深圳市首质诚科技有限公司文章

• 选型手册：VSE011N10MS-G N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-12-30 14:58

  

  威兆半导体推出的VSE011N10MS-G是一款面向100V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用PDFN3333封装，适配中压小型高功率密度电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：100V，适配中压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{

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• 选型手册：VSP005NE8HS-G N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-12-30 11:59

  

  威兆半导体推出的VSP005NE8HS-G是一款面向85V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用PDFN5x6封装，适配中压大功率电源管理、DC/DC转换器等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：85V，适配中压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}

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• 选型手册：VSI008N10MS N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-12-30 10:55

  

  威兆半导体推出的VSI008N10MS是一款面向100V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-251封装，适配中压中功率电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：100V，适配中压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\

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• 选型手册：VSO013N10MS N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-12-29 11:52

  

  威兆半导体推出的VSO013N10MS是一款面向100V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用SOP8封装，适配中压小型电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：100V，适配中压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)时1

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• 选型手册：VST018N10MS N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-12-29 11:30

  

  威兆半导体推出的VST018N10MS是一款面向100V中压大功率场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220AB封装，适配中压大功率电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：100V，适配中压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}

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• 选型手册：VS7N65AD N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-12-29 10:24

  

  威兆半导体推出的VS7N65AD是一款面向650V高压小功率场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252封装，适配高压电源开关、小功率DC/DC转换器等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：650V，适配高压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=

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• 选型手册：VSD007N06MS N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-12-29 10:03

  

  威兆半导体推出的VSD007N06MS是一款面向60V低压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252封装，适配低压大功率电源管理、DC/DC转换器等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：60V，适配低压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS

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• 选型手册：VSF013N10MS3-G N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-12-29 09:53

  

  威兆半导体推出的VSF013N10MS3-G是一款面向100V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220SF封装，适配中压中功率电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：100V，适配中压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}

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• 选型手册：VSP020P06MS P 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-12-26 12:01

  

  威兆半导体推出的VSP020P06MS是一款面向-40V中压场景的P沟道增强型功率MOSFET，采用PDFN5x6封装，适配中压电源的高侧开关、负载控制等领域。一、产品基本信息器件类型：P沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：-40V（P沟道耐压为负值，适配40V中压场景）；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\

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• 选型手册：VS6880AT N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-12-26 11:58

  

  威兆半导体推出的VS6880AT是一款面向68V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220AB封装，适配中压大功率电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：68V，适配中压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)时典

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