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深圳市首质诚科技有限公司

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深圳市首质诚科技有限公司文章

  • 选型手册:MOT50N03D N 沟道功率 MOSFET 晶体管2025-11-11 09:18

    仁懋电子(MOT)推出的MOT50N03D是一款面向30V低压大电流开关场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借超低导通损耗、50A大电流承载能力及快速开关特性,适用于各类开关应用(如DC-DC转换器、大功率负载开关等)。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型功率MOSFET核心参数:漏源极耐压(\(V_{DSS}\)):30V,适配低压大电流供电场景;导通
    MOS 仁懋电子 晶体管 159浏览量
  • 选型手册:MOT2914J 双 N 沟道增强型 MOSFET2025-11-10 16:17

    仁懋电子(MOT)推出的MOT2914J是一款双N沟道增强型MOSFET,凭借20V耐压、超低导通电阻及优异的高频开关特性,适用于DC/DC转换器、高频开关电路及同步整流等场景。一、产品基本信息器件类型:双N沟道增强型MOSFET核心参数:漏源极耐压(\(V_{DSS}\)):20V,适配低压大电流供电场景;导通电阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_
    MOS MOSFET 仁懋电子 207浏览量
  • 选型手册:MOT3920J 双 N 沟道增强型 MOSFET2025-11-10 16:12

    仁懋电子(MOT)推出的MOT3920J是一款双N沟道增强型MOSFET,凭借30V耐压、超低导通电阻及优异的高频开关特性,适用于DC/DC转换器、高频开关电路及同步整流等场景。一、产品基本信息器件类型:双N沟道增强型MOSFET核心参数:漏源极耐压(\(V_{DSS}\)):30V,适配低压大电流供电场景;导通电阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_
    MOSFET MOT 仁懋电子 212浏览量
  • 选型手册:MOT9166T N 沟道功率 MOSFET 晶体管2025-11-10 16:01

    仁懋电子(MOT)推出的MOT9166T是一款面向200V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借6mΩ超低导通电阻、114A超大电流承载能力及TOLL-8L小型化封装,适用于高功率系统逆变器、轻型电动车、BMS(电池管理系统)、无人机等大功率场景。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型功率MOSFET核心参数:漏源极耐压(\(V_{DSS}\))
    MOS 仁懋电子 晶体管 275浏览量
  • 选型手册:MOT6120T N 沟道功率 MOSFET 晶体管2025-11-10 15:50

    仁懋电子(MOT)推出的MOT6120T是一款面向60V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借1.5mΩ超低导通电阻、229A超大电流承载能力及TOLL-8L小型化封装,适用于高功率系统逆变器、轻型电动车、无人机等大功率场景。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型功率MOSFET核心参数:漏源极耐压(\(V_{DSS}\)):60V,适配低压大电
    MOS 仁懋电子 晶体管 193浏览量
  • 选型手册:MOT70R380D N 沟道超级结功率 MOSFET 晶体管2025-11-10 15:42

    仁懋电子(MOT)推出的MOT70R380D是一款N沟道超级结功率MOSFET,凭借700V耐压、低导通电阻及高频开关特性,适用于功率因数校正(PFC)、电源功率级、适配器、电机控制、DC-DC转换器等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道超级结功率MOSFET核心参数:漏源极耐压(\(V_{DSS}\)):700V,适配高压功率转换场景;导通电阻(\(R_
    MOS 仁懋电子 晶体管 204浏览量
  • 选型手册:MOT70R280D N 沟道超级结功率 MOSFET 晶体管2025-11-07 10:54

    仁懋电子(MOT)推出的MOT70R280D是一款N沟道超级结功率MOSFET,凭借700V耐压、超低导通电阻及高频开关特性,适用于功率因数校正、开关模式电源、不间断电源等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道超级结功率MOSFET核心参数:漏源极耐压(\(V_{DSS}\)):700V,适配高压功率转换场景;导通电阻(\(R_{DS(on)}\),\(V_
    MOS 仁懋电子 晶体管 115浏览量
  • 选型手册:MOT10N65F N 沟道功率 MOSFET 晶体管2025-11-07 10:40

    仁懋电子(MOT)推出的MOT10N65F是一款面向650V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借低栅极电荷、快速开关特性及稳定雪崩能力,广泛适用于高频开关电源、电子镇流器、UPS等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型功率MOSFET核心参数:漏源极耐压(\(V_{DSS}\)):650V,适配高压高频供电系统;导通电阻(\(R_{DS(o
    MOS 仁懋电子 晶体管 159浏览量
  • 选型手册:MOT12N70F N 沟道功率 MOSFET 晶体管2025-11-07 10:31

    仁懋电子(MOT)推出的MOT12N70F是一款面向700V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借超低栅极电荷、快速开关特性及稳定雪崩能力,广泛适用于高频开关电源、电子镇流器、UPS等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型功率MOSFET核心参数:漏源极耐压(\(V_{DSS}\)):700V,适配高压高频供电系统;导通电阻(\(R_{DS(
    MOS 仁懋电子 晶体管 171浏览量
  • 选型手册:MOT9N50F N 沟道功率 MOSFET 晶体管2025-11-07 10:23

    仁懋电子(MOT)推出的MOT9N50F是一款面向500V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借快速开关特性、稳定雪崩能力及500V耐压,广泛适用于高频开关电源、电子镇流器、LED电源等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型功率MOSFET核心参数:漏源极耐压(\(V_{DSS}\)):500V,适配高压高频供电系统;导通电阻(\(R_{DS
    MOS 仁懋电子 晶体管 197浏览量