CE系列高压MOSFET：专为消费类电子和照明而生

　　摘要： 英飞凌CE系列CoolMOS 是英飞凌公司专为消费类电子产品和照明产品推出的高压功率MOSFET。该系列MOSFET基于英飞凌超级结技术平台，性能出色；而该系列经过成本优化，极佳的性价比保证其在消费和照明这类价格极其敏感的产品市场中依然具有极强的竞争力。本文通过CE系列MOSFET在充电器和LED球泡灯上的应用实例验证了该系列产品的优异性能。

　　前言

　　现代科技的进步使得消费类电子产品层出不穷，智能手机，平板电脑，电子阅读器，LCD/LED电视，笔记本电脑等产品已经大量普及，可穿戴设备，物联网，智能家居等新产品，新互联理念方兴未艾。与此同时功率电力电子技术及半导体技术的进步使得新型照明产品-LED灯深入千家万户。LED灯具有高效节能，光转换效率高，寿命长，绿色环保，色彩丰富等特点，因此已经逐渐取代钨丝灯，荧光灯等传统光源。相应地国内，国际相关组织及协会对于这些电子产品的电源转换效率，EMI等特性越来越关注，相关标准也越来越严格，这对相关的设计者提出了更高的要求。如何设计这类电源转换装置确保性能满足要求同时价格低廉成为设计者最大的挑战。

　　英飞凌产品解决方案

　　英飞凌科技有限公司（以下简称英飞凌）作为全球技术领先的半导体和功率电子综合解决方案公司，已经意识到以上技术趋势及对设计者的挑战。从2011年开始陆续推出了针对此类应用的 CE系列CoolMOS（英飞凌高压MOSFET注册商标）及ICL8001/02G，ICB2FL01/02/03G，BCR，ILD系列LED灯控制IC及照明IC。作为核心的功率控制开关，CE系列CoolMOS以其优异的性能和极佳的性价比，迅速获得业界的认可。同时通过CE系列CoolMOS与控制IC的完美结合，英飞凌的综合解决方案也在业界得到广泛的应用。

　　图1为CE系列CoolMOS产品概况，耐压范围涵盖500V，600V，650V及800V，是英飞凌CoolMOS系列中电压范围最宽的产品之一。直流导通电阻范围为0.19欧姆至3欧姆，以满足不同的功率等级及应用场景需要。CE系列CoolMOS适合的应用领域包括适配器/充电器，计算机及服务器电源，电视电源，LED灯驱动等消费类电子产品及照明产品，而其适用的功率转换拓扑极多，包括硬开关反激，准谐振反激，PFC电路，双管正激及LLC等软开关拓扑，这给电源转换装置设计者以极大的便利：可根据设计要求选定不同的电路方案，而功率开关却只需限定一种即可。

　　

　　图1 CE系列CoolMOS概况

　　CE系列CoolMOS基于英飞凌超级结（superjunction）技术平台开发，而目前市场上多数应用于消费类电子产品和照明产品的功率MOSFET技术为标准MOSFET技术。超级结技术相比标准MOSFET技术，在多个关键参数上具有明显优势。

　　1. RDS（on）（漏源导通电阻）更低，导通损耗更低。 图2为传统标准MOS与CoolMOS在不同漏源耐压等级下漏源导通电阻与芯片面积积（RDS（on）×A）（在相同的芯片面积下等效于漏源导通电阻）对比情况，同时也给出了采用传统技术的“硅极限”曲线。从图中可知，采用传统标准工艺的MOS其漏源导通电阻随着耐压的增加而迅速增加，且无法小于理论的“硅极限”，而采用超级结技术的CoolMOS产品不但漏源导通电阻与芯片面积积远低于传统标准MOS及“硅极限”，而且基本不随耐压等级的上升而上升，因此CoolMOS在相同芯片面积下直流导通电阻更小，而相同直流导通电阻下芯片面积更小，即成本更低。

　　2. 寄生电容（Ciss，Crss，Coss）更低，开关特性更好，损耗更低。图3显示了CE系列CoolMOS（IPS65R1K5CE）与漏源导通电阻接近的标准MOSFET在寄生电容上的对比情况，图中实线为CE系列CoolMOS，虚线为标准MOSFET，从图中可知CE系列CoolMOS的三个寄生电容Ciss（等效输入电容），Crss（等效转移电容/米勒电容）及Coss（等效输出电容）都小于相应的标准MOSFET的电容。CE系列CoolMOS之所以有更低的寄生电容，同样是因为采用了超级结技术。由图2可知，在漏源导通电阻接近的情况下，采用超级结技术MOSFET的芯片尺寸更小，那么相应地寄生电容也更小。更小的Ciss和Coss确保驱动损耗和开关损耗更低；更小的Crss使得MOSFET门极振荡更小，可靠性更高，EMI特性更好。

　　3. 门极电荷更小，驱动损耗更低，开关速度更快。图4为CE系列CoolMOS与标准MOSFET门极电荷随漏源导通电阻变化的对比，由图可知CE系列CoolMOS在不同漏源导通电阻下的门极电荷都低于标准MOSFET的门极电荷，平均低40%左右。门极电荷更小，意味着相同驱动电压和频率下驱动损耗更小；相同驱动电流下MOSFET的开关速度更快；这都确保CE系列CoolMOS的损耗更低，效率更高。

　　4. 输出电容存储的能量更低，损耗更低。图5为CE系列CoolMOS（IPS65R1K5CE）与标准MOSFET输出电容存储能量Eoss对比情况。从图可知在漏源电压较高（>120V）情况下（对于高压MOSFET，其漏源电压不会低于120V，否则选择高压MOSFET就没有任何意义）CE系列CoolMOS输出电容存储的能量低于标准MOSFET。由于输出电容存储的能量在MOSFET开通后以热的形式损耗到MOSFET中，因此输出电容存储的能量越低，则MOSFET的损耗越低，效率越高。

　　

　　图2 不同耐压下RDS（on）与芯片面积积对比

图3 寄生电容对比

　　

　　图4 典型门极电荷对比

图5 输出电容存储能量对比

　　从以上参数对比我们可以看出，CE系列CoolMOS相比标准MOSFET在效率，可靠性等方面具有明显的优势。接下来我们通过在充电器和LED驱动器上的应用实例来验证CE系列CoolMOS的优越性能。

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