深圳市首质诚科技有限公司文章

• 选型手册：MOT50N03D N 沟道功率 MOSFET 晶体管2025-11-11 09:18

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT50N03D是一款面向30V低压大电流开关场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借超低导通损耗、50A大电流承载能力及快速开关特性，适用于各类开关应用（如DC-DC转换器、大功率负载开关等）。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：30V，适配低压大电流供电场景；导通

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• 选型手册：MOT2914J 双 N 沟道增强型 MOSFET2025-11-10 16:17

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT2914J是一款双N沟道增强型MOSFET，凭借20V耐压、超低导通电阻及优异的高频开关特性，适用于DC/DC转换器、高频开关电路及同步整流等场景。一、产品基本信息器件类型：双N沟道增强型MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：20V，适配低压大电流供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_

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• 选型手册：MOT3920J 双 N 沟道增强型 MOSFET2025-11-10 16:12

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT3920J是一款双N沟道增强型MOSFET，凭借30V耐压、超低导通电阻及优异的高频开关特性，适用于DC/DC转换器、高频开关电路及同步整流等场景。一、产品基本信息器件类型：双N沟道增强型MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：30V，适配低压大电流供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_

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• 选型手册：MOT9166T N 沟道功率 MOSFET 晶体管2025-11-10 16:01

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT9166T是一款面向200V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借6mΩ超低导通电阻、114A超大电流承载能力及TOLL-8L小型化封装，适用于高功率系统逆变器、轻型电动车、BMS（电池管理系统）、无人机等大功率场景。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）

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• 选型手册：MOT6120T N 沟道功率 MOSFET 晶体管2025-11-10 15:50

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT6120T是一款面向60V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借1.5mΩ超低导通电阻、229A超大电流承载能力及TOLL-8L小型化封装，适用于高功率系统逆变器、轻型电动车、无人机等大功率场景。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：60V，适配低压大电

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• 选型手册：MOT70R380D N 沟道超级结功率 MOSFET 晶体管2025-11-10 15:42

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT70R380D是一款N沟道超级结功率MOSFET，凭借700V耐压、低导通电阻及高频开关特性，适用于功率因数校正（PFC）、电源功率级、适配器、电机控制、DC-DC转换器等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道超级结功率MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：700V，适配高压功率转换场景；导通电阻（\(R_

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• 选型手册：MOT70R280D N 沟道超级结功率 MOSFET 晶体管2025-11-07 10:54

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT70R280D是一款N沟道超级结功率MOSFET，凭借700V耐压、超低导通电阻及高频开关特性，适用于功率因数校正、开关模式电源、不间断电源等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道超级结功率MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：700V，适配高压功率转换场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_

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• 选型手册：MOT10N65F N 沟道功率 MOSFET 晶体管2025-11-07 10:40

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT10N65F是一款面向650V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借低栅极电荷、快速开关特性及稳定雪崩能力，广泛适用于高频开关电源、电子镇流器、UPS等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：650V，适配高压高频供电系统；导通电阻（\(R_{DS(o

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• 选型手册：MOT12N70F N 沟道功率 MOSFET 晶体管2025-11-07 10:31

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT12N70F是一款面向700V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借超低栅极电荷、快速开关特性及稳定雪崩能力，广泛适用于高频开关电源、电子镇流器、UPS等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：700V，适配高压高频供电系统；导通电阻（\(R_{DS(

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• 选型手册：MOT9N50F N 沟道功率 MOSFET 晶体管2025-11-07 10:23

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT9N50F是一款面向500V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借快速开关特性、稳定雪崩能力及500V耐压，广泛适用于高频开关电源、电子镇流器、LED电源等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：500V，适配高压高频供电系统；导通电阻（\(R_{DS

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