深圳市首质诚科技有限公司文章

• 选型手册：VS3614AD N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-12-10 09:54

  

  威兆半导体推出的VS3614AD是一款面向30V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252封装，适配低压DC/DC转换器、同步整流、中功率负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：30V，适配低压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=

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• 选型手册：VS3540AC P 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-12-10 09:44

  

  威兆半导体推出的VS3540AC是一款面向-30V低压小电流场景的P沟道增强型功率MOSFET，采用SOT23小型封装，适配低压负电源切换、小型负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：P沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：-30V，适配低压负电源场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=-1

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• 选型手册：VST012N20HS-G N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-12-09 10:49

  

  威兆半导体推出的VST012N20HS-G是一款面向200V中高压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220AB封装，适配中高压大电流DC/DC转换器、电源管理等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：200V，适配中高压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)

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• 选型手册：VS1602GTH N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-12-09 10:43

  

  威兆半导体推出的VS1602GTH是一款面向100V中压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220AB封装，适配中压大电流DC/DC转换器、电源管理等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：100V，适配中压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_{G

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• 选型手册：VS1602GFH N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-12-09 10:29

  

  威兆半导体推出的VS1602GFH是一款面向100V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220F封装，适配中压DC/DC转换器、电源管理、中功率负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：100V，适配中压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_{G

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• 选型手册：VS4802GPHT-IG N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-12-09 10:26

  

  威兆半导体推出的VS4802GPHT-IG是一款面向40V低压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用PDFN5x6封装，适配低压超大电流DC/DC转换器、电源管理等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：40V，适配低压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_

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• 选型手册：VS1891GMH N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-12-09 10:12

  

  威兆半导体推出的VS1891GMH是一款面向100V中压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-263封装，适配中压大电流DC/DC转换器、电源管理、高功率负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：100V，适配中压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)，

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• 选型手册：VS3510AE P 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-12-08 11:16

  

  威兆半导体推出的VS3510AE是一款面向-30V低压场景的P沟道增强型功率MOSFET，适配低压负电源切换、电源路径管理等领域。一、产品基本信息器件类型：P沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：-30V，适配低压负电源场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=-10V\)时典型值10mΩ，\(

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• 选型手册：VS3618AS N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-12-08 11:10

  

  威兆半导体推出的VS3618AS是一款面向30V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET，支持5V逻辑电平控制，采用SOP8封装，适配小型化低压电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：30V，适配低压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=

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• 选型手册：VS6604GP N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管2025-12-08 10:59

  

  威兆半导体推出的VS6604GP是一款面向60V中低压场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用PDFN5x6封装，适配中低压大电流DC/DC转换器、同步整流、中功率负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：60V，适配中低压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(

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