Flexfilm

动态

• 发布了文章 2026-08-12 18:03

  混合键合进入纳米尺度：先进封装缺陷检测与计量技术

  

  随着先进封装向Chiplet、3D集成和高密度互连发展，混合键合（HybridBonding）正在成为重要的封装互连技术。与传统焊料凸点互连不同，混合键合直接实现Cu-Cu和介质-介质连接，可以提高互连密度，并降低互连结构中的寄生参数。Flexfilm费曼仪器探针式台阶仪可以实现表面微观特征的精准表征与关键参数的定量测量，精确测定样品的表面台阶高度与膜厚，为

  仪器 封装 检测

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• 发布了文章 2026-08-10 18:05

  椭偏仪测量ITO薄膜光学常数与SiO₂缓冲层厚度分布

  

  铟锡氧化物（In₂O₃–SnO₂，ITO）作为透明导电氧化物，半个多世纪以来一直是显示器、光伏、光电子器件等领域的工业和实验室标准材料。ITO薄膜厚度直接影响其光学和电学性质。一项研究表明膜厚从75nm增至325nm时，电阻率可从29×10⁻⁴Ω·cm降至1.65×10⁻⁴Ω·cm。然而，针对多块衬底上光学性质、厚度及SiO₂缓冲层均匀性的系统统计研究一直较

  ITO 测量 薄膜

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• 发布了文章 2026-08-07 18:02

  一文看懂WO₃薄膜厚度如何影响调光玻璃性能

  

  建筑门窗隔热不行，平白耗掉大量采暖和制冷的能源。电致变色智能窗（调光玻璃）能在透明和不透明之间来回切换，靠调节进到室内的太阳热和光线来省能，这几年很受关注。WO₃是这类窗的核心变色材料，器件表现好不好，多半看它。已有的膜厚研究大多停在100–300nm，把厚度对表面、结构、光学和电致变色性能的综合影响系统讲清楚的很少。本文用溶胶-凝胶旋涂在ITO玻璃上做WO

  材料 测量仪

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• 发布了文章 2026-08-05 18:03

  光谱椭偏仪在真空镀膜膜厚在线监测中的应用

  

  真空镀膜在半导体与光学器件制造中应用广泛，镀后膜厚均匀性直接决定镀层寿命与器件性能。实际溅射中，单阴极靶材在基片上方形成的沉积速率场天然不均匀：正对靶心处速率高、边缘处低，若基片静止便会沉积出中间厚、边缘薄的膜层。更麻烦的是，真空镀膜是强非线性、强时变的工艺，等离子体、温度、气流等多物理场相互耦合，带来持续动态扰动。传统PID控制依赖固定参数，在这种非稳态工

  光学器件 光谱 在线监测

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• 发布了文章 2026-08-03 18:03

  台阶仪监控3D集成金属接触刻蚀：三步法实现稳定氮化层停止

  

  三维集成靠垂直堆叠多层结构来提密度、提性能，但传统180nm逻辑工艺（L180）的接触刻蚀方案拿来刻三维集成的ONONO层间介质叠层行不通。主要毛病：停止余量不够、底部选择比掉、晶圆位置相关CD偏差大、叠层结构对不上。本文提出三步M1接触刻蚀方案，把主刻蚀、形貌调整、高选择比过刻蚀分开控制来破解这些限制。Flexfilm费曼仪器探针式台阶仪可以实现表面微观特

  仪器 测量

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• 发布了文章 2026-07-31 18:04

  氮化硅（SiNx）薄膜的制备与椭偏仪性能表征

  

  氮化硅（SiNx）薄膜因为高硬度、高透光、化学稳定且折射率可调，在光电、集成电路和太阳能电池里都用得很广。光伏电池表面那层SiNx，既是增透膜也是表面钝化层，转换效率能明显提上来。减反膜的关键在折射率：它直接管着光吸收，数值接近2.0时抗反射最利索、透射率也最高，所以把折射率稳在2.0上下，是做减反膜的硬指标。费曼仪器（Flexfilm）全光谱椭偏仪可以非接

  仪器 氮化硅 薄膜

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• 发布了文章 2026-07-29 18:03

  ITO薄膜与复合膜制备：台阶仪测厚及表面粗糙度表征

  

  透明导电氧化物（TCO）薄膜在液晶显示、触摸屏和光伏器件里当透明电极，透过率得高、电阻还得低。ITO（氧化铟锡）透光导电俱佳、硬度高、耐磨、化学稳定，是目前用量最大的TCO材料。但铟（In）储量有限、原料昂贵，传统工艺还易引入结构缺陷，透光与导电两头难兼顾。更麻烦的是，膜越薄透过率越高，电阻却随之上升，厚度与导电性怎么平衡，一直是行业里的老难题。Flexfi

  仪器 电极 薄膜

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• 发布了文章 2026-07-27 18:04

  蒸发镀膜设备改造提升膜厚均匀性，椭偏仪检测验证均匀性<1%

  

  半导体光学制程中，薄膜沉积厚度与折射率的表面均匀性直接决定器件功能与效率。传统旋转球面蒸发系统因蒸发源至球面基板各点距离不等，中心厚、边缘薄，镀膜均匀性长期徘徊于2%—5%，须借助MASK挡板反复修正，工艺繁琐，成本高企。ALD设备虽均匀性可控，但价格高昂、单炉周期长达48小时，成本与产能难以兼顾。费曼仪器（Flexfilm）全光谱椭偏仪可以非接触对薄膜的厚

  半导体 检测 薄膜

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• 发布了文章 2026-07-24 18:05

  台阶仪在PZT薄膜表征全流程实操

  

  Pb(Zr0.52Ti0.48)O3（PZT52/48）落在三方相与四方相的准同型相界上，介电、压电和铁电性能在这里都出峰值，拿来做存储器、探测传感器这类器件很有潜力，跟半导体微电器件集成也是当前的方向。溅射法跟半导体工艺完全兼容，膜厚好控制、图形化也方便，是制备PZT薄膜的主要手段。但溅射薄膜退火晶化时面临物相转变不完全和高温应力开裂等问题，而不同厚度薄膜

  仪器 传感器 薄膜

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• 发布了文章 2026-07-22 18:03

  椭偏应用 | AR光波导用高折射率元件UV固化制备与椭偏表征

  

  AR技术近年快速扩张，消费电子、工业培训、医疗等领域都在推着它往前走，对高折射率光学元件的需求越来越迫切，折射率越高，器件越紧凑，视场角越大，沉浸感越强。金属氧化物（ZrO₂、TiO₂、Nb₂O₅等）折射率高、透光好、耐老化，是这类元件的首选材料，但传统制备手段拖了后腿：气相沉积成本高、耗时长，设备投入大；溶胶-凝胶法要高温烘烤，跟不少基板合不来，膜面还容易

  Ar 器件 测量

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