深圳市首质诚科技有限公司文章

• 选型手册：VS3610AE N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-12-04 09:22

  

  威兆半导体推出的VS3610AE是一款面向30V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET，支持5V逻辑电平控制，适配低压DC/DC转换器、同步整流、中功率负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：30V，适配低压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=

  MOS 威兆半导体 晶体管 492浏览量

• VS3615GE N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-12-03 09:53

  

  威兆半导体推出的VS3615GE是一款面向30V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，基于VeriMOS®II技术实现低导通电阻与高效能，适配低压DC/DC转换器、同步整流、中功率负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：30V，适配低压供电场景；导通电阻（\(R_{DS

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• 选型手册：VS40200AT N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-12-03 09:48

  

  威兆半导体推出的VS40200AT是一款面向40V低压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220AB直插封装，凭借超低导通电阻与200A大电流承载能力，适配低压超大电流DC/DC转换器、电源管理、高功率负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：40V，适配低压供

  MOS MOSFET 威兆半导体 611浏览量

• 选型手册：VS1602GMH N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-12-03 09:23

  

  威兆半导体推出的VS1602GMH是一款面向100V中压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-263封装，凭借1.9mΩ极致低导通电阻与170A大电流承载能力，适用于中压大电流DC/DC转换器、电源管理、高功率负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：100V，适

  MOS 仁懋电子 晶体管 568浏览量

• 选型手册：VS4610AE N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-12-02 09:32

  

  威兆半导体推出的VS4610AE是一款面向40V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借低导通电阻、快速开关特性与高可靠性，适配低压DC/DC转换器、同步整流、中功率负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：40V，适配低压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：

  MOS 威兆半导体 晶体管 653浏览量

• 选型手册：VSP015N15HS-G N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-12-02 09:29

  

  威兆半导体推出的VSP015N15HS-G是一款面向150V中高压场景的N沟道增强型功率MOSFET，基于VeriMOS®II技术实现低导通电阻与高效能，适配中高压DC/DC转换器、电源管理、中功率负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：150V，适配中高压供电场景；导通电阻（

  MOS 威兆半导体 晶体管 520浏览量

• 选型手册：VS5814DS 双通道 N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-12-02 09:25

  

  威兆半导体推出的VS5814DS是一款面向55V中压场景的双通道N沟道增强型功率MOSFET，支持5V逻辑电平控制，基于VeriMOS®技术实现低导通电阻与高效能，适配中压双路电源管理、DC/DC转换器、同步整流等领域。一、产品基本信息器件类型：双通道N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：55V，适配中压双路供电场景

  MOS 威兆半导体 晶体管 912浏览量

• 选型手册：VSE025N10HS N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-12-01 16:36

  

  威兆半导体推出的VSE025N10HS是一款面向100V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET，具备快速开关特性与高可靠性，适配中压DC/DC转换器、同步整流、中功率负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：100V，适配中压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)，\(

  MOS 仁懋电子 晶体管 480浏览量

• 选型手册：VSE002N03MS-G N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-12-01 15:32

  

  威兆半导体推出的VSE002N03MS-G是一款面向30V低压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，基于VeriMOS®II技术实现极致低导通电阻，适配低压大电流DC/DC转换器、同步整流、高功率负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：30V，适配低压供电场景；导通电阻（

  MOS MOSFET 晶体管 982浏览量

• 选型手册：VS4620GP N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-12-01 15:07

  

  威兆半导体推出的VS4620GP是一款面向40V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET，基于VeriMOS®II技术实现低导通电阻与高可靠性，适配低压DC/DC转换器、同步整流、中功率负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：40V，适配低压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(o

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