深圳市首质诚科技有限公司文章

• 选型手册：VS2301BC P 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-12-18 17:37

  

  威兆半导体推出的VS2301BC是一款面向-20V低压场景的P沟道增强型功率MOSFET，采用SOT23小封装，适配小型化低压电源的负载开关、电源通路控制等领域。一、产品基本信息器件类型：P沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：-20V（P沟道耐压为负值，适配20V低压场景）；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：

  MOS 威兆半导体 晶体管 465浏览量

• 选型手册：VS3603GPMT N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-12-18 17:33

  

  威兆半导体推出的VS3603GPMT是一款面向30V低压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用PDFN5x6封装，适配低压大电流电源管理、DC/DC转换器等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：30V，适配低压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS

  MOS 威兆半导体 晶体管 1071浏览量

• 选型手册：VS3522AA4 N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-12-18 17:24

  

  威兆半导体推出的VS3522AA4是一款面向30V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用DFN22x6.5-8L封装，适配低压小型电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：30V，适配低压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V

  MOS 威兆半导体 晶体管 695浏览量

• 选型手册：VS40200AD N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-12-17 18:24

  

  威兆半导体推出的VS40200AD是一款面向40V低压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252封装，适配低压超大电流电源管理、DC/DC转换器等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：40V，适配低压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}

  MOS 威兆半导体 晶体管 453浏览量

• 选型手册：VS4603GPMT N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-12-17 18:20

  

  威兆半导体推出的VS4603GPMT是一款面向40V低压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用PDFN5x6封装，适配低压超大电流DC/DC转换器、电源管理等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：40V，适配低压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{G

  MOS 威兆半导体 晶体管 493浏览量

• 选型手册：VS40200ATD 双通道 N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-12-17 18:13

  

  威兆半导体推出的VS40200ATD是一款面向40V低压超大电流场景的双通道N沟道增强型功率MOSFET，支持5V逻辑电平控制，采用TO-263封装，适配低压超大电流电源管理、DC/DC转换器等领域。一、产品基本信息器件类型：双通道N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：40V，适配双路低压供电场景；导通电阻（\(R_

  MOS 威兆半导体 晶体管 737浏览量

• 选型手册：VSD007N06MS-G N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-12-17 18:11

  

  威兆半导体推出的VSD007N06MS-G是一款面向60V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252封装，适配低压大电流电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：60V，适配低压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\

  MOS 威兆半导体 晶体管 503浏览量

• 选型手册：VS6614GS N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-12-17 18:09

  

  威兆半导体推出的VS6614GS是一款面向60V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用SOP8封装，适配低压中功率电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：60V，适配60V低压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)时典型

  MOS 威兆半导体 晶体管 743浏览量

• 选型手册：VS3698AD-K 双通道 N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-12-16 17:36

  

  威兆半导体推出的VS3698AD-K是一款面向30V低压超大电流场景的双通道N沟道增强型功率MOSFET，支持5V逻辑电平控制，采用TO-252封装，适配低压大电流电源管理、DC/DC转换器等领域。一、产品基本信息器件类型：双通道N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：30V，适配双路低压供电场景；导通电阻（\(R_{

  MOS 威兆半导体 晶体管 858浏览量

• 选型手册：VS3510AD P 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-12-16 11:50

  

  威兆半导体推出的VS3510AD是一款面向30V低压场景的P沟道增强型功率MOSFET，支持5V逻辑电平控制，采用TO-252封装，适配低压电源的高侧开关、负载控制等领域。一、产品基本信息器件类型：P沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：-30V（P沟道耐压为负值，适配30V低压场景）；导通电阻（\(R_{DS(on)

  MOS 威兆半导体 晶体管 460浏览量