碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 器件的栅极驱动器电源必须满足这些宽带隙半导体的独特偏置要求。本文将讨论在 SiC 和 GaN 应用中设计栅极驱动器电源时需要考虑的关键因素。 图 1
2024-09-27 15:05:25
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工程师对电磁干扰,并行化和布局非常熟悉,但是当从基于硅的芯片过渡到碳化硅或宽带隙器件时,需要多加注意。 芯片显示,基于硅(Si)的半导体比宽带隙(WBG)半导体具有十多年的领先优势,主要是碳化硅
2021-04-06 17:50:53
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在所有其他参数相同的情况下,对于电子应用,宽带隙(WBG)半导体优于窄带半导体(如硅),因为导带和价带之间的大能量分离允许这些器件在高温和较高电压下工作。例如,与行业巨头硅1.1eV的相对窄带隙相比,氮化镓(GaN)的带隙为3.4eV。
2022-03-29 14:55:52
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在过去几年中,氮化镓 (GaN) 在用于各种高功率应用的半导体技术中显示出巨大的潜力。与硅基半导体器件相比,氮化镓是一种物理上坚硬且稳定的宽带隙 (WBG) 半导体,具有更快的开关速度、更高的击穿强度和高导热性。
2022-07-29 10:52:00
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功率转换器中使用的半导体开关技术是改进的关键,而使用碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 的新型宽带隙(WBG) 类型有望取得重大进展。让我们详细研究一下这些优势。
2022-07-29 08:07:58
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提高功率密度和缩小电源并不是什么新鲜事。预计这一趋势将持续下去,从而实现新的市场、应用和产品。这篇博客向设计工程师介绍了意法半导体(ST)的电源解决方案如何采用宽带隙(WBG)技术,帮助推动器件
2023-11-16 13:28:33
9930 
本人接触质量工作时间很短,经验不足,想了解一下,在半导体行业中,由于客户端使用问题造成器件失效,失效率为多少时会接受客诉
2024-07-11 17:00:18
半导体器件与工艺
2012-08-20 08:39:08
半导体器件物理(胡正明)
2020-09-22 19:57:16
家电企业作为储备技术。真正最多应用于家电的电机控制IC产品是MCU。来自家电行业的信息显示,意法半导体(ST)、NEC、瑞萨半导体是家电电机控制的主要MCU产品提供商。
2019-06-21 07:45:46
本人小白,最近公司想上半导体器件的塑封生产线,主要是小型贴片器件封装,例如sot系列。设备也不需要面面俱到,能进行小规模正常生产就行。哪位大神能告知所需设备的信息,以及这些设备的国内外生产厂家,在此先行感谢!
2022-01-22 12:26:47
宽带隙器件的技术优势实际应用中的宽带隙功率转换
2021-02-22 08:14:57
意法半导体拥有最先进的平面工艺,并且会随着G4不断改进:• 导通电阻约比G3低15%• 工作频率接近1 MHz• 成熟且稳健的工艺• 吞吐量、设计简单性、可靠性、经验…• 适用于汽车的高生产率
2023-09-08 06:33:00
半导体的关键特性是能带隙,能带动电子进入导通状态所需的能量。宽带隙(WBG)可以实现更高功率,更高开关速度的晶体管,WBG器件包括氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC),以及其他半导体。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
材料。与目前绝大多数的半导体材料相比,GaN 具有独特的优势:禁带更宽、饱和漂移速度更大、临界击穿电场和热导率更高,使其成为最令人瞩目的新型半导体材料之一。目前,GaN 基发光器件的研究已取得了很大
2019-06-25 07:41:00
IHDF-1300AE-10是什么?主要应用于哪些领域?IHDF-1300AE-10器件规格是什么?
2021-07-09 07:03:19
最近手上好多半导体芯片职位,可是人都不知道去哪了,都没什么人关注。请教:1. 对现在工作很满意2. 形势不好,不敢跳槽3. 不知道招聘信息4. 跳槽工资不吸引5. 其他你们心里是怎么想的?[此贴子已经被作者于2009-8-27 10:58:45编辑过]
2009-08-27 10:58:18
镓和碳化硅的各种蚀刻剂,包括水性无机酸和碱溶液以及熔融盐。湿法刻蚀在宽带隙半导体技术中有多种应用,包括缺陷装饰、通过产生特征凹坑或小丘识别极性和多型(用于碳化硅)以及在光滑表面上制造器件。对于氮化镓
2021-10-14 11:48:31
使用这些纳米线阵列,可以实现宽带光捕获。接触电极,如氧化铟锡 (ITO)、银和铜,对具有不同带隙的半导体纳米线太阳能电池器件的影响,重点是光吸收。虽然传统的导电氧化物材料,如氧化铟锡 (ITO
2021-07-09 10:20:13
变换和电路控制,更是弱电控制与强电运行之间的沟通桥梁,主要作用是变频、变压、变流、功率放大和功率管理,对设备正常运行起到关键作用。与此同时,功率半导体器件还具有绿色节能功能,被广泛应用于几乎所有的电子制造业
2019-02-26 17:04:37
满足市场需求,使用硅的新器件年复一年地实现更大的功率密度和能效,已经越来越成为一个巨大的挑战。从本质上讲,芯片的演进已经接近其基础物理极限。但是,为什么说宽带隙半导体的表现已经超越了硅呢?
2019-07-30 07:27:44
1,半导体基础2,PN节二极管3,BJT和其他结型器件4,场效应器件
2020-11-27 10:09:56
的钳位感性负载电路。 一旦对半导体器件进行了表征,就需要对其进行评估。这同样适用于WBG设备。为了评估用WBG半导体代替硅器件可能获得的优势,需要从系统级的角度进行评估。评估程序通常基于在连续和非连续
2023-02-21 16:01:16
说到功率转换电子器件,每位设计师都希望用到损耗最小的完美半导体开关,而宽带隙碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)器件通常被认为是接近完美的器件。不过,想要达到“完美”,只靠低损耗是远远不够的。开关必须
2023-02-05 15:14:52
。目前,凯仕德离子风机,离子风棒,凯仕德空间离子棒具有很好的去除工业静电的作用,已应用于大多数半导体生产中。
2023-12-12 17:18:54
,安森美半导体提供优质的全局快门系列产品,可捕获快速移动的的对象,主要应用于扫码的VGA、100万像素及更高像素输出,产品经市场验证,质量、信用及技术水平都得到客户的广泛认可,目前占据超过40
2018-11-08 16:23:34
安森美半导体应用于物联网的成像技术和方案分享
2021-05-31 07:07:32
(GaN)宽带隙器件,助力开发先进、高能效的下一代电动车(EV)和混合动力电动车(HEV),实现更高的安全性、智能性和每次充电后更远的续航里程。 此次安森美半导体与奥迪的全新合作将加快开发进程,打造自动驾驶系统和汽车功能电子化的全新性能,推进汽车领域的变革。
2018-10-11 14:33:43
安森美半导体电源方案部(PSG)加速了扩展分立器件、集成电路(IC)、模块和驱动器产品阵容,针对汽车应用中的高电源能效方案。公司电源方案部的汽车认证的器件数现已超过4,000,是该行业中最大的供应商
2018-10-25 08:53:48
常用的功率半导体器件有哪些?
2021-11-02 07:13:30
能量转换效率是一个重要的指标,各制造商摩拳擦掌希望在95%的基础上再有所提升。为了实现这一提升,开始逐渐采用越来越复杂的转换拓扑,如移相全桥(PSFB)和LLC变换器。而且二极管将逐渐被功耗更低的MOSFET所取代,宽带隙(WBG)器件更是以其惊人的开关速度被誉为未来的半导体业明珠。
2020-10-29 07:12:23
电力半导体器件的分类
2019-09-19 09:01:01
由于碳化硅具有不可比拟的优良性能,碳化硅是宽禁带半导体材料的一种,主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等,因此被应用于各种半导体材料当中,碳化硅器件主要包括功率二极管和功率开关管
2020-06-28 17:30:27
半导体材料是一类具有半导体性能(导电能力介于导体与绝缘体之间,电阻率约在1mΩ·cm~1GΩ·cm范围内)、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。按种类可以分为元素半导体和化合物半导体两大类
2019-06-27 06:18:41
在功率转换应用中,使用碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)材料的宽带隙(WBG)半导体器件作为开关,能让开关性能更接近理想状态。相比硅MOSFET或IGBT,宽带隙器件的静态和动态损耗都更低。此外还有
2023-02-05 15:16:14
SiC功率器件的封装技术要点
具有成本效益的大功率高温半导体器件是应用于微电子技术的基本元件。SiC是宽带隙半导体材料,与S
2009-11-19 08:48:43
2711 半导体器件,半导体器件的种类
半导体器件从肯有2个管脚的二极管到最新的系统LSI、超大功率器件均有广泛的研究,且被广泛地运用于手机、数码家电产品
2010-03-01 17:25:02
6526 什么是宽带隙半导体材料
氮化镓、碳化硅和氧化锌等都是宽带隙半导体材料,因为它的禁带宽度都在3个电子伏以上,在室温下不可
2010-03-04 10:32:48
7717 安森美半导体是领先的功率器件半导体供应商,提供全面的功率器件,包括MOSFET、IGBT、二极管、宽带隙(WBG)等分立器件及智能功率模块(IPM)等功率模块,尤其在收购Fairchild半导体后
2017-05-16 16:43:39
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2018年宽带隙基准源半导体市场与技术发展趋势
2018-02-06 14:41:13
5 正是由于带隙,使得半导体具备开关电流的能力,以实现给定的电子功能;毕竟,晶体管仅仅是嵌入在硅基衬底上的微型开关。更高的能量带隙赋予了WBG材料优于硅的半导体特性。 相较于硅器件,WBG器件可以在较小
2019-08-28 12:31:06
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近日,为了促进宽带隙(WBG)半导体技术的发展,IEEE电力电子学会(PELS)发布了宽带隙功率半导体(ITRW)的国际技术路线图。
2020-04-13 16:01:31
5686 宽带隙(WBG)开关器件由于其高速度和高效率而得到应用,这种器件可减小功率转换器的尺寸、重量和损耗。
2020-04-14 09:17:56
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碳化硅(SiC)是最成熟的WBG宽带隙半导体材料, 它已经广泛用于制造开关器件,例如MOSFET和晶闸管。氮化镓(GaN)具有作为功率器件半导体的潜力,并且在射频应用中是对硅的重大改进。
2020-04-30 14:35:31
13407 寻找硅替代物的研究始于上个世纪的最后二十年,当时研究人员和大学已经对几种宽带隙材料进行了试验,这些材料显示出替代射频,发光,传感器和功率半导体的现有硅材料技术的巨大潜力。应用程序。在新世纪即将来临
2021-04-01 14:10:19
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半导体的关键特性是能带隙,能带动电子进入导通状态所需的能量。宽带隙(WBG)可以实现更高功率,更高开关速度的晶体管,WBG器件包括氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC),以及其他半导体。
2022-04-16 17:13:01
8317 宽带隙 (WBG) 半导体器件的集成在多种技术应用中作为硅技术的替代品是一个不断增长的市场,它可以提供效率和功率密度的改进,这对能源和成本节约有很大的影响 。WBG 具有显着优势,例如更高的开关频率、更低的功率损耗和更高的功率密度。
2022-04-22 17:01:51
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众所周知,与硅相比,碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 等宽带隙 (WBG) 半导体可提供卓越的性能。这些包括更高的效率、更高的开关频率、更高的工作温度和更高的工作电压。
2022-04-22 17:07:54
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宽带隙半导体具有许多特性,这些特性使其对高功率、高温器件应用具有吸引力。本文综述了三种重要材料的湿法腐蚀,即ZnO、GaN和SiC。虽然ZnO在包括HNO3/HCl和HF/HNO3的许多酸性溶液中
2022-07-06 16:00:21
3282 
宽带隙 (WBG) 半导体,例如氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC),已经终结了硅在电力电子领域的主导地位。自硅问世以来,WBG 半导体被证明是电力电子行业最有前途的材料。与传统的硅基技术相比
2022-07-27 15:11:44
2339 不久前,SiC和GaN器件的应用还被认为是困难的,但到了2018年,这些技术的优势开始被应用到现实生活中。这项新技术成功背后的原因是什么? SiC 和 GaN 被称为宽带隙 (WBG) 半导体,因为
2022-07-28 16:45:55
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了解半导体价带和导带的形成机制对于新材料生产的潜在技术影响至关重要。这项工作提出了一种宽带隙计算模型,突出了理解能带结构的理论困难,然后将其与实验数据进行了比较。
2022-07-29 11:18:02
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使用宽带隙半导体的技术可以满足当今行业所需的所有需求。顾名思义,它们具有更大的带隙,因此各种电子设备可以在高电压、高温和高频率下工作。碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 是最近推出的宽带隙
2022-07-29 08:06:46
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宽带隙 (WBG) 半导体极大地影响了使用它们的设备的可能性。材料的带隙是指电子从半导体价带的最高占据态移动到导带的最低未占据态所需的能量。
2022-07-29 15:10:45
2407 AspenCore 的 2021 年 PowerUP 博览会 用一整天的时间介绍宽带隙 (WBG) 半导体,特别是氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC)。WBG 小组讨论的重点是“下一波 GaN
2022-07-29 18:06:26
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近年来,碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽带隙(WBG)半导体受到了广泛关注。这两种化合物都可以承受比硅更高的频率、更高的电压和更复杂的电子产品。SiC 和 GaN 功率器件的采用现在是不可否认
2022-08-05 14:51:33
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工程师熟悉电磁干扰、并联和布局,但在从硅基芯片过渡到碳化硅或宽带隙器件时,需要多加注意。 据chip称,硅(Si)基半导体比宽带隙(WBG)半导体领先十年,主要是碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)仍
2022-08-05 14:30:09
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对电子设备的需求激增正在推动半导体行业多个领域的增长。制造商通过使用非传统产品和应用程序添加差异化服务来寻求竞争优势。这一趋势的受益者是宽带隙 (WBG) 半导体,由于一系列应用程序供应商的兴趣激增,它经历了更新。
2022-08-05 14:39:17
2175 宽带隙半导体 (WBG),例如碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN),与硅相比具有更出色的性能:更高的效率和开关频率、更高的工作温度和工作电压。EV 和 HEV 包括几个功率转换阶段,累积功率损耗
2022-08-08 10:21:49
1457 
高温和开关频率下工作、低噪声、低功率损耗和高效率。因此,WBG 半导体对于下一代太空出生系统的开发具有战略意义。氮化镓的增强型版本 (eGaN) 被广泛用于空间应用的 FET 和 HEMT 的开发。 辐射对功率器件的影响 空间环境具有特定条件,会影响并在
2022-08-08 10:57:39
2037 
效率的替代品:碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN)。 这些高度创新的材料属于宽带隙 (WBG) 半导体系列。WBG 非凡的物理和电气特性使这些材料非常适合满足高频电源应用的性能需求,包括极端功率和工作温度以及对以紧凑外形实现更快、高效、
2022-08-08 10:16:49
1930 
对于宽带隙功率半导体器件越来越重要,高压电容-电压 (CV) 测量可用于预测关键动态特性
2022-08-29 08:09:49
4163 
长期以来,硅基器件一直是半导体领域的基准标准。从 2007 年开始,由于摩尔定律的失败,复合材料被开发出来,特别关注宽带隙半导体,因为它们利用了重要的特性,与传统的硅对应物(如电力电子)相比,它们可以实现具有卓越性能的器件。
2022-09-11 09:29:00
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宽带隙半导体可实现高压(10kv及以上)开关。因此,需要新的封装解决方案来为此类设备奠定的基础。金属化陶瓷基板是一种众所周知且成熟的技术,适用于高达3.3kv的电压,但它在较高电压
2022-09-19 16:29:54
1060 碳化硅(SiC)晶圆经常出现在新闻中,这一事实预示着这种宽带隙(WBG)材料作为颠覆性半导体技术的证书,适用于更小、更轻、更高效的电力电子设备。
2022-12-15 11:08:18
1170 用于光电子和电子的宽带隙和超宽带隙半导体
2022-12-22 09:32:25
1652 碳化硅 (SiC) 是一种由硅 (Si) 和碳 (C) 组成的半导体化合物,属于宽带隙 (WBG) 材料系列。它的物理结合力非常强,使半导体具有很高的机械、化学和热稳定性。宽带隙和高热稳定性允许
2022-12-30 13:57:49
1520 
WBG化合物半导体具有更高的电子迁移率和更高的带隙能量,因此其财产优于硅。由WBG化合物半导体制成的晶体管具有较高的击穿电压和耐高温性。这些器件在高电压和高功率应用中比硅具有优势。
2023-02-05 11:53:32
1886 碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)被称为“宽带隙半导体”(WBG)。在带隙宽度中,硅为1.1eV,SiC为3.3eV,GaN为3.4eV,因此宽带隙半导体具有更高的击穿电压,在某些应用中可以达到1200-1700V。
2023-02-05 14:13:34
2594 随着硅接近其物理极限,电子制造商正在转向非常规半导体材料,特别是宽带隙(WBG)半导体,如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)。由于宽带隙材料具有相对较宽的带隙(与常用的硅相比),宽带隙器件可以在高压、高温和高频下工作。宽带隙器件可以提高能效并延长电池寿命,这有助于推动宽带隙半导体的市场。
2023-02-05 14:25:15
1764 宽带隙半导体是一种具有宽带隙的半导体材料,其特性是具有较宽的能带隙,可以吸收和发射更多的光子,从而提高半导体器件的效率。它广泛应用于太阳能电池、激光器件、光电子器件等领域。
2023-02-16 15:07:08
2519 宽带隙半导体材料(如SiC)与更传统的半导体材料(如Si)相比具有许多优势。考虑带隙随着温度升高而缩小的事实:如果我们从宽带隙开始,那么温度升高对功能的影响要小得多。由于SiC具有宽带隙,因此它可以在更高的温度下继续工作,通常高达400°C。
2023-05-24 11:13:48
3185 在功率转换应用中,使用碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)材料的宽带隙(WBG)半导体器件作为开关,能让开关性能更接近理想状态。相比硅MOSFET或IGBT,宽带隙器件的静态和动态损耗都更低。此外还有
2023-07-11 09:20:02
1235 电子发烧友网站提供《用于高密度和高效率电源设计的意法半导体WBG解决方案.pdf》资料免费下载
2023-08-01 16:54:17
0 碳化硅(SiC)是一种由硅(Si)和碳(C)组成的半导体化合物,属于宽带隙(WBG)材料家族。
2023-08-12 11:46:08
2065 调查结果显示,SiC、GaN(氮化镓)等宽带隙半导体单晶主要用于功率半导体器件,市场正在稳步扩大。
2023-09-04 15:13:24
1214 
之间的关系,对于半导体材料的电学和光学性质都有着非常大的影响。同时,带隙也是半导体材料被广泛应用于电子器件和光电子器件中的原因之一。 在介绍电压型的带隙和电流型的带隙的区别之前,我们需要先了解一下半导体材料的基本概
2023-09-20 17:41:21
4470 直接带隙和间接带隙的区别与特点 半导体材料是广泛应用于电子器件制造和光电子技术中的重要材料之一。在研究半导体材料性质时,经常要关注材料的电子能带结构,其中直接带隙和间接带隙是两种常见的带隙类型
2023-09-20 17:41:24
24951 宽带隙 (WBG) 半导体在电源转换方面具备几个优势,如功率密度和效率更高,同时可通过允许使用更小无源元器件的高频开关,减少系统尺寸和重量。这些优势在航空航天和卫星动力系统中可能更加重要,因为尺寸
2023-09-20 20:10:02
1357 
本文为大家介绍氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等宽带隙半导体器件用作电子开关的优势,以及如何权衡利弊。主要权衡因素之一是开关损耗,开关损耗会被高 di/dt 和 dv/dt 放大,造成电路
2023-09-21 17:09:32
1612 
SiC 和 GaN 被称为“宽带隙半导体”(WBG)。由于使用的生产工艺,WBG 设备显示出以下优点:
2023-10-09 14:24:36
7167 
功率逆变器应用采用宽带隙半导体器件时栅极电阻选型注意事项
2023-11-23 16:56:32
1420 
新的宽带隙半导体技术提高了功率转换效率
2023-11-30 18:00:18
1076 
本文为大家介绍氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等宽带隙半导体器件用作电子开关的优势,以及如何权衡利弊。主要权衡因素之一是开关损耗,开关损耗会被高 di/dt 和 dv/dt 放大,造成电路
2023-11-27 09:16:27
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解决方案(火车、飞机和轮船)。为了控制温室气体 (GHG) 排放并减缓全球变暖,我们需要既能最大限度提高效率,又能减少环境影响的解决方案。 宽带隙 (WBG) 半导体具备多种特性,使得其对交通运输应用具有很大吸引力。使用这些半导体可以打造更高效、更快速、更轻巧的汽车,
2024-02-13 16:38:00
1902 
碳化硅是一种宽带隙(Wide Bandgap,WBG)半导体材料,与传统的硅(Si)材料相比,具有更宽的能隙、更高的击穿电场强度和热导率。
2024-03-19 11:12:26
1179 宽带隙 (WBG) 半导体需要具有更低的寄生电感和电容的封装。为了实现这一目标,提出了新的包装解决方案,以增加集成度。
2024-03-25 10:01:37
1473 
碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽带隙(WBG)半导体预计将在电力电子器件中发挥越来越重要的作用。与传统硅(Si)设备相比,它们具有更高的效率、功率密度和开关频率等主要优势。离子注入是在硅器件
2024-04-29 11:49:53
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制造商努力降低电动汽车成本,高效和可持续的电源转换系统对于满足日益增长的需求和电力要求至关重要。为此,采用宽带隙(WBG)半导体,如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN
2024-06-27 11:45:15
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全球领先的半导体制造商Nexperia今日宣布将投入高达2亿美元(折合约1.84亿欧元)的资金,以显著扩大其位于德国汉堡工厂的宽带隙(WBG)半导体研究、开发及生产能力。此次投资的核心聚焦于下一代
2024-07-15 17:02:37
882 
种需求则由转换器的功率要求和工作频率决定。因此,提高转换器的工作频率可以减少能量存储元件的体积,这直接影响到转换器的总体积、功率密度和成本。通过使用宽带隙(WBG
2024-10-11 11:19:16
1077 
电力半导体正在显著影响下一代网络的发展。宽带隙(WBG)半导体材料在电信系统中的集成正在成为支持和增强5G基础设施的战略解决方案。在连接性方面,WBG半导体相较于传统硅设备具有显著优势,使其成为
2024-10-29 10:52:54
910 
近日,全球领先的半导体公司Nexperia宣布与知名汽车供应商科世达(KOSTAL)建立战略合作伙伴关系。这一合作将专注于开发和生产符合汽车行业严格规范的宽带隙(WBG)电力电子器件,特别是针对
2024-11-06 11:58:53
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随着科技的不断进步,电子器件的性能要求也日益提高。传统的硅(Si)材料在某些应用中已经接近其物理极限,尤其是在高温、高压和高频领域。碳化硅(SiC)作为一种宽带隙(WBG)半导体材料,因其卓越的电学
2024-11-25 16:30:08
2707 功率电子技术的快速发展,得益于宽带隙(WBG)半导体材料的进步,尤其是氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)。与传统硅材料相比,这些材料具有更高的击穿电压、更好的热导率和更快的开关速度。这些特性使得功率
2025-04-23 11:36:00
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