深圳市首质诚科技有限公司文章

• 选型手册：VST012N06MS N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-12-24 13:07

  

  威兆半导体推出的VST012N06MS是一款面向60V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220AB封装，适配低压大功率电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：60V，适配低压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\

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• 选型手册：VS4N65CD N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-12-24 13:04

  

  威兆半导体推出的VS4N65CD是一款面向650V高压场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252封装，适配高压小功率电源管理、开关电路等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：650V，适配高压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)时典

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• 选型手册：VS3508AS P 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-12-24 13:01

  

  威兆半导体推出的VS3508AS是一款面向-30V低压场景的P沟道增强型功率MOSFET，支持5V逻辑电平控制，采用SOP8封装，适配低压电源的高侧开关、负载控制等领域。一、产品基本信息器件类型：P沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：-30V（P沟道耐压为负值，适配30V低压场景）；导通电阻（\(R_{DS(on)}

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• 选型手册：VS6038AD N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-12-23 11:43

  

  威兆半导体推出的VS6038AD是一款面向60V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252/TO-251封装，适配中压中功率电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：60V，适配中压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：典型值35mΩ（\(V

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• 选型手册：VS4518AD P 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-12-23 11:39

  

  威兆半导体推出的VS4518AD是一款面向-40V中压场景的P沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252封装，适配中压电源的高侧开关、负载控制等领域。一、产品基本信息器件类型：P沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：-40V（P沟道耐压为负值，适配40V中压场景）；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{

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• 选型手册：VSI080N06MS N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-12-23 11:26

  

  威兆半导体推出的VSI080N06MS是一款面向60V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-251-S封装，适配低压中功率电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：60V，适配低压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\

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• 选型手册：VSE090N10MS N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-12-23 11:22

  

  威兆半导体推出的VSE090N10MS是一款面向100V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用PDFN3x3封装，适配中压小型电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：100V，适配中压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\

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• 选型手册：VS4080AI N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-12-23 11:18

  

  威兆半导体推出的VS4080AI是一款面向40V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用DIPPAK封装，适配低压中功率电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：40V，适配低压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)时典型值

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• 选型手册：VS2622AE N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-12-18 17:42

  

  威兆半导体推出的VS2622AE是一款面向20V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，支持2.5V逻辑电平控制，采用PDFN3x3封装，适配低压中功率电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：20V，适配低压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\

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• 选型手册：VS6808DH 共漏极双通道 N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-12-18 17:40

  

  威兆半导体推出的VS6808DH是一款面向20V低压场景的共漏极双通道N沟道增强型功率MOSFET，支持2.0V逻辑电平控制，采用SOT23-6L封装，适配小型化低压双路电源的负载开关、电源通路控制等领域。一、产品基本信息器件类型：共漏极双通道N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：20V，适配双路低压供电场景；导通电

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