深圳市首质诚科技有限公司文章

• 选型手册：AGM6015C N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2026-01-08 15:38

  

  AGMSEMI推出的AGM6015C是一款面向60V低压超大功率场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220封装，适配负载开关、电池保护等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET（沟槽工艺）核心参数：漏源极击穿电压（VDSS​）：60V，适配低压供电场景；导通电阻（RDS(ON)​）：1.5mΩ（VGS​=10V），低压场景下传导

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• 选型手册：AGM40P150C P 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2026-01-08 15:34

  

  AGMSEMI推出的AGM40P150C是一款面向40V低压超大功率场景的P沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220封装，适配负载开关、电池保护等领域。一、产品基本信息器件类型：P沟道增强型功率MOSFET（沟槽工艺）核心参数：漏源极击穿电压（VDSS​）：-40V（P沟道，电压为负），适配低压供电场景；导通电阻（RDS(ON)​）：3.0mΩ（VGS​

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• 选型手册：AGMH6018C N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2026-01-08 15:23

  

  AGMSEMI推出的AGMH6018C是一款面向60V低压大功率场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220封装，适配负载开关、电池保护等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET（沟槽工艺）核心参数：漏源极击穿电压（VDSS​）：60V，适配低压供电场景；导通电阻（RDS(ON)​）：1.5mΩ（VGS​=10V），低压场景下传导

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• 选型手册：AGM65N20AT N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2026-01-08 15:20

  

  AGMSEMI推出的AGM65N20AT是一款面向200V高压中功率场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-247封装，适配高压电源管理、同步整流等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET（沟槽工艺）核心参数：漏源极击穿电压（VDSS​）：200V，适配高压供电场景；导通电阻（RDS(ON)​）：17mΩ（VGS​=10V），高压场

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• 选型手册：AGM012N10LL N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2026-01-08 15:16

  

  AGMSEMI推出的AGM012N10LL是一款面向100V中压超大功率场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用TOLX-8L封装，适配高压超大电流电源管理、同步整流等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET（沟槽工艺）核心参数：漏源极击穿电压（VDSS​）：100V，适配中压供电场景；导通电阻（RDS(ON)​）：1.0mΩ（VGS​=

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• 选型手册：VSP011N10MS-G N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2026-01-06 11:28

  

  威兆半导体推出的VSP011N10MS-G是一款面向100V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用PDFN5x6封装，适配中压大功率电源管理、DC/DC转换器等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（VDSS​）：100V，适配中压供电场景；导通电阻（RDS(on)​）：VGS​=10V时8.5mΩ、VGS

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• 选型手册：HCKD5N65BM2 高速 IGBT 分立器件2026-01-06 11:24

  

  威兆半导体推出的HCKD5N65BM2是一款650V高压高速IGBT（搭配反并联二极管），采用TO-252封装，适配电机驱动、风扇驱动等场景。一、产品基本信息器件类型：TrenchFS-Trench²高速IGBT（含反并联二极管）核心参数：集电极-发射极击穿电压（VCES​）：650V，适配高压供电场景；直流集电极电流（Ic​）：Tc​=25∘C时10A、T

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• 选型手册：VS1606GS N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2026-01-06 11:20

  

  威兆半导体推出的VS1606GS是一款面向100V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用SOP8封装，适配中压小型电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（VDSS​）：100V，适配中压供电场景；导通电阻（RDS(on)​）：VGS​=10V时10.0mΩ、VGS​=4.5V时14.5m

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• 选型手册：VS3620GPMC N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2026-01-06 11:17

  

  威兆半导体推出的VS3620GPMC是一款面向30V低压超大功率场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用PDFN5x6封装，适配低压超大电流电源管理、DC/DC转换器等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（VDSS​）：30V，适配低压供电场景；导通电阻（RDS(on)​）：VGS​=10V时5.0mΩ、VGS

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• 选型手册：VS1605ATM N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2026-01-04 16:31

  

  威兆半导体推出的VS1605ATM是一款面向100V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220AB封装，适配中压大功率电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：100V，适配中压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\

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