深圳市首质诚科技有限公司文章

• 选型手册：MOT2176D N 沟道功率 MOSFET 晶体管2025-11-21 10:38

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT2176D是一款面向20V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借低导通电阻、高可靠性及环保特性，适用于便携设备、电池供电系统、笔记本电脑电源管理等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：20V，适配低压大电流供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)

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• 选型手册：MOT3712G P 沟道功率 MOSFET 晶体管2025-11-21 10:31

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT3712G是一款P沟道增强型功率MOSFET，凭借-30V耐压、低导通电阻及高电流承载能力，适用于PWM应用、负载开关、电源管理等领域。一、产品基本信息器件类型：P沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：-30V，适配低压负电压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}

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• 选型手册：MOT6929G N+N 增强型 MOSFET 晶体管2025-11-21 10:24

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT6929G是一款N+N增强型MOSFET，集成两颗N沟道单元，凭借60V耐压、低导通电阻及高电流承载能力，适用于电动工具电机驱动、电动汽车机器人等大功率开关场景。一、产品基本信息器件类型：N+N增强型MOSFET（集成两颗N沟道单元）核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：60V，适配中低压大电流供电场景；导通电阻（\(

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• 选型手册：MOT50N03C N 沟道功率 MOSFET 晶体管2025-11-20 16:22

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT50N03C是一款面向30V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借低导通电阻、低栅极电荷及快速开关特性，适用于各类开关应用场景。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：30V，适配低压大电流供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS

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• 选型手册：MOT6568J N 沟道功率 MOSFET 晶体管2025-11-20 16:15

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT6568J是一款面向60V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借低导通电阻、高可靠性及环保特性，适用于便携设备、电池供电系统、笔记本电脑电源管理等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：60V，适配低压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\

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• 选型手册：MOT6515J N 沟道功率 MOSFET 晶体管2025-11-20 16:06

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT6515J是一款面向60V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借低导通电阻、高可靠性及环保特性，适用于便携设备、电池供电系统、笔记本电脑电源管理等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：60V，适配低压大电流供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)

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• 选型手册：MOT3180G N 沟道功率 MOSFET 晶体管2025-11-20 15:31

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT3180G是一款面向30V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借超低导通电阻、高雪崩稳定性及无铅封装特性，适用于DC/DC转换器、高频开关与同步整流等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：30V，适配低压大电流供电场景；导通电阻（\(R_{DS(o

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• 选型手册：MOT3510G N 沟道功率 MOSFET 晶体管2025-11-20 15:06

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT3510G是一款面向30V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借超低导通电阻、高雪崩稳定性及高效散热封装，适用于SMPS（开关模式电源）、通用用途电路、硬开关与高频电路、不间断电源等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：30V，适配低压大电流供电场

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• 选型手册：MOT4523D N 沟道功率 MOSFET 晶体管2025-11-19 15:25

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT4523D是一款面向40V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借先进沟槽技术、低导通电阻及低栅极电荷特性，适用于负载开关、PWM应用、电源管理等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：40V，适配低压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(

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• 选型手册：MOT8113T N 沟道功率 MOSFET 晶体管2025-11-19 15:21

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT8113T是一款面向80V低压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借1.1mΩ超低导通电阻、300A超大电流承载能力及TOLL-8L小型化封装，适用于高功率系统逆变器、轻型电动车、BMS（电池管理系统）、无人机等大功率场景。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS}\

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