三星、海力士纷纷计划减产,美光财报引发业界担忧

经过两年多的涨价潮，DRAM的风光不再。年初开始，NAND闪存价格已出现疲软，并将持续到2019年。而DRAM内存价格也在今年三季度由涨转跌，平均价格跌幅达10-15%。三星、西部数据、美光、SK海力士等纷纷调整产出量、减缓投资计划，下调资本支出等，以便“弥补损失”。

三星、海力士纷纷计划减产

根据韩国方面消息，三星2018年第4季营业预期利益已从15万亿韩元下调至14.298万亿韩元。SK海力士也将2018年第4季营业预期利益从6.4724万亿韩元下调至5.6403万亿韩元。

据悉，三星目前已经削减了存储芯片扩产计划以阻止价格进一步下滑，其表示2018年DRAM内存的产量位元增长率（bit growth）将低于年初预测的20%，而NAND闪存的位元增长率将为30%（此前预测为40%）。同时，根据相关消息显示，三星2019年的资本支出将下滑8%，其中DRAM内存投资大砍20%。

另一边，SK海力士在此前的2018Q3财报会议上亦表示，将调整在2019年第1季末开始量产NAND Flash快闪存储器的M15工厂产能，以降低SK海力士对DRAM的依赖。而位于无锡的C2工厂，也将把原来2y(20nm)和2z(20nm)的DRAM生产制程，优化成1xnm(10nm后期)的产品，以降低生产成本，并将在2019年第2季量产。至于，以生产NAND Flash快闪存储器为主的M11工厂，则将把2D NAND Flash转换为生产3D NAND Flash，也是因为就生产成本来进行的考量。

美光财报引发业界担忧

上周三，美国存储器大厂美光公司发布了截至11月29日的2019财年一季度财报。数据显示，美光公司当季营收79.1亿美元，同比增长16%，毛利率达到了58%，净利润32.9亿美元，同比增长23%。虽然整体业绩还是在增长的，但是相比上个季度已经放缓了，主要原因就是NAND闪存大幅降价，DRAM内存芯片也由涨转跌，影响了公司的毛利率。

美光方面预计，2019年内存芯片产能增幅为15%，低于此前预期的20%；这直接导致DRAM和NAND需求将减弱，NAND闪存芯片也只会增长35%，低于此前预计的35-40%。因此公司下调了第二财季的营收，预计为57亿到63亿美元之间，低于分析师预期的73亿美元。

为了解决供过于求的问题，美光公司总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra在随后的电话会议上表示，“正采取果断行动，包括大幅降低2019财年资本开支”，减少NAND 及DRAM产量以维持价格。

具体来看，美光计划将明年全年的资本支出下调12.5亿美元降至95亿美元，主要减少的是汽车、智能手机以及数据中心等市场上的存储芯片产能，美光认为这些领域的需求量将低于预期。

业内指出，半导体下游应用需求端的疲软是对明年最大的担忧，美光的财报恰恰反映了这一点。认为包括通讯电子、消费电子、汽车电子等在内的下游应用明年均将出现增速放缓，某些细分领域甚至有可能出现倒退。