深圳市首质诚科技有限公司文章

• 选型手册：MOT70R380D N 沟道超级结功率 MOSFET 晶体管2025-11-10 15:42

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT70R380D是一款N沟道超级结功率MOSFET，凭借700V耐压、低导通电阻及高频开关特性，适用于功率因数校正（PFC）、电源功率级、适配器、电机控制、DC-DC转换器等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道超级结功率MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：700V，适配高压功率转换场景；导通电阻（\(R_

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• 选型手册：MOT70R280D N 沟道超级结功率 MOSFET 晶体管2025-11-07 10:54

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT70R280D是一款N沟道超级结功率MOSFET，凭借700V耐压、超低导通电阻及高频开关特性，适用于功率因数校正、开关模式电源、不间断电源等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道超级结功率MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：700V，适配高压功率转换场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_

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• 选型手册：MOT10N65F N 沟道功率 MOSFET 晶体管2025-11-07 10:40

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT10N65F是一款面向650V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借低栅极电荷、快速开关特性及稳定雪崩能力，广泛适用于高频开关电源、电子镇流器、UPS等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：650V，适配高压高频供电系统；导通电阻（\(R_{DS(o

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• 选型手册：MOT12N70F N 沟道功率 MOSFET 晶体管2025-11-07 10:31

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT12N70F是一款面向700V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借超低栅极电荷、快速开关特性及稳定雪崩能力，广泛适用于高频开关电源、电子镇流器、UPS等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：700V，适配高压高频供电系统；导通电阻（\(R_{DS(

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• 选型手册：MOT9N50F N 沟道功率 MOSFET 晶体管2025-11-07 10:23

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT9N50F是一款面向500V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借快速开关特性、稳定雪崩能力及500V耐压，广泛适用于高频开关电源、电子镇流器、LED电源等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：500V，适配高压高频供电系统；导通电阻（\(R_{DS

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• 选型手册：MOT7N65AF N 沟道功率 MOSFET 晶体管2025-11-06 16:15

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT7N65AF是一款面向650V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借超低栅极电荷、快速开关特性及稳定雪崩能力，广泛适用于高效开关电源、半桥式电子镇流器、LED电源等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：650V，适配高压高频供电系统；导通电阻（\(R

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• 选型手册：MOT4N70D N 沟道功率 MOSFET 晶体管2025-11-06 16:12

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT4N70D是一款面向700V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借超低栅极电荷、快速开关特性及稳定雪崩能力，广泛适用于高频开关电源、电子镇流器、LED电源等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：700V，适配高压高频供电系统；导通电阻（\(R_{DS

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• 选型手册：MOT20100D 肖特基势垒整流二极管2025-11-06 16:08

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT20100D是一款20A规格的肖特基势垒整流二极管，凭借100V耐压、低正向压降及高浪涌电流特性，适用于开关电源、逆变器、电池充电器等高频整流场景。一、产品基本信息核心参数：峰值反向耐压（\(V_{RRM}\)）：100V平均整流输出电流（\(I_o\)）：20A（总电流）正向压降（\(V_F\)）：\(I_F=10A\)时典型

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• 选型手册：MOT5N50BD N 沟道功率 MOSFET 晶体管2025-11-06 16:05

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT5N50BD是一款面向500V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借快速开关特性、稳定雪崩能力及500V耐压，广泛适用于高频开关电源、电子镇流器、LED电源等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：500V，适配高压高频供电系统；导通电阻（\(R_{D

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• 选型手册：MOT100N03MC N 沟道功率 MOSFET 晶体管2025-11-06 15:44

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT100N03MC是一款面向30V低压大电流开关场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借超低导通损耗、100A大电流承载能力及优异的开关特性，适用于各类开关应用（如DC-DC转换器、大功率负载开关等）。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：30V，适配低压大电流供电场

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