电子元器件在使用过程中，常常会出现失效和故障，从而影响设备的正常工作。文本分析了常见元器件的失效原因和常见故障。
2016-06-14 11:18:09
4754 碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化镓 (GaN) HEMT 等宽带隙 (WBG) 功率器件的采用目前正在广泛的细分市场中全面推进。在许多情况下，WBG 功率器件正在取代它们的硅对应物，并在
2022-07-29 14:09:531842 
在过去几年中，氮化镓 (GaN) 在用于各种高功率应用的半导体技术中显示出巨大的潜力。与硅基半导体器件相比，氮化镓是一种物理上坚硬且稳定的宽带隙 (WBG) 半导体，具有更快的开关速度、更高的击穿强度和高导热性。
2022-07-29 10:52:002073 
功率转换器中使用的半导体开关技术是改进的关键，而使用碳化硅 （SiC） 和氮化镓 （GaN） 的新型宽带隙（WBG） 类型有望取得重大进展。让我们详细研究一下这些优势。
2022-07-29 08:07:58617 
在于，一些法规规定了特定类型电子设备的最低功率因数 （PF） 水平。 设计人员面对在不断缩小的外形尺寸内提高整体性能的持续压力，为了符合这些法规，他们正在转向利用数字控制技术和宽带隙半导体（如碳化硅 （SiC） 和氮化镓（GaN））进行有源 PFC 设计。 本文
2023-10-03 14:44:002092 
设计出色功效的电子应用时，需要考虑使用新型高性能氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）技术的器件。与电子开关使用的传统硅解决方案相比，这些新型宽带隙技术具有祼片外形尺寸小、导热和热管理性能优异、开关损耗
2023-10-12 16:18:563228 
的改进。GaN晶体管可以显著和即时地提高功率转换效率，并且可以提供额外的优势，包括更小的尺寸和更高的可靠性。 因此，这些器件渗透到电源适配器和壁式充电器、电动汽车充电系统、工业和医疗电源以及电机驱动器等重要应用的新设计中。随着
2023-10-25 16:24:432453 
提高功率密度和缩小电源并不是什么新鲜事。预计这一趋势将持续下去，从而实现新的市场、应用和产品。这篇博客向设计工程师介绍了意法半导体（ST）的电源解决方案如何采用宽带隙（WBG）技术，帮助推动器件
2023-11-16 13:28:339930 
宽带功率放大器的结构与原理宽带功率放大器的设计仿真及优化
2021-04-21 07:08:01
宽带隙器件的技术优势实际应用中的宽带隙功率转换
2021-02-22 08:14:57
提高VNA测量精度和可靠性的分析
2019-09-16 09:30:25
加工。传统电化学加工采用直流电源存在加工精度低，加工质量差的问题。而高频超短脉宽脉冲电源应用到电解加工中，极大地提高了电解加工的精度。因此，该实验采用了西安安泰电子宽带功率放大器ATA-122D搭建
2020-02-19 13:04:03
图上显示复数阻抗、SWR和延迟。这些分析仪也利用先进的矢量误差校正技术提高测量精度。对于测试更宽输出功率级范围的有源和无源器件，选件1E1增加了作为标准特性的60dB步进衰减器，它可把***低功率级
2019-12-22 19:13:40
众多电子信息系统的性能。已有文献报道采用SiC 功率器件制作了宽带脉冲功率放大器， 并进行了性能测试和环境试验， 证实了SiC 功率器件可靠性较高、环境适应能力较强等特点。
2019-08-12 06:59:10
满足市场需求，使用硅的新器件年复一年地实现更大的功率密度和能效，已经越来越成为一个巨大的挑战。从本质上讲，芯片的演进已经接近其基础物理极限。但是，为什么说宽带隙半导体的表现已经超越了硅呢？
2019-07-30 07:27:44
说到功率转换电子器件，每位设计师都希望用到损耗最小的完美半导体开关，而宽带隙碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）器件通常被认为是接近完美的器件。不过，想要达到“完美”，只靠低损耗是远远不够的。开关必须
2023-02-05 15:14:52
MS-2204：利用isoPower器件屏蔽电源，从 而提高精度
2019-05-28 17:18:34
低损耗、高隔离度及结构紧凑等特点，但是由于受到机械加工的影响，波导分支数有一定的限制，这样会导致在毫米波段波导分支结构的带宽受到严格的限制。在功率合成技术中，采用宽频带特性的功率合成网络，可以大幅度提高
2019-06-19 06:26:05
如何提高AD精度？
2015-09-27 12:35:59
如何提高转换精度？
2022-01-27 07:56:27
` 高精度功率分析仪是如何炼成的？ 功率分析仪的基本功能是一台多通道的高精度功率测量仪器，可以精确测量多相高电压和大电流，计算有功功率P、无功功率Q、视在功率S、功率因数、相位、能量累计等参数
2018-03-14 11:24:32
随着在晶体管制造中引入诸如氮化镓 (GaN) 等新型宽带隙材料，品质因数的显著改善转化为电源的潜在改良。 在这篇包括两个部分的博客系列中，我将讨论这些新型宽带隙材料是怎样能让新设计从中受益的。 采用
2018-08-30 14:43:17
`高精度功率分析仪 横河 Yokogawa WT3000/E WT3000基本功率精度达到读数的±0.02%，测量带宽为DC和0.1Hz~1MHz，最多可配置4个输入单元，可提供高精度的输入/输出
2021-06-03 16:56:51
求购Fluke 4000/5000高精度功率分析仪联系人：雷先生电 话：*** 服务QQ：189963989温馨提示：如果您找不到联系方式，请在浏览器上搜索一下 "金顺通电子仪器"
2021-11-03 14:24:27
求推荐高精度高宽带的运放，带宽可以达到10M左右，精度也希望高一些~
2013-07-05 15:11:16
电子产品故障类别中，偶发故障由于故障现象的不可重复性，通常查找原因较为困难。本文针对一种电机控制器产品出现的通信偶发故障现象，通过认真细致的分析辅以器件硬件检查结果，最终确定故障原因是塑封集成电路
2021-02-03 06:21:10
`福禄克NORMA4000/5000高精度功率分析仪供应 东莞市捷鑫仪器联系人： 罗路平手机：***微信同号Q Q：599201556地址：广东省东莞市塘厦镇清塘北街16号经营范围：销售：电子仪器
2019-10-30 18:21:15
伎俩。 目前国内及国际上变频电量测量的功率分析仪尚无统一的产品标准和检定规程，某些进口高精度功率分析仪商家利用了用户对变频电量测量普遍缺乏认知和产品鉴别力的现实，在产品的宣传方面的措词明示或者暗示
2014-03-05 14:16:00
没有设定雪崩功率，会在过电压下瞬间失灵。不过制造商设置的额定值与绝对最大值之间还留有很大的余地。宽带隙器件的短路能力评估仍在继续，要达到故障前几微秒内的合理数值。我们已经注意到，发生过电流事件时，器件
2023-02-05 15:16:14
`高精度功率分析仪 WT3000E 目前光伏逆变器等设备的整体工作效率已达到90%至96%。要进一步提高效率，即使是几个小数点，对制造商来说也是件极具挑战且至关重要的事情。WT3000E作为全球
2018-08-30 09:38:38
在对传统典型CMOS带隙电压基准源电路分析基础上提出了一种高精度，高电源抑制带隙电压基准源。电路运用带隙温度补偿技术,采用共源共栅电流镜,两级运放输出用于自身偏置电路
2010-08-03 10:51:34
0
功率MOSFET雪崩击穿问题分析
摘要：分析了功率MOSFET雪崩击穿的原因，以及MOSFET故障时能量耗散与器件温升的关系。和传统的
2009-07-06 13:49:386684 
SiC功率器件的封装技术要点
具有成本效益的大功率高温半导体器件是应用于微电子技术的基本元件。SiC是宽带隙半导体材料，与S
2009-11-19 08:48:432709 什么是宽带隙半导体材料
氮化镓、碳化硅和氧化锌等都是宽带隙半导体材料，因为它的禁带宽度都在3个电子伏以上，在室温下不可
2010-03-04 10:32:487717 本文对KURT_Linux、RT-Linux提高时钟精度的方法进行分析，采用一种动态的多模式时钟机制来提高Linux的时钟精度，并通过分析测试证明该方案确实可行。
2011-05-20 09:39:487218 
为了提高系统可靠性并降低保修成本，设计人员在功率器件中加入故障保护电路，以免器件发生故障，避免对电子系统造成高代价的损害。
2011-07-22 11:40:302352 
针对一般失效机理的分析可提高功率半导体器件的可靠性. 利用多种微分析手段, 分析和小结了功率器件芯片的封装失效机理. 重点分析了静电放电( electrostatic d ischarge, ESD)导致的功率器
2011-12-22 14:39:3271 用西门子数控系统双电机驱动消隙功能提高机床传动精度
2016-04-25 10:10:077 新型光子带隙宽带双极化微带天线设计
2017-01-18 20:39:137 电磁带隙的超宽带阻带天线设计_何杨炯
2017-03-19 19:03:460 T型三电平拓扑结构的变流器以其输出电压畸变率低、转换效率高以及功率器件电压应力小等诸多优点，在配电网静止无功补偿领域得到了广泛的应用。针对T型三电平配电网静止同步补偿器功率器件开路故障问题，在分析T
2017-12-19 15:49:420 2018年宽带隙基准源半导体市场与技术发展趋势
2018-02-06 14:41:135 高精度功率分析仪根据特点有时也称宽频功率分析仪或变频功率分析仪。高精度功率分析仪是用于各类变频调速系统的电压、电流、功率、谐波等电量测试、计量的新型测量设备，是变频技术高速发展的必然产物，也是变频技术持续健康发展的重要基础仪器，更是变频设备能效评测不可或缺的工具。
2018-11-08 10:06:1810176 正是由于带隙，使得半导体具备开关电流的能力，以实现给定的电子功能;毕竟，晶体管仅仅是嵌入在硅基衬底上的微型开关。更高的能量带隙赋予了WBG材料优于硅的半导体特性。 相较于硅器件，WBG器件可以在较小
2019-08-28 12:31:0610332 
众所周知，封装技术是让宽带隙 (WBG) 器件发挥潜力的关键所在。碳化硅器件制造商一直在快速改善器件技术的性能表征，如单位面积的导通电阻 (RdsA)，同时同步降低电容以实现快速开关。新的分立封装即将推出，它能让用户更好地利用宽带隙快速开关性能。
2020-03-09 08:42:354646 宽带隙（WBG）开关器件由于其高速度和高效率而得到应用，这种器件可减小功率转换器的尺寸、重量和损耗。
2020-04-14 09:17:56975 
寻找硅替代物的研究始于上个世纪的最后二十年，当时研究人员和大学已经对几种宽带隙材料进行了试验，这些材料显示出替代射频，发光，传感器和功率半导体的现有硅材料技术的巨大潜力。应用程序。在新世纪即将来临
2021-04-01 14:10:192851 
电子元器件在使用过程中，常常会出现失效和故障，从而影响设备的正常工作。文章分析了常见元器件的失效原因和常见故障。
2022-02-09 12:31:2245 宽带隙 （WBG） 半导体器件的集成在多种技术应用中作为硅技术的替代品是一个不断增长的市场，它可以提供效率和功率密度的改进，这对能源和成本节约有很大的影响 。WBG 具有显着优势，例如更高的开关频率、更低的功率损耗和更高的功率密度。
2022-04-22 17:01:513058 
众所周知，与硅相比，碳化硅 （SiC） 和氮化镓 （GaN） 等宽带隙 （WBG） 半导体可提供卓越的性能。这些包括更高的效率、更高的开关频率、更高的工作温度和更高的工作电压。
2022-04-22 17:07:542830 
功率半导体注定要承受大的损耗功率、高温和温度变化。提高器件和系统的功率密度是功率半导体重要的设计目标。
2022-05-31 09:47:063203 
宽带隙半导体具有许多特性，这些特性使其对高功率、高温器件应用具有吸引力。本文综述了三种重要材料的湿法腐蚀，即ZnO、GaN和SiC。虽然ZnO在包括HNO3/HCl和HF/HNO3的许多酸性溶液中
2022-07-06 16:00:213281 
随着半导体器件尺寸的缩小和变得更加复杂，缺陷定位和故障分析变得更加关键，也更具挑战性。借助高密度互连、晶圆级堆叠、柔性电子器件和集成基板等结构元素，导致故障的缺陷有更多的隐藏空间。更糟糕的是，这些故障可能发生在设备封装阶段，导致产量下降和上市时间增加。
2022-07-25 08:05:311031 
宽带隙 (WBG) 半导体，例如氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC)，已经终结了硅在电力电子领域的主导地位。自硅问世以来，WBG 半导体被证明是电力电子行业最有前途的材料。与传统的硅基技术相比
2022-07-27 15:11:442339 了解半导体价带和导带的形成机制对于新材料生产的潜在技术影响至关重要。这项工作提出了一种宽带隙计算模型，突出了理解能带结构的理论困难，然后将其与实验数据进行了比较。
2022-07-29 11:18:021883 
使用宽带隙半导体的技术可以满足当今行业所需的所有需求。顾名思义，它们具有更大的带隙，因此各种电子设备可以在高电压、高温和高频率下工作。碳化硅 （SiC） 和氮化镓 （GaN） 是最近推出的宽带隙
2022-07-29 08:06:462460 
宽带隙器件可以是横向或纵向配置（见图 2）。漏极和栅极之间的距离越大，器件可以承受的击穿电压就越高。但是，如果我们将这个距离增加这么多，设备会在晶圆上占用过多的空间，从而增加整体成本。解决方案是垂直
2022-07-29 08:06:501032 
宽带隙 (WBG) 半导体极大地影响了使用它们的设备的可能性。材料的带隙是指电子从半导体价带的最高占据态移动到导带的最低未占据态所需的能量。
2022-07-29 15:10:452407 考虑到SiC MOSFET在高压应用中 与IGBT相比的技术优势，人们显然会为新设计选择宽带隙组件，尤其是在应用中驱动高功率密度和低损耗的情况下。
2022-07-29 08:07:12967 
碳化硅 (SiC) 是一种宽带隙半导体，近年来已成功应用于多种电源应用，与基于硅技术的传统组件相比，表现出卓越的品质。基于 SiC 的功率分立器件具有相关特性，包括高开关频率和工作温度、低传导损耗
2022-08-04 10:39:392036 
对硅替代品的探索始于上个世纪的最后二十年，当时研究人员和大学对几种宽带隙材料进行了试验，这些材料显示出在射频、发光、传感器和功率半导体等领域替代现有硅材料技术的巨大潜力应用程序。在新世纪之初，氮化镓
2022-08-05 11:58:281284 
宽带隙半导体 (WBG)，例如碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN)，与硅相比具有更出色的性能：更高的效率和开关频率、更高的工作温度和工作电压。EV 和 HEV 包括几个功率转换阶段，累积功率损耗
2022-08-08 10:21:491456 
数据中心和汽车系统中提供更高的功率水平。 随着连接设备的数量每天都在增加，更高效的电源转换可以在一定程度上降低为这些数十亿设备供电的总体财务成本。由于涉及的数量庞大，最近提高整体效率以降低环境成本变得同样重
2022-08-08 11:09:231126 
长期以来，硅基器件一直是半导体领域的基准标准。从 2007 年开始，由于摩尔定律的失败，复合材料被开发出来，特别关注宽带隙半导体，因为它们利用了重要的特性，与传统的硅对应物（如电力电子）相比，它们可以实现具有卓越性能的器件。
2022-09-11 09:29:001064 
宽带隙半导体是高效功率转换的助力。有多种器件可供人们选用，包括混合了硅和SiC技术的SiC FET。本文探讨了这种器件的特征，并将它与其他方法进行了对比。
2022-10-31 09:03:231598 针对要求最严苛的功率开关应用的功率分立元件和模块的封装趋势，从而引入改进的半导体器件。即碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽带隙类型，将显着提高功率开关应用的性能，尤其是汽车牵引逆变器
2022-11-16 10:57:401350 
用于光电子和电子的宽带隙和超宽带隙半导体
2022-12-22 09:32:251652 德州仪器 (TI) 宽带隙解决方案
2022-12-29 10:02:451684 
增加功率密度和缩小电源供应并不是什么新鲜事。这一趋势预计将继续下去，从而催生新的市场、应用和产品。此博客向设计工程师介绍 STMicroelectronics (ST) 电源解决方案如何结合宽带隙 (WBG) 技术来帮助推动设备小型化趋势。
2022-12-29 10:02:481440 
宽带隙增强功率转换
2023-01-03 09:45:08875 和电压需求关闭和打开谐振器。ADI iso功率器件允许通过外部引脚直接控制谐振电路，从而允许由公共PWM信号控制多个iso功率器件。当ADC进行高保真转换时，此功能可用于排除谐振电路噪声。®
2023-01-29 15:32:291653 
有一个明显感受，那就是宽带隙半导体器件正在得到越来越多应用。得益于宽带隙半导体材料的更高开关频率、更高工作温度和较低损耗，给系统带来巨大效率提升和设计便利。Allegro具有集成式导体的ACS37002是一款额定隔离电压为5kV、具备更高精度的400kHz带宽电流传感器，可
2023-02-01 21:30:011688 集成宽带隙(WBG)半导体器件作为硅技术在多种技术应用中的替代品，是一个不断增长的市场，可以提供效率和功率密度的改善，在能源和成本节约方面有很大的反响。WBG具有更高的开关频率、更低的功率损耗和更高的功率密度。继续阅读，了解更多关于基于WBG的半导体器件的广泛应用。
2023-02-02 16:36:162763 随着硅接近其物理极限，电子制造商正在转向非常规半导体材料，特别是宽带隙（WBG）半导体，如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）。由于宽带隙材料具有相对较宽的带隙（与常用的硅相比），宽带隙器件可以在高压、高温和高频下工作。宽带隙器件可以提高能效并延长电池寿命，这有助于推动宽带隙半导体的市场。
2023-02-05 14:25:151764 宽带隙半导体是一种具有宽带隙的半导体材料，其特性是具有较宽的能带隙，可以吸收和发射更多的光子，从而提高半导体器件的效率。它广泛应用于太阳能电池、激光器件、光电子器件等领域。
2023-02-16 15:07:082519 iso功率器件可用于接受消隐信号，并利用它们来控制开关噪声对高精度测量的负面影响，从而提高测量精度。
2023-04-04 11:06:592066 
在功率器件领域，除了围绕传统硅器件本身做文章外，材料的创新有时也会带来巨大的性能提升。比如，在谈论功率密度时，GaN（氮化镓）凭借零反向复原、低输出电荷和高电压转换率等突出优势，能够帮助厂商大幅提升系统密度，而另一种主流的宽带隙半导体材料SiC（碳化硅）也是提升功率密度的上佳选择。
2023-05-18 10:56:272254 
宽带隙半导体材料（如SiC）与更传统的半导体材料（如Si）相比具有许多优势。考虑带隙随着温度升高而缩小的事实：如果我们从宽带隙开始，那么温度升高对功能的影响要小得多。由于SiC具有宽带隙，因此它可以在更高的温度下继续工作，通常高达400°C。
2023-05-24 11:13:483185 在功率转换应用中，使用碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）材料的宽带隙（WBG）半导体器件作为开关，能让开关性能更接近理想状态。相比硅MOSFET或IGBT，宽带隙器件的静态和动态损耗都更低。此外还有
2023-07-11 09:20:021235 调查结果显示，SiC、GaN（氮化镓）等宽带隙半导体单晶主要用于功率半导体器件，市场正在稳步扩大。
2023-09-04 15:13:241214 
本文为大家介绍氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等宽带隙半导体器件用作电子开关的优势，以及如何权衡利弊。主要权衡因素之一是开关损耗，开关损耗会被高 di/dt 和 dv/dt 放大，造成电路
2023-09-21 17:09:321612 
和功率密度方面有了很大的提高，但效率已成为一个有待解决的重要问题。另外，早期应用的故障率远高于预期。高压LED 照明面临的主要挑战是继续提高功率密度和效率，并提升可靠性和经济性，以满足未来应用需求。本文将介绍宽带隙 （GaN） 技术，以及该技
2023-10-03 14:26:001305 
高功率放大器常见故障分析是针对高功率放大器在使用过程中常见的故障进行分析和解决方法的总结。高功率放大器是一种将输入信号放大到较大功率输出的电子设备，广泛应用于音频、无线通信、雷达等领域。由于其复杂的电路结构和高功率输出，常常会出现各种故障。下面将介绍一些常见的高功率放大器故障及其分析。
2023-10-05 16:00:002570 在商业应用中利用宽带隙碳化硅（SiC）的独特电气优势需要解决由材料机械性能引起的可靠性挑战。凭借其先进的芯片粘接技术，Vincotech 处于领先地位。 十多年前首次推出的SiC功率模块可能会
2023-10-23 16:49:362060 
功率逆变器应用采用宽带隙半导体器件时栅极电阻选型注意事项
2023-11-23 16:56:321420 
新的宽带隙半导体技术提高了功率转换效率
2023-11-30 18:00:181076 
本文为大家介绍氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等宽带隙半导体器件用作电子开关的优势，以及如何权衡利弊。主要权衡因素之一是开关损耗，开关损耗会被高 di/dt 和 dv/dt 放大，造成电路
2023-11-27 09:16:271082 
由于其宽带隙和优异的材料特性, SiC基功率电子器件现在正成为许多杀手级应用的后起之秀，例如汽车、光伏、快速充电、PFC等。
2023-12-08 14:33:471526 碳化硅功率器件利用SiC半导体材料制成。SiC是一种宽带隙半导体材料，具有比硅（Si）更高的电子饱和漂移速度和热导率，以及更高的临界击穿电场强度。
2024-03-14 10:47:271109 
碳化硅功率器件的核心在于其能够在极端条件下高效地控制电力的流动。SiC材料的宽带隙特性意味着它在高温下仍能维持较高的能量障碍，从而保持稳定的半导体特性。
2024-03-26 10:56:061020 
赛劲SEJINIGB CRP SERIES滚轮/齿条/齿圈具有高精度、零背隙、高速度、低噪音，低发尘等特点。当CRP SERIES滚轮和齿条（齿圈）啮合时，可以实现零背隙，在传动过程中几乎没有能量
2024-04-24 09:56:591948 
碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽带隙(WBG)半导体预计将在电力电子器件中发挥越来越重要的作用。与传统硅(Si)设备相比，它们具有更高的效率、功率密度和开关频率等主要优势。离子注入是在硅器件
2024-04-29 11:49:532875 
故障。本文将对功率分析仪的常见故障进行归纳分类，并深入分析其产生的原因，旨在帮助用户更好地了解设备故障机制，提高故障排查和维修的效率。
2024-05-11 16:10:522719 完成，但自动化可加快流程并有助于获得准确、一致的结果。 宽带隙双脉冲测试软件集成到 5 系列 B MSO 中，可自动执行仪器设置并执行能量损耗和定时的标准测量。智能差分电压和电流探头通过与示波器通信进一步简化设置。 该系统提供以下功能： 独特的边缘细化算
2024-09-30 08:57:34951 
控制、转换和调节。然而，由于其工作环境复杂且多变，功率MOSFET在使用过程中可能会遇到各种故障。本文将对功率MOSFET的常见故障进行分析，并探讨其故障机制和预防措施。
2024-10-08 18:29:592098 PTM是一款应用于功率器件和电源芯片的设计分析套件，支持高精度提取Rdson、验证器件的开关行为，以此提高IC产品的可靠性和寿命，已获得顶级IDM和设计公司的认可和采用。
2025-04-22 10:06:331008 
功率电子技术的快速发展，得益于宽带隙(WBG)半导体材料的进步，尤其是氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)。与传统硅材料相比，这些材料具有更高的击穿电压、更好的热导率和更快的开关速度。这些特性使得功率
2025-04-23 11:36:00780 
ZES ZIMMER的功率分析仪通过其独特的DualPath双路径技术，可以同时分析窄带和宽带值，而不会出现混叠效应的风险。同时，与其他制造商相比，滤波器对精度的影响将保持在非常低的水平。滤波器的明确规格参数能够有针对性地消除频率对测量信号的影响，以确保最高的精度。
2025-06-20 15:25:12568 
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