功率半导体分立器件包括哪些？

功率半导体器件（Power Electronic Device）又称为电力电子器件和功率电子器件，是指可直接用于处理电能的主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件，其作用主要分为功率转换、功率放大、功率开关、线路保护和整流等。

功率半导体大致可分为功率半导体分立器件（Power Discrete，包括功率模块）和功率半导体集成电路（Power IC）两大类，在半导体产业中的结构关系如图1所示。其中，功率半导体分立器件是指被规定完成某种基本功能，并且本身在功能上不能再细分的半导体器件。

1957年美国通用电气公司（GE）研制出世界上第一只工业用普通晶闸管（Thyristor），标志了功率半导体分立器件的诞生。功率半导体分立器件的发展经历了以晶闸管为核心的第一阶段、以MOSFET和IGBT为代表的第二阶段，现在正在进入以宽禁带半导体器件为核心的新发展阶段。

功率半导体分立器件包括以下几类：

功率二极管：功率二极管是最简单的功率器件之一，具有快速恢复、低开关损耗和高电压能力等特点，通常用于整流、反向保护、限流等应用。

功率晶体管：功率晶体管也称为MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），是一种可以控制电流流通的器件。它具有低开关损耗、高开关速度、低输入电流、可靠性高等特点，常用于电源开关、电机控制、照明等领域。

IGBT（绝缘栅双极性晶体管）：IGBT是一种结合了双极性晶体管和MOSFET的特点，具有高电压和高电流承受能力，低开关损耗和低导通电阻等优点，通常用于高压、高频电源开关、电机驱动、变频器等领域。

可控硅（SCR）：可控硅是一种可以控制电流流通的器件，具有可靠性高、适用范围广、控制电路简单等特点，常用于电源开关、电机控制、交流电源调节等领域。

晶闸管（GTO）：晶闸管是一种可控硅的升级版，可以在开关过程中控制电流，具有高电流承受能力和低开关损耗等特点，通常用于大功率、高频的电源开关和变频器等领域。

这些功率半导体分立器件在不同的应用领域具有不同的优势和特点，选择合适的器件可以满足不同的功率控制需求。