单双向分,300V的TVS型号有:
2021-11-12 15:03:231992

二极管 电压33V 型号详解

TVS(Transient Voltage Suppressors)二极管,即瞬态电压抑制,又称雪崩击穿二极管,是采用半导体工艺制成的单个PN结多个PN结集成的器件。TVS二极管有单向与双向之分
2022-03-22 17:21:134280

SCT53600理想二极管控制器

SCT53600是一个理想二极管控制器,与外部n通道MOSFET作为一个理想二极管整流,低损耗反向极性保护,以取代肖特基二极管。SCT53600在4V到65V的宽电源电压范围内工作。该设备能够
2023-07-21 09:40:353025

二极管与普通二极管的区别在哪?

二极管与普通二极管的区别在哪? 在日常生活和电子产品中,我们经常会遇到二极管二极管是一种常见的电子器件,旨在控制电流的流动方向。值得注意的是,二极管分为多种类型,其中最常见的是普通二极管
2024-01-12 14:44:012242

二极管怎么看型号

遵循一定的命名规则,以便于识别和区分不同的产品。型号通常由以下几部分组成: 前缀:表示生产厂家产品系列的缩写,如“1N”表示美国标准二极管,“SM”表示二极管等。 主体:表示二极管的主要参数,如最大反向电压、
2024-08-01 09:55:571831

LM74721-Q1 汽车级 TVS less 低 IQ 反接电池保护 理想二极管控制器 有源整流数据手册

LM74721-Q1 理想二极管控制器驱动和控制外部背靠背 N 沟道 MOSFET,以模拟具有电源路径开/关控制和过压保护功能的理想二极管整流。3V 至 65V 的宽输入电源保护和控制 12V
2025-05-08 11:01:44787

PC2559带反向输入保掮 理想二极管控制电路中文手册

PC2559是一款正高压的理想二极管控制器,使用外部N沟道MOSFET取代了肖特基二极管,以控制MOSFET两端的正向电压降确保即使在轻负载下电流传输也不会出现振荡。如果电源出现故障短路,快速
2025-06-24 16:46:3713

具有理想二极管的浪涌抑制控制器典型应用与极限参数

PC2464浪涌抑制器具有理想二极管控制器保护负载避免高压的损坏。通过控制一个外部N沟道MOSFET传输器件两端的电压降,该器件可在过压过程中限制和调节输出。PC2464还包括一个定时的电流
2025-07-09 14:48:09445

德州仪器LM74930-Q1理想二极管控制器技术解析

过流和过压保护功能的电源路径开/关控制。LM74930-Q1二极管控制器承受并保护负载免受低至-65V负电源电压的影响。集成式高侧栅极(HGATE)控制驱动电源路径中的第一个MOSFET,并有
2025-08-11 13:42:481054

基于LM74721-Q1的理想二极管控制器技术解析与应用

保护负载免受低至 –33V DC负电源电压的影响。集成式理想二极管控制器 (GATE) 驱动首个替代SCHOTTKY二极管的MOSFET,以实现反向输入保护和输出电压保持。集成的VDS钳位功能实现输入
2025-09-11 15:50:39707

如何用合科泰MOS做一个高性能理想二极管控制器

损耗,影响系统效率。理想二极管控制器正是解决这一问题的创新方案,而MOS则是实现这一技术的核心器件。 理想二极管控制器的工作原理 理想二极管控制器的基本原理是利用MOS的低导通电阻特性来模拟二极管的单向导电功能,同时最大限度
2025-09-29 10:05:2522986

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