IC Insights：2018年半导体行业资本支出总额超1000亿美元 增长15％

IC Insights预测，今年半导体行业的资本支出总额将增长15％至1071亿美元，这是该行业首次实现年度资本支出达到1000亿美元。

根据11月IC Insights发布的半导体行业总资本支出数据显示，三星在半导体领域资本投入惊人，继2017年投入242亿美元后，2018年仍保持226亿美元的强劲水平。该数据几乎与英特尔和台积电两年资本支出总和484亿美元相媲美。

来源：IC Insights

如图所示，从2010年开始，三星半导体资本支出首超100亿美元，到2016年平均每年为120亿美元。而且，在2016年支出113亿美元后，该公司在2017年资本支出预算增加了一倍以上。三星在2018年继续保持强劲的资本支出，这一惊人结果令业界印象深刻。

IC Insights认为，三星2017年和2018年的大规模支出将在未来产生影响。首当其冲的是3D NAND闪存市场产能过剩，该现象不仅归因于三星对3D NAND闪存的巨额支出，还来自竞争对手（例如SK海力士，美光，东芝，英特尔等）的支出，这些竞争对手试图跟上这个细分市场的步伐。

随着DRAM和NAND闪存市场在2018年前三季度出现强劲增长，SK海力士今年的资本支出增加。在1Q18，SK海力士表示，它计划今年将其资本支出开支增加“至少30％”。在11月的数据更新中，ICInsights预测SK海力士的半导体资本支出将增长58％。SK海力士今年增加的开支主要集中在两个大型存储晶圆厂，韩国清州的3DNAND闪存晶圆厂，以及中国无锡的大型DRAM工厂的扩建。

新闻源：IC Insights；Allen Yin/编译