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Flexfilm

薄膜材料智检先锋

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动态

  • 发布了文章 2025-11-10 18:03

    台阶仪在铝合金耐蚀性研究中的应用:基于电流密度的MAO膜层结构表征与性能优化

    铝合金因其低密度、良好的导电导热性及易加工等优点,广泛应用于汽车、航空航天等领域。然而,其较差的耐腐蚀性能严重限制了使用寿命和应用范围。为提升铝合金的耐蚀性,微弧氧化(MAO)作为一种高效、环保的表面处理技术,近年来受到广泛关注。该技术可在铝合金表面原位生成结合力强、耐蚀性好的陶瓷氧化层。Flexfilm探针式台阶仪可以实现表面微观特征的精准表征与关键参数的
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  • 发布了文章 2025-11-07 18:02

    穆勒矩阵椭偏仪:DVRMME技术的系统误差建模与校准补偿

    双涡旋延迟器穆勒矩阵椭偏仪(DVRMME)是一种先进的单次快照式全偏振测量技术。然而,其测量精度极易受到光学元件装配偏差和器件缺陷引入的系统误差影响。Flexfilm全光谱椭偏仪可以非接触对薄膜的厚度与折射率的高精度表征,广泛应用于薄膜材料、半导体和表面科学等领域。本研究构建了一个包含六个关键系统误差参数(涉及起偏器、检偏器及两个涡旋延迟器的方位角与延迟量偏
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  • 发布了文章 2025-11-05 18:02

    台阶仪表面轮廓测量国际标准:ISO21920与ISO4287的差异解析

    Flexfilm探针式台阶仪作为表面形貌测量的精密仪器,能够依据最新的ISO21920系列标准实现表面微观特征的精准表征与关键参数的定量测量。该设备通过高精度探针扫描技术,可精确测定样品的表面台阶高度与薄膜厚度,为材料质量控制和生产工艺优化提供可靠的数据支撑。本文将系统阐述ISO21920-2:2021与旧版ISO4287:1996在表面轮廓分析标准方面的主
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  • 发布了文章 2025-11-03 18:04

    面向半导体量测的多波长椭偏技术:基于FDM-SE实现埃米级精度与同步测量

    随着半导体芯片制造精度进入纳米尺度,薄膜厚度的精确测量已成为保障器件性能与良率的关键环节。光谱椭偏仪虽能实现埃米级精度的非接触测量,但传统设备依赖宽带光源与光谱分光系统,存在测量效率低、系统复杂且易受环境干扰等问题。Flexfilm全光谱椭偏仪可以非接触对薄膜的厚度与折射率的高精度表征,广泛应用于薄膜材料、半导体和表面科学等领域。本研究提出了一种基于频分复用
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  • 发布了文章 2025-10-31 18:12

    台阶仪校准:材料测具的轮廓保真度与探针几何形态

    在工业表面纹理测量领域,触针式轮廓仪仍是最常用的测量工具。为确保测量结果的准确性,需要定期使用ISO5436-1标准定义的材料测具进行校准。这些校准过程涉及探针与材料测具之间的机械接触,在重复测量中可能引起磨损,进而影响校准结果的可靠性。Flexfilm探针式台阶仪可以实现表面微观特征的精准表征与关键参数的定量测量,精确测定样品的表面台阶高度与膜厚,为材料质
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  • 发布了文章 2025-10-29 18:02

    椭偏仪在DRAM制造量测中的应用:实现20mm×20mm超宽视场下晶圆级精准监控及提升良率

    随着半导体器件特征尺寸持续缩小,局部结构变化易影响电学性能甚至导致失效,对高空间密度、高吞吐量的先进计量技术需求迫切。但现有技术存在局限:光谱类技术(SR/SE/MMSE)需逐点测量,难以实现晶圆级快速计量;SEM分辨率高却视场小,无法高效识别大范围结构变化;传统成像类技术视场窄且穆勒矩阵组件利用不足。Flexfilm全光谱椭偏仪可以非接触对薄膜的厚度与折射
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  • 发布了文章 2025-10-27 18:04

    如何选择台阶仪的触针针尖?基于三维仿真与谱分析的选型标准研究

    台阶仪因其测量的直接性和数据的可追溯性,在表面形貌精密测量中始终占据关键地位。然而,其触针的球状针尖在扫描表面时,无法完全复现真实的峰谷结构,导致所测轮廓与实际轮廓存在差异,此现象被称为“轮廓畸变”或“机械滤波”。Flexfilm探针式台阶仪可以实现表面微观特征的精准表征与关键参数的定量测量,精确测定样品的表面台阶高度与膜厚,为材料质量把控和生产效率提升提供
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  • 发布了文章 2025-10-24 18:09

    光谱椭偏仪入门指南:原理、方法与基础应用

    在材料科学和光学表征领域,精确获取薄膜厚度与光学常数是理解材料性能的关键。然而,传统测量方法往往面临破坏样品、精度不足或难以适用于复杂微观结构的局限。针对这一问题,光谱椭偏仪(SE)作为一种非侵入式光学技术,通过分析偏振光在反射或透射过程中发生的振幅比(Ψ)和相位差(Δ)变化,实现对表面、界面和薄膜的高精度表征。Flexf
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  • 发布了文章 2025-10-22 18:03

    薄膜测厚选CWL法还是触针法?针对不同厚度与材质的台阶仪技术选型指南

    在微电子与MEMS领域,薄膜厚度测量对薄膜沉积、产品测试及失效分析至关重要,有机半导体因低成本、室温常压易加工及“湿法”制备优势,在OLED等器件中潜力大,但其一存在膜层柔软、附着力差等问题,影响厚度测量准确性;其二常用的触针式台阶仪虽测量范围广,却因接触式测量易破坏软膜,非接触的彩色白光(CWL)法虽可扫描大面积表面,却受薄膜光学不均匀性影响精度。Flex
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  • 发布了文章 2025-10-20 18:04

    椭偏仪表征薄膜非晶相 | 精准分析不同衬底温度下氢化非晶氧化硅(i-a-SiOₓ:H)薄膜的光学性质与结构

    本征氢化非晶氧化硅(i-a-SiOₓ:H)是a-Si:H/c-Si异质结太阳电池的重要钝化材料,兼具PECVD低温沉积、带隙宽等优势,但i-a-SiOₓ:H钝化性能与制备工艺、仪器密切相关;目前室温(25℃)下在n型直拉单晶硅(n-Cz-Si)表面沉积i-a-SiOₓ:H时,硅片少子寿命极低,钝化效果差,且衬底温度对其钝化性能的影响尚不明确;Flexfilm
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企业信息

认证信息: 苏州费曼测量仪器

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