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Flexfilm

薄膜材料智检先锋

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动态

  • 发布了文章 2026-05-08 18:05

    台阶仪在磁性薄膜的应用 | 纳米级厚度量化交换偏置场

    在自旋电子学器件制造领域,FeMn/CoFeB薄膜体系因其优异的交换偏置特性,已成为磁随机存取存储器(MRAM)和磁传感器研究中的核心结构之一。交换偏置效应源于反铁磁(AFM)层与铁磁(FM)层在界面处的耦合作用,其强弱直接决定器件的磁稳定性与信号响应灵敏度。Flexfilm费曼仪器探针式台阶仪可以实现表面微观特征的精准表征与关键参数的定量测量,精确测定样品
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  • 发布了文章 2026-05-06 18:06

    晶圆级均匀薄膜的制备与表征技术:从磁控溅射工艺优化到椭偏仪膜厚测量

    薄膜作为一类重要的低维材料,在太阳能电池、精密光学设备、薄膜体声波谐振器(FBAR)等高科技领域发挥着不可替代的作用。薄膜的制备方法主要包括化学气相沉积(CVD)、脉冲激光沉积(PLD)、电子束蒸发、溶胶-凝胶法、分子束外延(MBE)以及磁控溅射(MS)。Flexfilm费曼仪器全光谱椭偏仪可以非接触对薄膜的厚度与折射率的高精度表征,广泛应用于薄膜材料、半导
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  • 发布了文章 2026-04-29 18:03

    台阶仪在锂电池的应用 | 量化表征正负极与电解质膜的厚度变化

    微电子机械系统(MEMS)与微小型电子器件的快速发展,推动化学电源向微型化方向急剧迭代。与传统液态锂离子电池相比,全固态薄膜锂电池将电解质与电极均以微米级薄膜形式沉积于衬底之上,既解决了漏液与安全性问题,又在体积上大幅缩减,已成为微能源领域最受关注的技术路线之一。Flexfilm费曼仪器探针式台阶仪可以实现表面微观特征的精准表征与关键参数的定量测量,精确测定
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  • 发布了文章 2026-04-27 18:04

    ALD-Al₂O₃薄膜的制备:基于椭偏仪的前驱体脉冲时间优化与光学表征

    高功率激光系统(如惯性约束核聚变、激光装备等)中的复杂曲面光学元件对薄膜的均匀性和精度要求极高。传统物理气相沉积(PVD)难以在高陡度曲面上实现均匀覆盖,而原子层沉积(ALD)凭借自限制表面反应特性,可实现原子级厚度控制和优异的三维共形覆盖。Al₂O₃薄膜因宽带隙、高导热性和良好的化学稳定性而成为代表性材料。已有研究探索了退火、吹扫时间、沉积厚度等对薄膜性能
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  • 发布了文章 2026-04-24 18:02

    台阶仪在复合集流体中的应用:厚度测量与粗糙度表征的完整指南

    随着新能源汽车和储能行业的快速发展,锂离子电池的能量密度与安全性成为制约其进一步应用的关键瓶颈。传统锂离子电池采用金属集流体(铜箔/铝箔),虽技术成熟,但存在面密度高(铜箔约9μm)、成本占比较高以及穿刺时易引发内短路、热失控等问题。复合集流体(聚合物基金属复合薄膜)的出现为上述困境提供了创新解决路径,以4~8μm聚合物薄膜为基底,沉积0.5~2μm金属层,
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  • 发布了文章 2026-04-22 18:04

    椭偏仪在光学薄膜中的应用 | Al₂O₃膜厚、色差与耐腐蚀性解析

    银制品易变色、硬度低,传统表面防护方法存在覆膜不均、缺陷多、结合力弱等问题。原子层沉积(ALD)技术可实现均匀、可控的氧化铝(Al₂O₃)薄膜,但膜厚过薄缺陷多、过厚影响外观(色差)。Flexfilm费曼仪器全光谱椭偏仪可以非接触对薄膜的厚度与折射率的高精度表征,广泛应用于薄膜材料、半导体和表面科学等领域。本文采用ALD在抛光925银表面制备不同厚度Al₂O
  • 发布了文章 2026-04-20 18:03

    台阶仪在有机薄膜晶体管应用:60 nm有源层等效厚度精确测量全流程

    有机薄膜晶体管因其低成本、柔性化制备潜力而在光电探测领域备受关注,然而有机薄膜的厚度精准控制与微观结构表征始终是制约器件性能优化的关键难题。Flexfilm费曼仪器探针式台阶仪可以实现表面微观特征的精准表征与关键参数的定量测量,精确测定样品的表面台阶高度与膜厚,为材料质量把控和生产效率提升提供数据支撑。本研究以光敏有机半导体材料酞菁铁(FePc)为有源层,采
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  • 发布了文章 2026-04-17 18:03

    基于均匀样品的薄膜厚度测量:椭偏仪vs.反射仪

    本研究利用高质量二氧化硅(SiO₂)和氧化铝(Al₂O₃)薄膜(硅衬底)对光谱椭偏仪和反射仪进行了系统比较。通过详细的不确定度分析,发现两种方法在10nm至2000nm的膜厚范围内结果高度一致,偏差均在测量不确定度之内。椭偏仪在较薄薄膜上不确定度更低,而反射仪在较厚薄膜上更具优势。这项工作强调了严格的厚度表征和不确定度评估对薄膜计量学的重要性。Flexfil
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  • 发布了文章 2026-04-15 18:04

    磁控溅射工艺时间对金属及氧化物靶材溅射速率的影响:基于台阶仪的薄膜厚度表征

    磁控溅射是物理气相沉积(PVD)领域的主流技术之一,具有沉积温度低、速率快、多靶共沉积灵活等优势,被广泛应用于金属、半导体及绝缘体薄膜的制备。实际工程中,由于不同材料溅射原子的角分布差异悬殊,晶振片监测往往误差较大,工程师们通常采用"以工艺时间换算薄膜厚度"的方法:在短时间内溅射沉积一定厚度的薄膜,经台阶仪测量折算出沉积速率,再按比例推算目标厚度所需的溅射时
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  • 发布了文章 2026-04-13 18:04

    「纳米光栅无损检测」告别破坏性表征,光谱椭偏仪实现99.97%精度无损测量

    随着半导体技术的持续演进,器件特征尺寸不断缩减,而量产化的工艺需求却日益提高,纳米压印技术因此应运而生。纳米压印(NIL)的基本原理是将模具上的图形直接转移至衬底,从而实现批量化复制。与传统光刻工艺相比,纳米压印还具有工艺简单、分辨率高、生产效率高、成本低等显著优势,已成为半导体加工工艺中最重要的技术路线之一。在纳米压印工艺过程中,模板和器件的关键尺寸(CD
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认证信息: 苏州费曼测量仪器

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