聚焦 | GaN产业规模有望突破200亿美元

近年来，由于氮化镓(GaN)在高频下的较高功率输出和较小的占位面积，GaN已被RF工业大量采用。根据两个主要应用：电信基础设施和国防，推动整个氮化镓射频市场预计到2024年成长至20亿美元，产业研究机构Yole Développement(Yole)的研究报告指出，过去十年，全球电信基础设施投资保持稳定，在该市场中，更高频率的趋势为5G网路中频率低于6GHz的PA中的RF GaN提供了一个最佳发展的动力。

自从20年前第一批商用产品出现以来，GaN已成为射频功率应用中LDMOS和GaAs的重要竞争对手，并以更低的成本不断提高性能和可靠性。第一个GaN-on-SiC和GaN-on-Si元件几乎同时出现，但GaN-on-SiC在技术上已经变得更加成熟。GaN-on-SiC目前主导GaN射频市场，已渗透到4G LTE无线基础设施市场，预计将部署在5G 6GHz以下的RRH架构中。然而，与此同时，在经济高效的LDMOS技术方面也取得了显著进展，这可能会挑战5G sub-6Ghz主动式天线和大规模MIMO部署中的GaN解决方案。

GaN市场整体规模再2018年约6.45亿美元，无线通讯应用约3.04亿美元、军事约2.7亿美元，航太应用3700万美元为三大主要应用，2024年整体市场将成长至200.13亿美元，年复合成长率达21%，无线通讯应用规模达7.52亿美元，军事应用为9.77亿美元，值得注意的是RF Energy将从200万美元成长至1.04亿美元。