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我国2019年正式推出5G GaN功率放大器芯片

ICExpo 来源:cg 2018-12-14 09:26 次阅读
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2018年被称为“5G元年”。随着5G角逐不断升级,整个产业链都在加速前进。

在10日揭幕的2018中国国际应用科技交易博览会上,我国5G芯片又交出了一份成绩。国产5G通信基站GaN(氮化镓功率放大器芯片在中国发明成果转化研究院展区对外亮相。

据中证资讯报道,该研究院有关负责人透露,GaN芯片已完成多款产品设计,并已获得中电集团客户认证成功,计划2019年正式推出,将可全面满足中国5G通信基站对射频功率放大器的需求,未来可望实现人与人乃至物联网、生产机器人无人驾驶“实时无线电通信”。

如今在3.5GHz以上基站部署方面,GaN将逐步取代LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)。GaN优势在于更高功率密度及更高截止频率,尤其在5G多输入多输出(Massive MIMO)应用中,可实现高整合性解决方案。

我国5G GaN功率放大器芯片通过认证并在2019年正式推出,这将为我国5G建设带来助力。

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原文标题:5G角逐加速,我国5G GaN功率放大器芯片已通过认证 2019年正式推出

文章出处:【微信号:ic-china,微信公众号:ICExpo】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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