深圳市首质诚科技有限公司文章

• 选型手册：VSP007N12HS-G N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-11-26 15:24

  

  威兆半导体推出的VSP007N12HS-G是一款面向120V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET，基于VeriMOS®II技术实现高效能与快速开关特性，凭借低导通电阻与高可靠性，适用于中压DC/DC转换器、同步整流、电源管理系统等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：120V，适配中

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• 选型手册：VS3618AE N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-11-26 15:21

  

  威兆半导体推出的VS3618AE是一款面向30V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET，具备快速开关特性与高能量转换效率，凭借低导通电阻与高可靠性，适用于DC/DC转换器、同步整流、负载开关等低压大电流领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：30V，适配低压供电场景；导通电阻（\(R_{

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• 选型手册：VSP007P06MS P 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-11-26 15:18

  

  威兆半导体推出的VSP007P06MS是一款面向-60V低压场景的P沟道增强型功率MOSFET，支持5V逻辑电平控制，凭借超低导通电阻与高电流承载能力，适用于负载开关、DC/DC转换器、电源管理系统等领域。一、产品基本信息器件类型：P沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：-60V，适配低压负电压供电场景；导通电阻（\(

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• 选型手册：VSP003N10HS-G N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-11-26 15:13

  

  威兆半导体推出的VSP003N10HS-G是一款面向100V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET，支持10V逻辑电平控制，基于FastMOSII技术实现快速开关与高效能，适用于DC/DC转换器、同步整流、电源管理等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：100V，适配中压供电场景；导通

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• 选型手册：VS4020AP N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-11-26 14:55

  

  威兆半导体推出的VS4020AP是一款面向40V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，支持5V逻辑电平控制，凭借极低导通电阻与高可靠性，适用于DC/DC转换器、同步整流、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：40V，适配低压大电流供电场景；导通电阻（\(R_{DS(o

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• 选型手册：MOT6180J N 沟道功率 MOSFET 晶体管2025-11-25 15:31

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT6180J是一款面向60V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借低导通电阻、高可靠性及环保特性，适用于便携设备、电池供电系统、笔记本电脑电源管理等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：60V，适配低压大电流供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)

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• 选型手册：MOT4180G N 沟道功率 MOSFET 晶体管2025-11-25 15:23

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT4180G是一款面向40V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借超低导通电阻、高雪崩稳定性及无铅封装特性，适用于DC/DC转换器、高频开关与同步整流等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：40V，适配低压大电流供电场景；导通电阻（\(R_{DS(o

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• 选型手册：MOT4522J N 沟道功率 MOSFET 晶体管2025-11-25 15:14

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT4522J是一款面向40V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借超低导通电阻、无铅环保封装特性，适用于DC/DC转换器等低压功率转换场景。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：40V，适配低压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}

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• 选型手册：MOT1111T N 沟道功率 MOSFET 晶体管2025-11-24 17:23

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT1111T是一款面向100V低压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借1mΩ超低导通电阻、400A超大连续电流及超级沟槽技术，适用于高功率系统逆变器、轻型电动车、BMS（电池管理系统）、无人机等大功率场景。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：100V，适

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• 选型手册：MOT6556T N 沟道功率 MOSFET 晶体管2025-11-24 17:04

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT6556T是一款面向60V低压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借0.5mΩ超低导通电阻、400A超大连续电流及超级沟槽技术，适用于高功率系统逆变器、轻型电动车、BMS（电池管理系统）、无人机等大功率场景。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：60V，适

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