20个半导体项目落户长沙!打造新一代半导体材料技术及产业发展中心

7月6日，长沙举办新一代半导体产业链建设合作交流暨集中签约活动。全国政协教科卫体委员会副主任曹健林，中国工程院院士、原总装备部科技委主任郭桂蓉，湖南省科技厅党组书记、厅长童旭东，长沙市委副书记朱健，副市长邱继兴等领导出席。

会上，观想科技与湖南湘江新区、创一电子与望城经开区、尤内森株式会社与浏阳高新区等20个材料、芯片器件、智能制造和应用等项目现场签约。由清华大学等20家国内一流高校、行业龙头企业联合筹建的长沙新一代半导体研究院正式揭牌运行。

半导体材料之于集成电路，如同土地之于城市。

很明显，山地、丘陵多者不适合建造城市，沙化土壤、石灰岩多的地方也不适合建造城市。“建造”城市需要选一块好地，“集成”电路也需要一块合适的基础材料——就是半导体。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓(化合物)，其中应用最广的、商用化最成功的当推硅。世界的科技创新洼地——硅谷，也因此得名。

(长沙新一代半导体研究院正式揭牌运行。图片均由星辰全媒体记者 陈诚/摄)

如今半导体已发展到第三代，各国都在抢占这一“风口期”。全力打造国家智能制造中心的长沙，已形成了新一代半导体产业链。在近日举办的长沙新一代半导体产业链建设合作交流暨集中签约活动上，20个项目集中签约，长沙新一代半导体研究院正式揭牌。

一个新的千亿产业初具雏形。

布局：一条主线、三个中心、五个链条

半导体是现代高科技产业的基础，是支持我国经济社会发展和保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业。近年来，长沙围绕“一条主线、三个中心和五个链条”的总体布局，全力推动项目建设，加强技术研发，聚集产业人才，产业链不断向上下游延伸，其中一条主线：以第三代半导体为核心的新一代半导体产业健康生态体系;三个中心：新一代半导体材料中心(浏阳高新区)、新一代半导体科创中心(湖南湘江新区)、新一代半导体应用及智造中心(望城经开区);五个链条：材料芯片产业链、电子电力产业链、微波电子产业链、光电子产业链和配套衍生产业链。

目前，长沙正在着手制订关于加快新一代半导体集成电路产业发展的若干意见，计划用三年时间重点支持高端研发机构在长沙落户，根据创新成果、产出以及项目给予支持。同时，进一步加强市场对接和技术交流，在5G商用、智能终端、智能网联的优势领域进一步开放应用场景，促进产业链上下游之间配套融合发展。特别是对于重点企业、重大科技成果、国家重大项目，将从技术、人才、市场、资金等多个维度给予支持，充分释放政策红利，为新一代半导体产业发展提供更好的试验田和成长土壤。

产业：打造新一代半导体材料技术及产业发展中心

近年来，一批新一代半导体产业项目纷纷落户长沙，产业初具规模。

天玥科技科创中心签约落户湖南湘江新区月亮岛，项目包括总部基地、研究院、应用及制造中心。未来5至10年，该中心将力争推动长沙建成世界级新一代半导体材料技术及产业发展中心，逐步成为新一代半导体材料产业集群核心地带。

上海科谱激光科技有限公司主要从事芯片的研发和生产，总经理陈博表示，光通信芯片广泛应用于5G、自动驾驶、智能制造等领域，但目前还依赖进口，科谱激光则致力于填补这一国内空白。“长沙区域条件优越，而且具备很强的科研优势，我们希望能够尽早落户长沙，为我国新一代半导体产业贡献力量。”

“长沙的几个产业园区对新一代半导体都有扶持计划，这是企业成长的动力。”长沙鑫康新材总经理邹硕华认为，产业实现集聚后，有利于实现上下游联动，“客户就集中在周边，沟通合作更加顺畅，如果他们想应用一些新的材料，我们就能及时对接，大家抱团发展。”

配置：成立研究院与产业投资基金

新一代半导体产业是技术密集、人才密集、资金密集和科技密集型产业。

7月6日，由清华大学、北京航空航天大学、电子科技大学等20家国内一流高校、行业龙头企业联合筹建的长沙新一代半导体研究院正式揭牌。该研究院将开展技术、应用和服务等创新研究，力争到2025年建成国内领先的新一代半导体科创中心。

金融是产业发展的源头活水，在这一方面，长沙除了出台政策释放红利，还与协同创新基金、华青股权投资等20多家国内基金管理公司联合建立了新一代半导体产业链项目投资基金联盟，资金规模200亿元，实现了产业项目健康发展与社会资本投入的体系融合。

名词解释：新一代半导体

半导体可大致分为三代，第三代半导体也被称为新一代半导体。

第一代半导体材料硅(Si)和锗(Ge)主要用于以计算机为代表的数值计算，成就了“美国硅谷”高科技产业群，促成英特尔、德州仪器等半导体巨头的诞生;

第二代半导体材料砷化镓(GaAs)和磷化姻(InP)主要用于无线通信，带来了光纤通信、移动通信、GPS全球导航等电子信息业的飞速发展;

第三代半导体材料禁带宽度(能带隙)大，又称宽禁带半导体;主要包括碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)，SiC最接近产业化。第三代宽禁带半导体具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点，可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求。

目前第三代半导体的典型应用，包括新能源汽车、轨道交通、输电系统、太阳能和风能并网、雷达、5G移动通信等领域。