深圳市首质诚科技有限公司文章

• 选型手册：MOT70N03D N 沟道功率 MOSFET 晶体管2025-11-05 16:01

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT70N03D是一款面向30V低压大电流开关场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借超低导通损耗、70A大电流承载能力及RoHS合规性，适用于各类开关应用（如DC-DC转换器、负载开关等）。以下从器件特性、电气参数、封装应用等维度展开说明。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS

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• 选型手册：MOT5122T N 沟道功率 MOSFET 晶体管2025-11-05 15:53

  

  选型手册：MOT5122TN沟道功率MOSFET晶体管仁懋电子（MOT）推出的MOT5122T是一款面向大电流低压场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借120V耐压、2.0mΩ超低导通损耗及260A超大电流承载能力，广泛适用于高功率系统逆变器、轻型电动车、电池管理系统（BMS）、无人机等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：

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• 选型手册：MOT4111T N 沟道功率 MOSFET 晶体管2025-11-05 15:28

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT4111T是一款面向40V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借超低导通电阻、300A超大电流承载能力及TOLL-8L小型化封装，适用于高功率系统逆变器、轻型电动车、无人机等大功率场景。以下从器件特性、电气参数、封装应用等维度展开说明。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V

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• 选型手册：MOT15N50F 系列 N 沟道功率 MOSFET 晶体管2025-11-05 12:10

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT15N50F是一款面向500V高压场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借快速开关特性、稳定雪崩能力及500V耐压，广泛适用于高效开关电源、半桥式电子镇流器、LED电源等领域。以下从器件特性、电气参数、封装应用等维度展开说明。一、产品基本信息MOT15N50F为N沟道功率MOSFET，核心参数表现为：漏源极耐压（\(V_{DSS

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• 选型手册：MOT1793G P 沟道功率 MOSFET 晶体管2025-11-05 12:01

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT1793G是一款面向-100V低压大电流场景的P沟道增强型功率MOSFET，凭借超低导通电阻、18A大电流承载能力及PDFN小型化封装，广泛适用于DC/DC转换器等高效电源转换场景。一、产品基本信息MOT1793G为P沟道增强型功率MOSFET，漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）达-100V；导通电阻（\(R_{DS(on)}

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• 选型手册：MOT4025G 互补增强型 MOSFET2025-11-04 16:33

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT4025G是一款互补增强型MOSFET，集成N沟道与P沟道管，凭借40V耐压、超低导通电阻及优异开关特性，适用于电机驱动、DC-DC转换器等大功率场景。以下从器件特性、电气参数、应用场景等维度展开说明。一、产品基本信息器件类型：互补增强型MOSFET（N沟道+P沟道）耐压规格：漏源极耐压（\(V_{DS}\)）均为40V导通电阻

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• 选型手册：MOT4N65F 系列 N 沟道功率 MOSFET 晶体管2025-11-04 15:59

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT4N65F是一款面向650V高压场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借低导通电阻、高输入阻抗及RoHS合规性，广泛适用于电子镇流器、电子变压器、开关模式电源等领域。以下从器件特性、电气参数、封装应用等维度展开说明。一、产品基本信息MOT4N65F为N沟道功率MOSFET，核心参数表现为：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：6

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• 选型手册：MOT13005DA NPN 硅晶体管2025-11-04 15:28

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT13005DA是一款NPN硅晶体管，凭借400V高耐压、8A大电流及1700V击穿能力，广泛适用于荧光灯、电子变压器、开关模式电源等领域。以下从器件特性、电气参数、封装应用等维度展开说明。一、产品基本信息核心参数：集电极-发射极耐压（\(V_{CEO}\)）：400V集电极连续电流（\(I_C\)）：8A封装形式：TO-220F

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• 选型手册：MOT9N50D 系列 N 沟道功率 MOSFET 晶体管2025-11-04 15:22

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT9N50D是一款面向500V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借快速开关特性、稳定雪崩能力及500V耐压，广泛适用于高频开关电源、电子镇流器、LED电源等领域。以下从器件特性、电气参数、封装应用等维度展开说明。一、产品基本信息MOT9N50D为N沟道增强型功率MOSFET，核心参数表现为：漏源极耐压（\(V_{DSS

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• 选型手册：MBR10200F 肖特基势垒整流二极管2025-11-03 17:01

  

  仁懋电子（MOT）推出的MBR10200F是一款10A规格的肖特基势垒整流二极管，凭借200V耐压、低正向压降及高浪涌电流特性，适用于开关电源、逆变器、电池充电器等高频整流场景。以下从器件特性、电气参数、封装应用等维度展开说明。一、产品基本信息核心参数：峰值反向耐压（\(V_{RRM}\)）：200V平均整流输出电流（\(I_o\)）：10A（总电流）/5A

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