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• 选型手册：VSP004N10MS-G N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-12-26 11:57

  

  威兆半导体推出的VSP004N10MS-G是一款面向100V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用PDFN5060X封装，适配中压大功率电源管理、DC/DC转换器等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：100V，适配中压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_

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• 选型手册：VSD004N03MS N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-12-26 11:53

  

  威兆半导体推出的VSD004N03MS是一款面向30V低压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252封装，适配低压超大电流电源管理、DC/DC转换器等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：30V，适配低压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{G

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• 选型手册：VS8068AD N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-12-26 11:50

  

  威兆半导体推出的VS8068AD是一款面向80V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-262封装，适配中压中功率电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：80V，适配中压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)时9.0

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• 选型手册：VSO012N06MS N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-12-25 16:31

  

  威兆半导体推出的VSO012N06MS是一款面向60V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用SOP8封装，适配低压小型电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：60V，适配低压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)时8.0

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• 选型手册：VS5810AS N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-12-25 16:27

  

  威兆半导体推出的VS5810AS是一款面向58V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用SOP8封装，适配中压小型电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：58V，适配中压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)时5.8mΩ、

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• 选型手册：VSB012N03MS N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-12-25 16:22

  

  威兆半导体推出的VSB012N03MS是一款面向30V低压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用TDFN3x3.3封装，适配低压超大电流电源管理、DC/DC转换器等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：30V，适配低压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V

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• 选型手册：VSD011N10MS-G N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-12-25 16:18

  

  威兆半导体推出的VSD011N10MS-G是一款面向100V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252封装，适配中压中功率电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：100V，适配中压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10

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• 选型手册：VSD090N10MS N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-12-25 16:14

  

  威兆半导体推出的VSD090N10MS是一款面向100V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252封装，适配中压中功率电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：100V，适配中压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\

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• 选型手册：VS6016HS-A N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-12-24 13:12

  

  威兆半导体推出的VS6016HS-A是一款面向60V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用SOP8封装，适配低压小型电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：60V，适配低压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)时11mΩ

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• 选型手册：VS6412ASL N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-12-24 13:10

  

  威兆半导体推出的VS6412ASL是一款面向60V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用SOP8封装，适配低压小型电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：60V，适配低压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)时典型值44

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