功率半导体器件鸟瞰 当代功率半导体器件大致可以分成三类:一是传统的各类晶闸管;二是近二十年来发展起来的功率MOSFET及其相关器件;三是由上述两类器件发展起来的特大功率器件。本文将重点讨论以功率MOSFET为主体的现代功率半导体器件,同时也将对比各种传统的功率器件,探讨相互间的联系及其对电力电子技术发展的影响。 功率半导体器件的历史可以追溯到早期的半导体整流器件,甚至远溯到上一世纪四十年代的氧化亚铜和硒整流器。但促使一门新学科——电力电子学诞生的却应归功于晶闸管(Thyristor)这个大家族,特别是具有较强逆变能力的快速和可关断晶闸管以及大功率双极性晶体管。因为电力电子技术是一门关于功率变换的技术。只有当逆变用器件有一定的发展后,才能形成一门专门的学科。 现在再来回顾一下二十多年前电力电子学刚形成时的功率半导体器件,其变化之巨大简直是难以想象的。许多功率半导体器件已经离开历史舞台。而最大的变化是:功率MOSFET从1979年诞生后,逐步改 变了整个功率半导体器件的面貌,从而使电力电子学的范围跨入了过去未曾涉足的信息领域。 1晶闸管及整流器件 上世纪六十到七十年代是晶闸管统治功率器件的全盛时代,到了八十年代,晶闸管的发展已完全成熟。而九十年代,作为中小功率用的逆变器件,逐步让位于MOSFET或IGBT。在许多传统的相控整流领域,开始逐步被开关整流所取代。但在特大功率范畴,双极性器件仍明显占主导地位。 为对比MOS器件的发展,现在来回忆一下晶闸管在技术方面的发展过程。可以看到,对器件的理解和要求是一个从静态到动态性能逐步认识和改善的过程。 (1)提高发射极注入效率及控制少子寿命,使晶闸管的电流容量有了迅速提高。双极性器件的大注入效应使其在取得大电流能力方面,显然优于单极型器件。这也是其后IGBT发展的基础。IGBT中的B字,即代表双极性的意思。 (2)改善表面造型及表面保护,使器件有较高的耐压和更好的可靠性。当时已有平面型的保护环技术(后来称为终端技术),但在高压领域内当时并未采用。其后采用了特殊辐照掺杂的区熔硅单晶,使高压器件有了更好的成品率。IGBT在第三到第五代的转变中,也采用了区熔硅单晶。 (3)引入短路发射极原理,使发射极下基区的电阻(简称横向电阻)为最小。以限制发射极在位移电流作用下产主注入,从而提高了器件的电压上升率(dv/dt)。这个原理也被MOSFET用来抑制寄生双极性晶体管起作用。 (4)引入放大门极原理,或称场引入原理。即以阳极电场引入门极周围,以迫使导通区扩展,从而改善器件的电流上升率(di/dt) (5)发展快速晶闸管(InverterSCR)以取得较高 的频率并用于逆变电路。在制造工艺上采用了降低少子寿命的方法,以降低关断时间(tq),从而降低开关损耗。同时也利用上述第(3)、(4)原理,以更好的动态特性来符合快速开关要求。有趣的是降低少子寿命的方法以后甚至用在不牵涉少子的多子型器件中,这是因为必须控制寄生的本征二极管的关断特性。 (6)发展更为“安全”使用的晶闸管。换言之,使器件能经受一定的电压电流尖刺,成为更可靠的晶闸管。如近年来发展的SAFEIR。 (7)发展双向晶闸管(Triac)以更适合于中小功率的交流电路。各类双向器件的设想是根据应用的需要而产生的,但真正实现的恐怕只剩下Triac。这也许是因为制造双向器件增加了复杂性,却又可以用单向器件去代替它。从技术而言,是更好地控制各个发射极下的基区电阻。利用横向电阻使器件具有四象限的导通能力。这和提高电压上升率的措施刚好相反。 (8)发展可关断晶闸管(GTO)以使晶闸管成为可用门极自关断的器件。从技术而言,是将晶闸管内的两个晶体管的增益做得尽可能小。即降低注入效率(薄发射极或逆导)和降低少子寿命。从而使其易于关断。中小功率的利用PNPN原理的可关断器件始终未能占领市场,这可能是因为当“闸门”打开后,要切断并不如一般的晶体管这么容易或是在制造成本上并不合算。 (9)发展塑封包装或模块,使器件进一步减小体积。甚至包括表面贴装型的塑封晶闸管(SMALLIR)。为此,方片晶闸管有很大发展。也有采用平面型场终端技术来代替传统的挖槽加玻璃钝化技术。 (10)整流器件是始终不会衰退的器件。只是它们的性能在不断改进。如近年来仍在不断发展的快恢复二极管和快恢复外延二极管(QUIETIR)。主要是希望做到恢复又快又软,少起振荡。 2MOSFET及其相关器件 上世纪八十年代是MOS器件和晶闸管并行发展的年代。到了九十年代MOS器件迅速占领了相当大部分的中小功率器件市场,尤其是在逆变领域。 早期的MOS器件发展,多少沿用了传统功率半导体器件的发展思路。例如曾采用金属外壳并发展了多种大电流MOSFET模块。但其后MOSFET的发展就大大不同于传统器件。它首先在开关电源方面取得了迅速发展,提高电路效率成为其更重要的任务。目前它的应用范围主要有通信(包括手机)、汽车、电脑及便携式电器、工业、航天、家电、办公用品等等。目前其世界市场约为二、三十亿美元。 由于应用范畴的变化,MOSFET的发展必须符合新的要求。对电脑CPU而言,要求MOSFET用于愈来愈低电压的电源。对便携式电源而言,降低损耗缩小体积又成为首要任务。所以我们会看到愈来愈低电压、愈来愈小的器件。但也不能只考虑低电压器件的发展。如对汽车而言要配合汽车电源向42V的转移,则器件电压要比传统汽车用的更高些。电视、显示器、照明等等仍需要市电电压。空调器等,还需用IGBT以运行于稍大的功率。工业应用时,如焊接电源,就更需用IGBT模块了。 从技术的发展来看,MOS型器件的发展和上述晶闸管的发展也有相似之处,即从静态到动态的逐步深化的认识和改进过程。据称:IR公司在发展更好的MOSFET性能中,经历了如下过程:BV(82)?Rds(86)?Qg(95)?Qgsw(97)?Rg(99)?dv/dt,di/dt(99)?Coss(99)?Rθ(00)。现就主要参数的改进,简略叙述如下: (1)降低Rdson以增加其电流容量(或降低功率损 耗)。其方法有:增加原胞密度,采用沟槽式(Trench)结构等等。 (2)采用一定的终端设计,或特殊结构以改善电 压和电流的关系。 (3)发展IGBT,以增加器件的功率容量。IGBT的 进一步改进是采用区熔单晶片代替外延片,以增加器件的耐用性,特别是指1200V的IGBT。 (4)降低栅电荷Qg,从而减小开关损耗,或改变 原胞结构为条状(Stripe)结构以降低栅电荷。 (5)减小基区横向电阻,以增加电压上升率和抵 抗电压尖刺的能力。 (6)降低其本征二极管的少子寿命,以保证恢复 时二极管的有效关断。同时也应提高二极管的雪崩能力,以承受反向电流上升率引起的电压脉冲尖刺。 (7)肖特基管在MOSFET应用中扮演着十分重要 的角色。为增加耐压,就有肖特基和PN结相结合的 HEXFRED,这是IGBT的主要伙伴。为取得更好的软恢复特性就有特殊的快恢复二极管发展(FRD)。 (8)发展功率集成电路,以配合MOSFET或IGBT 的触发或进行保护。实质上是功率集成电路使电力电 子技术取得更宽广的发展领域并加快了发展过程。不同应用范围通常采用不同的控制集成电路。例如近期发展的电机调速用的软启动IC,电流采样IC,驱动加保护IC等等。 (9)结合不同应用发展不同特点的MOSFET,例 如为同步整流发展了低电压的具有极小Rdson的器件,对线路中的另一MOSFET则在兼顾Rdson的同时还心须使其具有很低的Qg。另一个例子是对航天应用的MOSFET,必须采取特殊工艺使其能耐辐射。即所谓Radiation?hardened(RAD?HARD)功率MOSFET。在火星上的移动车中早已采用了该类器件。 (10)发展组合型器件甚至子系统。例如在DC/ DC更换中,可采用FETKY以代替MOSFET和一个肖特基。现在己把FETKY和另一个MOSFET组合在一起,被称为双FETKY(DualFETDY)。而最新的多芯片模块MCM也己出现,那是在DualFETKY基础上又把脉宽调制集成电路PWMIC也组合在内。再进一步的发展将把MCM再集成在一个更大的厚膜电路内,说明器件的发展正逐步趋向于制造愈益完整的子系统。 (11)发展专用模块。除了大家已比较熟悉的IPM外,现在已有了用于调速系统的更为完整的模块。此外正在发展的还有APM及许多专为汽车电子设计的专用模块。这与(10)所提的有许多相似之处。实际上,从单芯片到多芯片,从厚膜电路到模块,无非是考虑更合适的包装和更有效的功率耗散而己。 (12)发展不同的引线焊接方法和外壳包装。由于芯片的Rdson己大幅度下降,在某些器件中,引线电阻己到了可和芯片内阻可比拟的程度。因而也有舍弃了常规的超声焊铝丝而改用铜带焊接(CopperStrap)的器件。对常规包装也设法稍作改变以焊上更大的芯片,如被称为Fullpak的TO220及TO247器件等等。由于应用的需要也正在发展愈来愈小的外壳。最新的发展是:一种无外壳的FlipFET已经诞生。这是一种相当神奇的MOSFET,因为漏和源的电极居然都在同一个表面上。被誉为是具有最大芯片和管脚比(即100%)的器件。(见图1) 从上面的叙述来看,虽然晶闸管和MOSFET应用范围相当不同,但其性能改进的思路是类似的。由于MOSFET的发展涉及面很广,上面的叙述显然还不能包括全部。 功率半导体器件更进一步的发展有可能采用新的半导体材料,现在在专业会议上讨论比较多的有碳化硅器件。另外锗硅和镓砷材料也有可能发展。但硅材料在相当长的一段时间内仍会占主导地位。 3特大功率器件 它是从传统晶闸管发展起来的。但由于MOS型器件的出现,它又取得了新的思路和发展的途径。简略来说,它们包括: (1)SCR:晶闸管的容量仍在继续扩大,现在的商 品已有了采用5英寸硅片的单个高压器件。其电压己达(7~8)kV。 (2)GTO:在自关断大功率半导体器件方面,现在 正在向三个方面发展,首先就是传统可关断晶闸管(GTO)的发展,其商品容量己达6000V/3000A。 (3)IGBT:其次是由MOSFET发展起来的IGBT 自然是另一种自关断器件,大功率器件制造厂正在迅速增大IGBT容量,有模块型,也有传统的大饼型。其最高电压已能达4500V,电流可为1800A。 (4)IGCT:最后是一种特殊结构的GTO(如透明 阳极,即阳极少子注入率极低的GTO)和特殊的外围MOS关断电路组合在一起的器件(IGCT)。由于其门极关断电路的感抗特低,所以可以瞬时流过极大的关断电流去关断GTO。目前电压可达(4.5~6)kV,电流可达(250~4000)A。上述三种自关断器件在工艺上都有相互借鉴之处。当然在应用中也各有其适用的方向。 这些大功率器件对我国的电力系统,高压直流输电,大电网联网,铁路、地铁、轻轨车牵引等方面,都具有关键意义。 当年Newell曾以“浮现于被遗忘的地带”为篇名介绍了电力电子学这门边缘学科。此后美国的电气电子工程师协会IEEE专门为这门学科设立了电力电子学会。我国的电力电子工作者,在更早的时候就开始筹建电力电子学会。在上世纪八十年代初,这个学会有了很快的发展。在相似时间成立的中国电源学会,现在也已成为发展新型电力电子技术的主要力量。电力电子技术在中国早就不再是位于一个被遗忘的地带,它不仅曾经为我国的电力、重工业、轻工业、交通的发展作出了贡献,近年来也正在为信息产业的腾飞提供最好的能源。功率半导体则是运用各种电力电子技术的必要工具。 图2列出了各种主要功率半导体器件,也暂且把它们分为三类:即传统的双极性器件,MOSFET及其相关器件,特大功率器件等。请对比上世纪七十年代后期的一棵功率半导体器件“大树”以及上世纪八十年代后期的一栋功率半导体器件的“对称建筑”,可以看出这二十年来变化之巨大。图3列出了一个大致的鸟瞰图,对市场作了一粗略的介绍,离开全貌还有不少距离。希望以后还能进一步补充。 图1FlipFET及历年芯片?管脚比的增加
图2功率半导体器件概貌
图3现代功率半导体器件及其市场鸟瞰图 |
功率半导体器件鸟瞰
- 半导体(200957)
相关推荐
什么是半导体?功率半导体器件的分类 功率MOS器件结构及工作原理
电子电力器件又称为功率半导体器件,在世界上已经得到了极为广泛的运用,主要是作为开关和放大器来使用。它出现在社会生活中的各个方面,如医疗、教育、能源、环境和航空航天,甚至涉及到了现代化国防武器装备
2023-11-10 10:15:031967
功率半导体器件学习笔记(1)
功率半导体器件,以前也被称为电力电子器件,简单来说,就是进行功率处理的,具有处理高电压,大电流能力的半导体器件。典型的功率处理,包括变频、变压、变流、功率管理等等。早期的功率半导体器件:大功率二极管
2023-12-03 16:33:191140
功率半导体器件应用手册
功率半导体器件应用手册功率半导体器件应用手册——弯脚及焊接应注意的问题本文将向您介绍大家最关心的有关TSE功率半导体器件封装的两个问题:一、 怎样弯脚才能不影响器件的可靠性?二、 怎样确保焊接
2008-08-12 08:46:34
功率半导体器件的定义及分类
电力电子器件(Power Electronic Device),又称为功率半导体器件,用于电能变换和电能控制电路中的大功率(通常指电流为数十至数千安,电压为数百伏以上)电子器件。可以分为半控型器件
2021-09-09 06:29:58
功率半导体模块的发展趋势如何?
功率半导体器件以功率金属氧化物半导体场效应晶体管(功率MOSFET,常简写为功率MOS)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)以及功率集成电路(power IC,常简写为PIC)为主。
2020-04-07 09:00:54
半导体功率器件的分类
近年来,全球半导体功率器件的制造环节以较快速度向我国转移。目前,我国已经成为全球最重要的半导体功率器件封测基地。如IDM类(吉林华微电子、华润微电子、杭州士兰微电子、比亚迪股份、株洲中车时代半导体
2021-07-12 07:49:57
半导体塑封设备
本人小白,最近公司想上半导体器件的塑封生产线,主要是小型贴片器件封装,例如sot系列。设备也不需要面面俱到,能进行小规模正常生产就行。哪位大神能告知所需设备的信息,以及这些设备的国内外生产厂家,在此先行感谢!
2022-01-22 12:26:47
半导体的定义及其作用
半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料,它在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用,如二极管就是采用半导体制作的器件。无论从科技或是经济发展的角度来看
2021-09-15 07:24:56
半导体的热管理解析
功率半导体的热管理对于元件运行的可靠性和使用寿命至关重要。本设计实例介绍的爱普科斯(EPCOS)负温度系数(NTC)和正温度系数(PTC)热敏电阻系列,可以帮助客户可靠地监测半导体元件的温度。
2020-08-19 06:50:50
GaN基微波半导体器件材料的特性
材料。与目前绝大多数的半导体材料相比,GaN 具有独特的优势:禁带更宽、饱和漂移速度更大、临界击穿电场和热导率更高,使其成为最令人瞩目的新型半导体材料之一。目前,GaN 基发光器件的研究已取得了很大
2019-06-25 07:41:00
RF功率器件特性与建模
为满足晶体管用户的需求,有源器件的功率密度持续增长。商用无线通讯、航空电子、广播、工业以及医疗系统应用推动固态功率封装随着更小输出级器件输出更高输出功率的要求而发展。对飞思卡尔半导体公司而言,为这些
2019-07-05 06:56:41
RF功率器件的性能
为满足晶体管用户的需求,有源器件的功率密度持续增长。商用无线通讯、航空电子、广播、工业以及医疗系统应用推动固态功率封装随着更小输出级器件输出更高输出功率的要求而发展。对飞思卡尔半导体公司而言,为这些
2019-07-09 08:17:05
ROHM最新功率元器件产品介绍
前言全球知名半导体制造商ROHM利用多年来在消费电子领域积累的技术优势,正在积极推进面向工业设备领域的产品阵容扩充。在支撑"节能、创能、蓄能"技术的半导体功率元器件领域,ROHM
2019-07-08 08:06:01
【基础知识】功率半导体器件的简介
功率半导体器件概述功率半导体器件基本概念功率半导体器件(Power Semiconductor Device)又称电力电子器件(Power Electronic Device)。1940年贝尔实验室
2019-02-26 17:04:37
中国半导体器件型号命名方法相关资料分享
管、X-低频小功率管(F1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件
2021-05-25 08:01:53
主流的射频半导体制造工艺介绍
1、GaAs半导体材料可以分为元素半导体和化合物半导体两大类,元素半导体指硅、锗单一元素形成的半导体,化合物指砷化镓、磷化铟等化合物形成的半导体。砷化镓的电子迁移速率比硅高5.7 倍,非常适合
2019-07-29 07:16:49
什么是半导体磁敏元件?
基于霍耳效应的半导体磁电转换传感器。在磁场测量以及利用磁场作为媒介对位移、速度、加速度、压力、角度、角速度、流量、电流、电功率等许多非电量测量中,半导体磁敏元件是一种重要的器件。磁敏元件分霍耳元件
2019-09-10 10:42:32
什么是基于SiC和GaN的功率半导体器件?
元件来适应略微增加的开关频率,但由于无功能量循环而增加传导损耗[2]。因此,开关模式电源一直是向更高效率和高功率密度设计演进的关键驱动力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半导体器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
全球功率半导体市场格局:MOSFET与IGBT模块
功率半导体器件在工业、消费、军事等领域都有着广泛应用,具有很高的战略地位。功率半导体产品可以分为功率器件、电源管理 IC 和功率模组三大类。图:功率半导体产品分类来源:国金证券研究所随着下游电气化
2022-11-11 11:50:23
哪些因素会给半导体器件带来静电呢?
根据不同的诱因,常见的对半导体器件的静态损坏可分为人体,机器设备和半导体器件这三种。
当静电与设备导线的主体接触时,设备由于放电而发生充电,设备接地,放电电流将立即流过电路,导致静电击穿。外部物体
2023-12-12 17:18:54
常用半导体器件型号命名法
;第五部分表示规格。具体规定见表 3.1 所示。2.日本常用半导体器件的型号命名标准 3.美国常用半导体器件的型号命名标准 4.常用的整流二极管型号及性能 5.硅高频小功率三极管参数 6.部分国外硅高频
2017-11-06 14:03:02
常用的功率半导体器件你都认识吗?
电力电子器件(Power Electronic Device),又称为功率半导体器件,用于电能变换和电能控制电路中的大功率(通常指电流为数十至数千安,电压为数百伏以上)电子器件。可以分为半控型器件
2019-03-03 07:00:00
未来5年,GaN功率半导体市场会发生哪些变化?
`根据Yole Developpement指出,氮化镓(GaN)组件即将在功率半导体市场快速发展,从而使专业的半导体企业受惠;另一方面,他们也将会发现逐渐面临来自英飞凌(Infineon)/国际
2015-09-15 17:11:46
电源管理半导体的新进展
电源管理半导体的新进展1979年电力电子学会在我国成立,此后,人们开始把用于大功率方向的器件称为电力半导体。由于微电子学把相关的器件称为微电子器件,从而也有了电力电子器件之称。电力半导体和电力
2009-12-11 15:47:08
碳化硅半导体器件有哪些?
由于碳化硅具有不可比拟的优良性能,碳化硅是宽禁带半导体材料的一种,主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等,因此被应用于各种半导体材料当中,碳化硅器件主要包括功率二极管和功率开关管
2020-06-28 17:30:27
碳化硅陶瓷线路板,半导体功率器件的好帮手
在电力电子行业的发展过程中,半导体技术起到了决定性作用。其中,功率半导体器件一直被认为是电力电子设备的关键组成部分。随着电力电子技术在工业、医疗、交通、消费等行业的广泛应用,功率半导体器件直接影响
2021-03-25 14:09:37
第三代半导体材料盛行,GaN与SiC如何撬动新型功率器件
、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。 在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。SiC功率器件在C波段以上受频率的限制,也使其使用受到一定的限制;GaN功率管因其
2017-06-16 10:37:22
风力发电技术与功率半导体器件及控制系统
风力发电技术与功率半导体器件及控制系统通过风能获得太阳的能量并非新鲜事物,但当今的功率半导体器件与控制系统却使这种能源更加适用。 &nb
2009-03-04 15:49:0623
半导体器件的热阻和散热器设计
半导体器件的热阻和散热器设计
半导体器件的热阻:功率半导体器件在工作时要产生热量,器件要正常工作就需要把这些热量散发掉,使器件的工作温度低于其
2010-03-12 15:07:5263
电力半导体器件
第1章 电力半导体器件 1.1 电力半导体器件种类与特点 1.2 功率二极管 1.3 功率晶体管 1.4 功率场效应管 1.5 绝缘栅极双极型晶体管 1.6 晶闸
2010-12-05 21:53:0234
半导体器件,半导体器件的种类
半导体器件,半导体器件的种类
半导体器件从肯有2个管脚的二极管到最新的系统LSI、超大功率器件均有广泛的研究,且被广泛地运用于手机、数码家电产品
2010-03-01 17:25:025984
IGBT场效应半导体功率器件导论免费下载
《IGBT场效应半导体功率器件导论》以新一代半导体功率器件IGBT为主线,系统地论述了场效应半导体功率器件的基础理论和工艺制作方面的知识,内容包括器件的原理、模型、设计、制
2011-11-09 18:03:370
功率半导体器件的直接均流技术的解析
无论是基础功率半导体器件,如:整流二极管(Rectifier diodes 简称RD,含快恢复整流二极管FRD)、晶闸管(SCR,含快速、高频晶闸管)、双向晶闸管(Triac)、逆导晶闸管(RCT
2017-10-31 10:19:4112
功率半导体的优劣势分析_功率半导体器件用途
本文介绍了什么是功率半导体器件,对功率半导体器件分类和功率半导体器件优缺点进行了分析,分析了功率半导体模块的发展趋势以及功率半导体器件的基本功能和用途。
2018-01-13 09:19:4317515
功率半导体器件的研究意义在哪里
本文首先介绍了功率半导体器件分类,其次介绍了大功率半导体器件的发展及国内外功率半导体器件的发展,最后介绍了功率半导体器件的研究意义。
2018-05-30 16:07:3914983
13种常用的功率半导体器件介绍
电力电子器件(Power Electronic Device),又称为功率半导体器件,用于电能变换和电能控制电路中的大功率(通常指电流为数十至数千安,电压为数百伏以上)电子器件。
2018-12-27 10:56:3449375
功率半导体器件基础PDF电子书免费下载
本书系统介绍了电力电子领域广泛应用的各类功率半导体器件。由浅入深地介绍了器件的基本结构、物 理机理、设计原则及应用可靠性,内容以硅功率半导体器件为主,同时也涵盖了新兴的碳化硅功率器件。全书 首先
2019-06-27 08:00:00499
中国半导体功率器件品牌公司
昨日,第十三届中国半导行业协会分立器件年会暨2019年中国半导体器件技术创新及产业发展论坛在青岛顺利召开。在会上,中国半导行业协会公布了中国半导体行业功率器件十强,让我们对中国半导体在这个细分领域有了更深刻的见解。
2019-09-09 17:06:4910868
功率半导体器件基础应该学习什么教材
功率半导体器件 亦称电力电子器件 、半 导体集成电路和光电器件是当前我国七个战略性新兴产业之一的 “新一代信息产业 ”的基础和关键技术 。同时 , 功率 半导体器件还被认定为融合工业化和信息化的最佳
2020-03-09 15:35:0018
功率半导体器件的分类与封装介绍
01功率半导体器件 功率半导体器件,也就是我们说的电力电子器件,是一种广泛用于电力电子装置的电能变换和控制电路方面的半导体元件。电力电子装置的基本构思是把连续的能量流切割成能量小包,处理这些
2022-12-02 17:07:193802
什么是IGBT?功率半导体元器件的特点
除了IGBT外,功率半导体元器件(晶体管领域)的代表产品还有MOSFET、BIPOLAR等,它们主要被用作半导体开关。
2021-05-24 06:07:0013963
什么是功率半导体器件,功率半导体器件的功能是什么
的应用。 如二极管就是采用半导体制作的器件。半导体是指一种导电性可受控制,范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看,半导体的重要性都是非常巨大的。 今日大部分的电子产品,如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的
2020-12-15 15:58:3811279
功率半导体器件已是全球第二大半导体产业
大规模集成电路和功率半导体器件并称为拉动半导体产业发展的两驾马车。如果我们将大规模集成电路比作现代社会的“数字大脑”,那么功率半导体器件则是现代社会的“电力心脏”。只有使用功率半导体器件和技术,才能
2020-12-16 10:36:113589
半导体之功率半导体器件生产端分析
前言 功率半导体器件是电力电子技术及其应用装置的基础,是推动电力电子变换器发展的主要源泉。功率半导体器件处于现代电力电子变换器的心脏地位,它对装置的可靠性、成本和性能起着十分重要的作用。40 年来
2022-03-25 15:59:005850
功率半导体器件有哪些? 优缺点如何?(文末有惊喜)
常见的功率半导体器件有哪些? 功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心,主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。按照分类来看,功率半导体可以分为功率IC和功率分立器件两大类,其中功率
2022-11-17 08:15:022966
功率半导体用于什么领域
功率半导体用于电力电子领域。使用固态设备,电力电子控制和转换系统中的电力。这些包括汽车、手机、电源、太阳能逆变器、火车和风力涡轮机。
常常有人将功率器件和功率半导体混为一谈,其实功率半导体包括
2023-02-02 17:11:482360
功率半导体分析
功率半导体是对功率进行变频、变压、变流、功率放大及管理的半导体器件,不但实施电能的存储、传输、处理和控制,保障电能安全、可靠、高效和经济的运行,而且将能源与信息高度地集成在一起。虽然功率半导体器件
2023-02-06 14:16:03928
什么是功率半导体?
功率半导体包括两部分:功率器件和功率IC,功率器件是功率半导体分立器件的分支,而功率IC则是将功率半导体分立器件与各种功能的外围电路集成而得来。
2023-02-06 14:27:212490
了解功率半导体分立器件分类有哪些!
全控器件:通过控制信号既能够控制其导通,又能够控制其关断的功率半导体分立器件, 器件有绝缘栅双极晶体管、功率场效应晶体管、门极可关断晶闸管等;
2023-02-07 09:56:041202
不常见的半导体功率器件介绍
近年来,万物互联的呼声越来越高,几乎全行业的电子化发展都与功率半导体器件挂钩,大大增加了对功率半导体器件的需求。根据功能和使用场景的不同,功率器件自 然就分为了常见的和不常见的类型,上次我们列举了常见的功率器件,这次我们再来聊一聊不常见的功率器件有哪些。
2023-02-15 16:33:471
IGBT功率半导体器件
IGBT在MOSFET基础上升级,市场空间增速快。IGBT作为半导体功率器件中的全控器件,由BJT(双极型三极管)和MOSFET(绝缘栅型场效应
管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件
2023-02-15 16:26:3234
功率半导体基础知识_半导体功率器件清洗必要性
关键词导读:半导体功率电子、功率器件清洗、水基清洗技术 导读:目前5G通讯和新能源汽车正进行得如火如荼,而功率器件及半导体芯片正是其核心元器件。如何确保功率器件和半导体芯片的品质和高可靠性
2023-02-15 16:29:2011
功率半导体器件的研究意义
功率半导体器件是电力电子技术及其应用装置的基础,是推动电力电子变换器发展的主要源泉。功率半导体器件处于现代电力电子变换器的心脏地位,它对装置的可靠性、成本和性能起着十分重要的作用。40年来,普通
2023-02-15 16:31:0223
功率半导体的工作原理是什么
功率半导体是一类能够控制和调节大电流和高电压的半导体器件。它可以将小信号控制电流或电压转换成大信号输出,广泛应用于电力电子、工业自动化、交通运输、新能源等领域。常见的功率半导体器件包括功率二极管
2023-02-18 11:17:031148
功率半导体分立器件包括哪些?
功率半导体大致可分为功率半导体分立器件(Power Discrete,包括功率模块)和功率半导体集成电路(Power IC)两大类,在半导体产业中的结构关系如图1所示。其中,功率半导体分立器件是指被规定完成某种基本功能,并且本身在功能上不能再细分的半导体器件。
2023-02-24 15:36:565005
功率半导体器件有哪些_功率半导体器件工艺流程
功率半导体器件是一种用于控制和转换大功率电能的半导体器件,主要包括以下几种类型:
二极管:功率二极管是一种只允许电流单向流动的半导体器件,常用于整流、反向保护等应用中。
2023-02-28 11:41:342705
功率半导体器件发展现状与前沿趋势
功率半导体器件一直是电力电子技术发展的重要组成部分,随着电力电子应用领域的不断扩展和电力电子技术水平的提高,功率半导体器件也在不断发展和创新。目前,功率半导体器件发展的主要趋势和方向包括以下几个方面
2023-02-28 11:22:193017
功率半导体分立器件你了解多少呢?
功率半导体分立器件的应用十分广泛,几乎覆盖了所有的电子制造业,传统应用领域包括消费电子、网络通信、工业电机等。近年来,新能源汽车及充电系统、轨道交通、智能电网、新能源发电、航空航天及武器装备等也逐渐成为了功率半导体分立器件的新兴应用领域。
2023-05-26 09:51:40573
逆势而上:中国在全球半导体功率器件领域的竞争之路
半导体功率器件在全球半导体市场中占有重要的位置,其在新能源、工业控制、汽车电子等领域的应用越来越广泛。然而,中国的半导体功率器件产业与全球领先的半导体产业国家相比,还存在一定的差距。本文将探讨中国的半导体功率器件产业的现状,与国际先进水平的差距以及未来的发展潜力。
2023-07-19 10:31:11603
功率半导体的知识总结(MOSFET/IGBT/功率电子器件/半导体分立器件)
功率半导体包括功率半导体分立器件(含模块)以及功率 IC 等。其中,功率半导体分立器件,按照器件结构划分,可分为二极管、晶闸管和晶体管等。
2023-07-26 09:31:035062
功率半导体的定义和分类 功率器件的应用
功率半导体,又称电力电子器件或功率电子器件,是电子产业链中最核心的一类器件之一。能够实现电能转换和电路控制,在电路中主要起着功率转换、功率放大、功率开关、线路保护、逆变(直流转交流)和整流(交流转直流)等作用。
2023-07-27 16:17:151630
常见的几种功率半导体器件
半导体是我们生活中使用的电器里比较常用的一种器件,那么你对半导体有多少了解呢?今天我们就从最基础的半导体功率器件入手,全面了解半导体的“前世今生”。
2023-09-15 09:49:25891
第三代宽禁带半导体碳化硅功率器件的应用
SiC器件是一种新型的硅基MOSFET,特别是SiC功率器件具有更高的开关速度和更宽的输出频率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN结组成。
在众多的半导体器件中,碳化硅材料具有低热导率、高击穿
2023-09-26 16:42:29342
浅谈功率半导体器件与普通半导体器件的区别
功率半导体器件与普通半导体器件的区别在于,其在设计的时候,需要多一块区域,来承担外加的电压,如图5所示,300V器件[1]的“N-drift”区域就是额外承担高压的部分。与没有“N-drift”区的普通半导体器件[2]相比,明显尺寸更大,这也是功率半导体器件的有点之一。
2023-10-18 11:16:21879
常见的几种功率半导体器件介绍
半导体是我们生活中使用的电器里比较常用的一种器件,那么你对半导体有多少了解呢?今天我们就从最基础的半导体功率器件入手,全面了解半导体的“前世今生”。
2023-11-02 10:29:34807
什么是功率半导体?
功率半导体,作为现代电子领域的关键组成部分,扮演着将电能转化、控制和分配到各种设备的重要角色。专门设计用于处理高功率电信号和控制电力流动的半导体器件,与低功率应用中使用的小信号半导体不同,功率半导体经过优化可以处理高电压、高电流和高温。
2023-11-06 15:10:27491
芯片小白必读中国“功率器件半导体”
一、功率器件在半导体产业中的位置功率半导体器件,简称功率器件,又称电力电子器件,属于半导体产品中的分立器件。功率集成电路也就是如下图的【功率IC】,典型产品有【电源管理芯片】和【各类驱动芯片
2023-11-08 17:10:15827
常见的几种功率半导体器件
半导体是我们生活中使用的电器里比较常用的一种器件,那么你对半导体有多少了解呢?今天我们就从最基础的半导体功率器件入手,全面了解半导体的“前世今生”。
2023-12-14 09:25:09451
评论
查看更多