深圳市首质诚科技有限公司文章

• 选型手册：VS3510AS P 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-12-16 11:46

  

  威兆半导体推出的VS3510AS是一款面向30V低压场景的P沟道增强型功率MOSFET，支持5V逻辑电平控制，采用SOP8封装，适配低压电源的负载开关、电源通路控制等领域。一、产品基本信息器件类型：P沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：-30V（P沟道耐压为负值，实际适配30V低压场景）；导通电阻（\(R_{DS(o

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• 选型手册：VS4603GPHT N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-12-16 11:40

  

  威兆半导体推出的VS4603GPHT是一款面向40V低压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用PDFN5x6封装，适配低压超大电流DC/DC转换器、电源管理等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：40V，适配低压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{G

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• 选型手册：VS3612GP N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-12-16 11:33

  

  威兆半导体推出的VS3612GP是一款面向30V低压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用PDFN5x6封装，适配低压大电流DC/DC转换器、电源管理等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：30V，适配低压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=

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• 选型手册：VS6662GS N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-12-15 15:36

  

  威兆半导体推出的VS6662GS是一款面向60V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用SOP8封装，适配低压中功率电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：60V，适配低压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)时典型值6.

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• 选型手册：VS3618AD N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-12-15 15:03

  

  威兆半导体推出的VS3618AD是一款面向30V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET，支持5V逻辑电平控制，采用TO-252封装，适配低压中功率电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：30V，适配低压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS

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• 选型手册：VS40200AP N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-12-15 10:49

  

  威兆半导体推出的VS40200AP是一款面向40V低压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用PDFN5x6封装，适配低压大电流DC/DC转换器、电源管理等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：40V，适配低压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}

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• 选型手册：VS3622DP2 双通道 N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-12-15 09:51

  

  威兆半导体推出的VS3622DP2是一款面向30V低压场景的双通道N沟道增强型功率MOSFET，支持5V逻辑电平控制，采用PDFN5x6封装，适配双路低压大电流电源管理、DC/DC转换器等领域。一、产品基本信息器件类型：双通道N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：30V，适配双路低压供电场景；导通电阻（\(R_{DS

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• 选型手册：VSD950N70HS N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-12-12 15:59

  

  威兆半导体推出的VSD950N70HS是一款面向700V高压场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252封装，适配高压电源管理、DC/DC转换器等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET（超结工艺）核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：700V，适配高压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_{GS

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• 选型手册：VS2N7002K N 沟道增强型小信号 MOSFET 晶体管2025-12-12 15:43

  

  威兆半导体推出的VS2N7002K是一款面向60V低压小信号场景的N沟道增强型MOSFET，采用SOT23小型封装，适配低功率信号开关、电源管理等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型小信号MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：60V，适配低压小信号场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V、I_

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• 选型手册：VSU070N65HS3 N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-12-12 15:36

  

  威兆半导体推出的VSU070N65HS3是一款面向650V高压场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-247封装，适配高压电源管理、DC/DC转换器等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：650V，适配高压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10

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